-
公开(公告)号：CN113534338B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111083708.4
申请日：2021-09-16
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明涉及集成光子技术领域，尤其是一种光子自旋定向分离器，为解决金属超表面结构在实现定向分离的稳定性低的问题，现提出如下方案，其包括衬底，衬底上设有金属膜层，金属膜层上设有导波结构，导波结构包括相互垂直的第一介质波导和第二介质波导，金属膜层上设有天线结构，天线结构包括两个扇环体结构，两个扇环体结构分别等距分布于第一介质波导和第二介质波导的两侧。当入射光子的自旋角动量与天线结构的轨道角动量匹配时，入射光转化为天线谐振波导模式；同时，通过控制入射光子的自旋态，选择性地将天线谐振波导模式耦合至光子自旋导波结构中的某一个波导分支。本发明消光比高和集成度高，适用于量子通信领域。
-
公开(公告)号：CN115267970B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210932545.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种光子自旋定向耦合器，涉及集成光子器件设计技术领域，利用介质加载SPPs波导优越的导波性能，充分权衡了SPPs模式损耗与模式面积两者相互抑制的关系，设计出了对不同自旋态光子的定向耦合器件；本发明利用光子自旋‑轨道耦合效应，提出了一种三柱体天线结构，实现了入射光子自旋角动量与天线结构轨道角动量之间的有效耦合转换；本发明的光子自旋定向耦合器具备消光比高、结构简单、易于加工集成等优点，从而推动光子自旋定向耦合器的实际应用。
-
公开(公告)号：CN115267970A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210932545.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种光子自旋定向耦合器，涉及集成光子器件设计技术领域，利用介质加载SPPs波导优越的导波性能，充分权衡了SPPs模式损耗与模式面积两者相互抑制的关系，设计出了对不同自旋态光子的定向耦合器件；本发明利用光子自旋‑轨道耦合效应，提出了一种三柱体天线结构，实现了入射光子自旋角动量与天线结构轨道角动量之间的有效耦合转换；本发明的光子自旋定向耦合器具备消光比高、结构简单、易于加工集成等优点，从而推动光子自旋定向耦合器的实际应用。
-
公开(公告)号：CN113534338A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202111083708.4
申请日：2021-09-16
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明涉及集成光子技术领域，尤其是一种光子自旋定向分离器，为解决金属超表面结构在实现定向分离的稳定性低的问题，现提出如下方案，其包括衬底，衬底上设有金属膜层，金属膜层上设有导波结构，导波结构包括相互垂直的第一介质波导和第二介质波导，金属膜层上设有天线结构，天线结构包括两个扇环体结构，两个扇环体结构分别等距分布于第一介质波导和第二介质波导的两侧。当入射光子的自旋角动量与天线结构的轨道角动量匹配时，入射光转化为天线谐振波导模式；同时，通过控制入射光子的自旋态，选择性地将天线谐振波导模式耦合至光子自旋导波结构中的某一个波导分支。本发明消光比高和集成度高，适用于量子通信领域。
-
公开(公告)号：CN112558329A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011396860.3
申请日：2020-12-02
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的偏振无关电光调制器，包括基底层、表面等离子波导层、双层石墨烯结构和电极结构；表面等离子波导层从下往上依次设置有介质加载层、条形金属薄膜层及介质波导层，表面等离子波导层的上表面和两侧面设置有部分或全部重叠的第一石墨烯层和第二石墨烯层，第一石墨烯层和第二石墨烯层之间设置有电介质隔离层，电极结构设置于石墨烯结构之上。本发明利用石墨烯对TE和TM模式相近的光吸收调谐特性，设计出了偏振无关的电光调制器，具备偏振不敏感、消光比高、结构简单、易于制备、CMOS工艺兼容等优点，这些优点能推动本发明电光调制器的实际应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220251726U
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202321497766.6
申请日：2023-06-13
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本实用新型公开了一种基于金属和金属氧化物复合增强Z型光纤传感器，包括纤芯和位于其两端的普通单模通信光纤，纤芯和普通单模通信光纤共同构成Z型光纤结构，所述纤芯的外侧为金属膜层，所述金属膜层的外侧为金属氧化膜；所述金属氧化膜外侧用于添涂待检测材料。本实用新型结构简单，易于量产，对Z型光纤干涉表面进行多材料、多维度结构改性，结合SPPs共振模式，具备高度局域和近场增强特性，在有效平衡SPPs模式特性的基础上，协同优化提高器件的整体性能，为高灵敏度光纤传感器设计提供了新的维度；本实用新型采用全光学原理，没有电气元件，不受干扰和电磁场影响，不仅能够在恶劣的环境中使用，还具备稳定性强、准确性高、使用寿命长的优点。
-
公开(公告)号：CN218445132U
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202221953819.6
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于环形分裂共振腔的高灵敏集成传感器，涉及光波导传感技术领域，传感器结构包括基底层、刻蚀有直狭缝波导的金属膜层、矩形谐振腔和环形分裂共振腔组成，其中环形分裂共振腔由一个开口与内矩形腔组成，该结构使得特定频率下的输入光能够与环形分裂共振腔发生耦合，从而形成透射禁带，同时，透射禁带中心波长随外界温度和检测样品折射率改变而变化，因此，通过监测透射光谱变化，可以实时获得环境温度及待测样品的特性变化。本实用新型将为高灵敏度集成传感器件的设计提供重要技术思路。
-
公开(公告)号：CN214540319U
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202021791017.0
申请日：2020-08-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G02F1/17
Abstract: 本实用新型公开了一种基于偏置全介质纳米线的石墨烯光学调制器。涉及光学调制领域，包括两个全介质偏置纳米线、覆盖全介质偏置纳米线的波导包层、双层石墨烯、两个金属电极及双层石墨烯层之间的电容填充物。所述两个全介质偏置纳米线能够实现电磁波亚波长束缚并提高电磁场与石墨烯的相互作用，所述双层石墨烯分别与金属电极接触，所述双层石墨烯在金属电极电信号激励下实现对光调制器的开启和关闭。本实用新型可以实现高调制深度、低传输损耗、大调制带宽的光调制，在集成高速全光网络中的应用前景广泛。
-
公开(公告)号：CN216718737U
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202122713171.7
申请日：2021-11-08
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种增强量子点发光的谐振激励结构，涉及纳米光子器件领域，包括金属基底、双圆柱孔、矩形纳米狭缝及量子点；所述双圆柱孔和中心水平矩形狭缝镶嵌在金属基底中，其中双圆柱孔包括左侧圆柱孔和右侧圆柱孔，矩形纳米狭缝位于左侧圆柱孔和右侧圆柱孔之间，量子点位于矩形纳米狭缝内；通过优化纳米狭缝以及双圆柱孔特征参数，实现对谐振腔模式的亚波长束缚，增强量子点与电磁场的相互作用，提高量子点的发光性能。
-
公开(公告)号：CN214278568U
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202023171727.6
申请日：2020-12-25
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型公开了一种T型Slot光波导石墨烯表面等离子体调制器结构，包括T型slot光波导结构、双层石墨烯和金属电极，T型slot光波导结构由基底层、条形金属波导和Slot纳米狭缝组成。Slot纳米狭缝的水平Slot纳米狭缝和竖直Slot纳米狭缝能分别实现对TE模式和TM模式的亚波长局域束缚，增强石墨烯与电磁场的相互作用，提高电光调制深度和调制速率。本实用新型通过优化T型slot光波导特征参数，同步调谐TE和TM模式损耗，从而完成偏振不敏感电光调制。双层石墨烯与金属电极接触，在外界偏置电压激励下实现对光调制器的开启和关闭。本实用新型将为偏振多样化集成器件及芯片的设计提供重要技术思路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.048 seconds)
