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公开(公告)号：CN118337177A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410476891.1
申请日：2024-04-19
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请公开了一种集成PA的射频前端结构及其制备方法，本集成PA的射频前端结构包括衬底；BAW滤波器结构，其设置在衬底上；IPD MIM电容结构，其设置在BAW滤波器结构上；GaN HENT晶体管结构，其设置在IPD MIM电容结构上；IPD TGV电感结构，其设置在GaN HENT晶体管结构上。本申请通过将PA集成到射频前端结构，减少空间的占用，而且也能降低生产成本。本申请涉及半导体技术与射频前端器件领域。
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公开(公告)号：CN117976599A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410151692.3
申请日：2024-02-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度晶圆键合设备，包括：支撑架、载物台、掩膜板和对齐镜头。载物台包括上载台和下载台；上载台位于下载台的正上方，上载台和下载台两者中的其中一者连接有升降驱动机构，升降驱动机构安装于支撑架，升降驱动机构能够驱使上载台和下载台相互靠近或相互远离；掩膜板能够伸入至上载台和下载台之间；对齐镜头能够伸入上载台和下载台之间，对齐镜头用于观测晶圆的标记位是否与掩膜板的参考孔位重合。通过采用掩膜板作为参考系，并配合对齐镜头一次性对齐上载台的上容置槽的晶圆以及下载台的下容置槽的晶圆，以确保两个晶圆不存在水平投影不重叠问题和水平投影角度偏差问题，从而提高了晶圆键合的质量和可靠性。
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公开(公告)号：CN116865703A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310697930.6
申请日：2023-06-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种横向耦合FBAR及其制备方法与通信设备。本发明的横向耦合FBAR的组成包括平面衬底和设置在平面衬底上至少刻蚀形成两个凹槽上的两个谐振器，谐振器的组成包括过渡层、底电极、压电薄膜和顶电极，相邻两个谐振器通过共用一个电极形成耦合，所述共用电极形式为，左侧谐振器的顶电极延伸出来与右侧谐振器的底电极相连，在同一平面衬底上横向耦合至少两个谐振器。本发明提出的结构工艺可以在同一平面衬底上实现多个谐振器的横向耦合，相比于纵向耦合方式，尽可能地削减了耦合谐振器之间声波相互影响，且更易于形成高频谐振，降低了后续封装以及制作高频滤波器的难度，而且整个工艺相对简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN117879534A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311821053.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种桥式连接体声波谐振器、制造方法及通信设备，属于半导体器件技术领域。其中体声波谐振器包括：衬底、支撑层和设置在支撑层上的至少两个谐振结构，衬底与谐振结构之间设有反射界面；谐振结构自下而上依次为底电极、压电层和顶电极，所有的谐振结构的底电极相连接，所有的谐振结构的顶电极相连接，且电极两侧边缘设置有负载结构、凹槽、悬臂或者桥式结构中至少一种结构。本发明通过拆分谐振器并用桥式结构相连，在电极上设置微结构，有效反射横波改善损耗，提升器件Q值。同时，拆分面积可有效解决由于薄膜面积大带来的薄膜质量不均匀、应力大、器件耗散功率大等问题，削减大信号下的器件非线性效应对器件整体性能带来的影响。
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公开(公告)号：CN116911237A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310737262.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/373 , G06F30/367 , H03H9/17 , H03H9/02
Abstract: 本发明公开了一种体声波谐振器MBVD模型的参数提取方法、装置及介质，属于第三代半导体材料与器件领域。其中方法包括：获取体声波谐振器的测试文件，根据测试文件获得每个频率点f对应的阻抗、串联谐振频率fs对应的阻抗Zs以及并联谐振频率fp对应的阻抗Zp；根据提取的阻抗获取MBVD模型六个参数的数值，六个参数分别为静态电容C0、动生电容Cm、动生电感Lm、电阻R0、电阻Rs、电阻rm；采用所述MBVD模型进行仿真工作。本发明考虑了掺杂等方法提升带宽后对静态电容C0的影响，提高了作为损耗的R0、Rs、Rm三个电阻的准确性，适用于所有结构、压电层为本征与掺杂后的体声波谐振器MBVD模型的参数提取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116633308A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310622711.1
申请日：2023-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用，属于电子技术领域。本发明提供的薄膜体声波谐振器包括层叠设置的衬底、声波反射层、压电堆和封装层；所述声波反射层和封装层的材料分别包括聚酰亚胺。本发明的声波反射层采用的材料包括聚酰亚胺，即采用单层聚酰亚胺布拉格结构层作为声波反射层，取代常用的高低声阻抗交替堆叠型布拉格层，工艺上，极大的减少了制备的步骤，同时继承了传统布拉格型FBAR稳定性好、高Q值的优势，而且整个工艺过程相对简单，易于实现。此外，本发明的封装层采用的材料包括聚酰亚胺，其具有防止电极氧化和器件封装的双重作用，能有效避免次频谐振的发生，进一步提高器件性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN118510369A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410423053.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10N39/00 , H10N30/40 , H10N30/01 , H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 本申请公开了一种FBAR与HEMT功率器集成结构及其制备方法，本集成结构包括集成部，其包括由下往上依次堆叠的衬底、第一底电极和第一压电层；HEMT结构，其包括由下往上依次堆叠的GaN缓冲层、势垒层以及场效应管，GaN缓冲层堆叠在第一压电层上；FBAR结构，其包括FBAR顶电极，FBAR顶电极设置在第一压电层上；钝化层，其设置在HEMT结构的顶面和侧面，钝化层将HEMT结构和FBAR结构隔开；金属件，其两端分别连接至场效应管和FBAR顶电极。本申请通过将FBAR结构和HEMT结构集成在同一衬底上，省去了阻抗匹配等难题，缩小了芯片的尺寸，提升射频前端芯片的集成度和可靠性，提高器件性能。本申请涉及半导体器件技术领域。
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公开(公告)号：CN118337175A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410483342.7
申请日：2024-04-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化硅纳米柱的体声波谐振器及其制备方法和应用。本发明的基于二氧化硅纳米柱的体声波谐振器的组成包括依次层叠设置的衬底、支撑层、温度补偿层、底电极层、压电材料层、顶电极层和温度释放层，温度补偿层的组成包括呈阵列排布的二氧化硅纳米柱，二氧化硅纳米柱与支撑层之间的夹角为45°～90°。本发明的基于二氧化硅纳米柱的体声波谐振器具有温度漂移系数低、Q值高等优点，且其制备工艺简单，适合进行大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN117459021B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311544765.7
申请日：2023-11-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请提出一种集成无源器件的体声波单片混合滤波器的制备方法，包括：(1)在支撑衬底上通过沉积制备泄露隔离层；(2)在(1)制备的泄露隔离层上通过物理气相沉积得到电感层，在掩模版上留出TGV电感堆截面环绕沟槽底部窗口，同时对电感金属进行图形化；(3)在(2)制备的电感金属上通过化学气相沉积得到绝缘层，通过光刻得到引线通孔；(4)交替重复步骤(2)和步骤(3)，得到三层堆叠的TGV电感；(5)在(4)制备的TGV电感上方通过化学气相沉积再沉积一层绝缘层；(6)在(5)沉积的绝缘层上通过物理气相沉积沉积两层电容层，在两层电容层之间沉积绝缘层，形成MIM电容；(7)在(6)制备的MIM电容上制备BAW谐振器，通过引线通孔将TGV电感、MIM电容和BAW谐振器连接。
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公开(公告)号：CN117459021A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311544765.7
申请日：2023-11-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请提出一种集成无源器件的体声波单片混合滤波器的制备方法，包括：(1)在支撑衬底上通过沉积制备泄露隔离层；(2)在(1)制备的泄露隔离层上通过物理气相沉积得到电感层，在掩模版上留出TGV电感堆截面环绕沟槽底部窗口，同时对电感金属进行图形化；(3)在(2)制备的电感金属上通过化学气相沉积得到绝缘层，通过光刻得到引线通孔；(4)交替重复步骤(2)和步骤(3)，得到三层堆叠的TGV电感；(5)在(4)制备的TGV电感上方通过化学气相沉积再沉积一层绝缘层；(6)在(5)沉积的绝缘层上通过物理气相沉积沉积两层电容层，在两层电容层之间沉积绝缘层，形成MIM电容；(7)在(6)制备的MIM电容上制备BAW谐振器，通过引线通孔将TGV电感、MIM电容和BAW谐振器连接。
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