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公开(公告)号：CN112363037B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201910677709.8
申请日：2019-07-25
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管极限性能验证电路、系统及方法，包括：驱动模块，用于提供待测场效应晶体管的驱动信号；连接于所述待测场效应晶体管的高压端的功率模块及测试模块，功率模块用于提供测试需要的高压端电压及高压端电流，测试模块用于获取测试参数；功率模块包括串联的恒流源与开关，电容并联于恒流源与开关的串联结构两端，电感的一端连接电容的上极板，另一端连接待测场效应晶体管。本发明成本低廉，结构简单，操作方便，可实现对器件雪崩性能，大电流高压快速关断以及大电流关断极限性能的测试评估，覆盖范围广，寄生参数对漏(56)对比文件魏昌俊.1200 V/36 A SiC MOSFET 短路特性的实验研究《.智能电网》.2017,第5卷(第8期),第765-772页.
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公开(公告)号：CN112363037A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910677709.8
申请日：2019-07-25
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管极限性能验证电路、系统及方法，包括：驱动模块，用于提供待测场效应晶体管的驱动信号；连接于所述待测场效应晶体管的高压端的功率模块及测试模块，功率模块用于提供测试需要的高压端电压及高压端电流，测试模块用于获取测试参数；功率模块包括串联的恒流源与开关，电容并联于恒流源与开关的串联结构两端，电感的一端连接电容的上极板，另一端连接待测场效应晶体管。本发明成本低廉，结构简单，操作方便，可实现对器件雪崩性能，大电流高压快速关断以及大电流关断极限性能的测试评估，覆盖范围广，寄生参数对漏极电压的影响小，且电流可设定。
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公开(公告)号：CN119511011A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311076946.1
申请日：2023-08-24
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种功率器件二次开启评估电路及评估方法，评估电路包括开关模块及对照测试模块；开关模块通过开关管的开启和关闭将直流电信号转换为开关电信号；对照测试模块与开关模块相连，基于开关电信号对待测功率管和对照功率管进行对照测试，通过触发待测功率管二次开启来评估其二次开启条件；其中，对照功率管在对照测试期间保持关闭。通过本发明提供的功率器件二次开启评估电路及评估方法，解决了现有技术中针对功率器件二次开启无有效评估方案的问题。
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公开(公告)号：CN117434358A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210837340.4
申请日：2022-07-15
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明提供一种T型三电平换流单元的动态特性测试电路及方法，包括：充放电控制单元，为第一、第二电容提供充电电流或放电通路；第一电容与所述第二电容的串联；T型三电平换流单元，通过开关时序调整电流流向及输出电平；电感，第一端连接T型三电平换流单元的电压输出端，第二端连接第一、第二容的连接节点。本发明测试电路结构简单、效率高、功能全面，便于实现自动化测试；可以在同一个电路中不切换电感位置实现不同工作状况测试，操作方便；且避免由于电感位置切换改变电路一致性，测试准确性高；当电感进入续流时电感两端的电压为0V，还原了实际应用工况，进一步提高了测试准确性；采用过流保护，避免在电流过大时损坏器件或电路。
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公开(公告)号：CN116840667A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210303177.3
申请日：2022-03-24
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明提供一种多脉冲测试电路及多脉冲测试方法，包括：开关模块，包括串联在供电端和接地端之间的待测器件及电感；充能模块，为测试提供电能；换流模块，包括第一开关，连接于所述充能模块与所述开关模块之间，通过第一开关的通断调整电流流向；所述第一开关与所述待测器件的开关信号相互隔离且同步；当所述待测器件和所述第一开关导通时，从所述充能模块获取能量为所述电感提供能量，当所述待测器件和所述第一开关关断时，将所述电感的能量回收至所述充能模块。本发明的多脉冲测试电路及多脉冲测试方法可以实现对电力电子开关器件的多脉冲测试，测试电路结构简单、成本低廉、节能环保。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115343588B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202110526808.3
申请日：2021-05-14
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种功率晶体管的测试系统和测试方法，功率晶体管测试系统包括：第一驱动模块，第二驱动模块，等效寄生参数模块，供电电源，第一电感，第二电感，第一开关，第二开关，第一NMOS管，第二NMOS管；功率晶体管测试系统还包括温控装置，第三NMOS管，第三驱动模块，第四NMOS管及第四驱动模块；功率晶体管的测试系统可以测试功率晶体管或并联晶体管的体二极管反向恢复特性、大电流开启和大电流关断特性或直通上电耐抗短路特性，也可以测试高低温对上述特性的影响；本发明的功率晶体管的测试系统的电路参数可调整，可测试可调参数对功率晶体管特性的影响；位于下半桥的晶体管，不易受外界干扰，方便测试。
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公开(公告)号：CN118050610A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211399466.4
申请日：2022-11-09
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明提供一种测试装置，包括：信号产生模块，用于产生频率及占空比可调的方波信号；隔离驱动模块，用于根据方波信号产生幅值可调的驱动信号，其频率及占空比由方波信号决定；待测模块，用于通过开关控制使待测器件处于不同状态；加温模块，用于对待测器件加温；异常比较模块，用于比较待测器件的漏电流和设定电流并产生第一比较结果；阈值比较模块，用于比较待测器件的漏源电流和基准电流并产生第二比较结果；控制与人机交互模块，用于根据第一比较结果判断待测器件是否存在异常，及根据第二比较结果获取待测器件的阈值电压。通过本发明提供的测试装置，解决了现有技术中无专用装置对SIC MOSFET的阈值电压可靠性进行测试的问题。
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公开(公告)号：CN117936493A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410098926.2
申请日：2024-01-24
Applicant: 重庆大学 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/473 , H02M7/00 , H02M1/00 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种车用多芯片并联碳化硅功率模块，属于半导体器件技术领域。该碳化硅功率模块包括外壳、集成散热器基板、设置在所述集成散热器基板上的覆铜板以及焊接在所述覆铜板上的碳化硅开关单元、功率端子和信号端子。该碳化硅功率模块为三相半桥结构，每一相的半桥电路集成在一块覆铜板上，三相的覆铜板之间不存在电气连接。在单相覆铜板中，采用一体式铜框架实现碳化硅芯片之间的互联，将多个导电区连接形成半桥结构；其中，一体式铜框架通过焊接固定在覆铜板上。本发明通过一体式铜框架实现碳化硅芯片间的并联，提高了碳化硅芯片的通流能力、可靠性，并降低了寄生电感；同时，一体式铜框架做了开槽处理，可释放部分应力提高结合面的可靠性。
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公开(公告)号：CN115544927A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211136754.0
申请日：2022-09-19
Applicant: 电子科技大学 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: G06F30/3323
Abstract: 本发明公开一种具有安全工作区SOA限制的超结MOSFET SPICE模型建立方法，应用于电子元器件建模领域。常用功率MOSFET SPICE模型仅用反偏二极管实现对定值击穿的模拟，以限制器件的工作范围；本发明基于超结MOSFET特有的叠加电场模型，提出了一种可模拟击穿与热失效的超结MOSFET SPICE模型，可辅助确认超结MOSFET器件是否在SOA范围内工作；同时可模拟近SOA边界的器件雪崩与短路特性，以适应极端电应力条件下的超结MOSFET模型验证与应用电路仿真。
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公开(公告)号：CN116047245A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202111264862.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明提供一半导体三端器件SOA曲线的测试装置及测试方法，测试装置包括：可调功率电源、可调信号电源及控制与人机交互模块，可调功率电源连接待测器件的功率端和接地端，并受控于控制与人机交互模块，为待测器件提供电压值可调的功率电压；可调信号电源连接待测器件的信号端，并受控于控制与人机交互模块，为待测器件提供幅值可调、脉宽时间可调的驱动信号；控制与人机交互模块连接待测器件的功率端和接地端，用于检测不同时间点下待测器件的功率端电压和流经待测器件的电流，并基于检测的电压和电流绘制SOA曲线。通过本发明提供的测试装置及测试方法，解决了现有装置无法固定一个参数调节另一个参数、测试效率低、无能量控制电路等问题。
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