公开(公告)号：CN112363037B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910677709.8

申请日：2019-07-25

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 丁继 ,  王荣华 ,  唐开锋

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管极限性能验证电路、系统及方法，包括：驱动模块，用于提供待测场效应晶体管的驱动信号；连接于所述待测场效应晶体管的高压端的功率模块及测试模块，功率模块用于提供测试需要的高压端电压及高压端电流，测试模块用于获取测试参数；功率模块包括串联的恒流源与开关，电容并联于恒流源与开关的串联结构两端，电感的一端连接电容的上极板，另一端连接待测场效应晶体管。本发明成本低廉，结构简单，操作方便，可实现对器件雪崩性能，大电流高压快速关断以及大电流关断极限性能的测试评估，覆盖范围广，寄生参数对漏(56)对比文件魏昌俊.1200 V/36 A SiC MOSFET 短路特性的实验研究《.智能电网》.2017,第5卷(第8期),第765-772页.

公开(公告)号：CN112363037A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201910677709.8

申请日：2019-07-25

Applicant: 华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 丁继 ,  王荣华 ,  唐开锋

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管极限性能验证电路、系统及方法，包括：驱动模块，用于提供待测场效应晶体管的驱动信号；连接于所述待测场效应晶体管的高压端的功率模块及测试模块，功率模块用于提供测试需要的高压端电压及高压端电流，测试模块用于获取测试参数；功率模块包括串联的恒流源与开关，电容并联于恒流源与开关的串联结构两端，电感的一端连接电容的上极板，另一端连接待测场效应晶体管。本发明成本低廉，结构简单，操作方便，可实现对器件雪崩性能，大电流高压快速关断以及大电流关断极限性能的测试评估，覆盖范围广，寄生参数对漏极电压的影响小，且电流可设定。