一种阵列基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN109887883B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201910114510.4

    申请日:2019-02-14

    Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制造方法,包括像素区和端子区;像素区包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极和漏极,第一绝缘层、第二绝缘层、共通电极、第三绝缘层、像素电极、第四过孔,像素电极通过第四过孔与漏极导通;端子区包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极和漏极、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、第五过孔,像素电极通过第五过孔与栅极导通。本发明通过像素区对光刻胶、第三绝缘层、第一绝缘层同时进行刻蚀,端子区对第三绝缘层、第一绝缘层、栅极绝缘层同时进行刻蚀,可以减少像素区对第一绝缘层、第二绝缘层和漏极表面过刻的影响,降低过孔处阻抗。

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