公开(公告)号：CN119511011A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202311076946.1

申请日：2023-08-24

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 丁继 ,  赵伟能 ,  唐开锋 ,  马荣耀

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种功率器件二次开启评估电路及评估方法，评估电路包括开关模块及对照测试模块；开关模块通过开关管的开启和关闭将直流电信号转换为开关电信号；对照测试模块与开关模块相连，基于开关电信号对待测功率管和对照功率管进行对照测试，通过触发待测功率管二次开启来评估其二次开启条件；其中，对照功率管在对照测试期间保持关闭。通过本发明提供的功率器件二次开启评估电路及评估方法，解决了现有技术中针对功率器件二次开启无有效评估方案的问题。

公开(公告)号：CN115343588B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202110526808.3

申请日：2021-05-14

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 唐开锋 ,  马荣耀 ,  丁继 ,  陈龙 ,  徐丹丹 ,  赵伟能 ,  邓旻熙

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种功率晶体管的测试系统和测试方法，功率晶体管测试系统包括：第一驱动模块，第二驱动模块，等效寄生参数模块，供电电源，第一电感，第二电感，第一开关，第二开关，第一NMOS管，第二NMOS管；功率晶体管测试系统还包括温控装置，第三NMOS管，第三驱动模块，第四NMOS管及第四驱动模块；功率晶体管的测试系统可以测试功率晶体管或并联晶体管的体二极管反向恢复特性、大电流开启和大电流关断特性或直通上电耐抗短路特性，也可以测试高低温对上述特性的影响；本发明的功率晶体管的测试系统的电路参数可调整，可测试可调参数对功率晶体管特性的影响；位于下半桥的晶体管，不易受外界干扰，方便测试。

公开(公告)号：CN118050610A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211399466.4

申请日：2022-11-09

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 徐丹丹 ,  丁继 ,  唐开锋 ,  马荣耀 ,  赵伟能

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/28

Abstract: 本发明提供一种测试装置，包括：信号产生模块，用于产生频率及占空比可调的方波信号；隔离驱动模块，用于根据方波信号产生幅值可调的驱动信号，其频率及占空比由方波信号决定；待测模块，用于通过开关控制使待测器件处于不同状态；加温模块，用于对待测器件加温；异常比较模块，用于比较待测器件的漏电流和设定电流并产生第一比较结果；阈值比较模块，用于比较待测器件的漏源电流和基准电流并产生第二比较结果；控制与人机交互模块，用于根据第一比较结果判断待测器件是否存在异常，及根据第二比较结果获取待测器件的阈值电压。通过本发明提供的测试装置，解决了现有技术中无专用装置对SIC MOSFET的阈值电压可靠性进行测试的问题。

公开(公告)号：CN115343588A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202110526808.3

申请日：2021-05-14

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 唐开锋 ,  马荣耀 ,  丁继 ,  陈龙 ,  徐丹丹 ,  赵伟能 ,  邓旻熙

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种功率晶体管的测试系统和测试方法，功率晶体管测试系统包括：第一驱动模块，第二驱动模块，等效寄生参数模块，供电电源，第一电感，第二电感，第一开关，第二开关，第一NMOS管，第二NMOS管；功率晶体管测试系统还包括温控装置，第三NMOS管，第三驱动模块，第四NMOS管及第四驱动模块；功率晶体管的测试系统可以测试功率晶体管或并联晶体管的体二极管反向恢复特性、大电流开启和大电流关断特性或直通上电耐抗短路特性，也可以测试高低温对上述特性的影响；本发明的功率晶体管的测试系统的电路参数可调整，可测试可调参数对功率晶体管特性的影响；位于下半桥的晶体管，不易受外界干扰，方便测试。