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公开(公告)号：CN118277581A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410383732.7
申请日：2024-04-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F16/36 , G06F16/332 , G06F16/33 , G06F16/34
Abstract: 本发明公开了一种综合性年报信息提取和评价系统及方法，包括年报信息提取和评价系统，所述年报信息提取和评价系统依次信号连接有评分模块、摘要模块和对话模块，所述评分模块依次信号连接有可读性模块和年报多维评分模块，所述摘要模块信号连接有大型语言模型技术，所述对话模块信号连接有基于知识图谱的prompt压缩技术；该种综合性年报信息提取和评价系统及方法通过评分模块结合传统的文本可读性指标与先进的计算机语言学方法分析语法复杂性和语义透明度，使得此模块能够更精确、更深入地评估年报的可读性；这种方法不仅提高了评估的准确性，还使得评价更加全面，考虑到了年报文本的多种特性。
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公开(公告)号：CN116963569A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310988140.3
申请日：2023-08-07
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种空穴传输材料及砷化镓太阳能电池。本发明的空穴传输材料的组成包括PEDOT:PSS和TiO2纳米颗粒修饰的MXene纳米片。本发明的砷化镓太阳能电池的组成包括依次设置的背面电极、砷化镓衬底、空穴传输层和正面电极，空穴传输层包含本发明的空穴传输材料。本发明的空穴传输材料由PEDOT:PSS和TiO2纳米颗粒修饰的MXene纳米片组成，引入MXene材料可以提升空穴传输薄膜的载流子迁移率，同时可以提升器件的稳定性，而引入的TiO2纳米颗粒具有减反射效果，可以增加光吸收，由该空穴传输材料结合n型砷化镓衬底制成的异质结太阳能电池的性能优异。
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公开(公告)号：CN116815233B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310674043.7
申请日：2023-06-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明属于光电极的技术领域，公开了一种rGO修饰的InGaN纳米柱光电极材料及其制备方法与应用。所述光电极材料包括Si衬底、Si衬底上设置的InGaN纳米柱层、InGaN纳米柱表面设置的rGO层；所述rGO层为二维纳米片材料。本发明还公开了光电极材料的制备方法。本发明使用rGO不仅拓宽了光电极材料的吸收光谱范围，有效钝化纳米柱的表面态，同时与InGaN纳米柱形成异质结构，有效降低起始电位，促进了电荷载流子的解离、传输及其在电极/电解液界面发生氧化反应，大大提高了光电转换效率，从而为实现高效PEC水分解制氢提供了有效策略。本发明的电极材料用于制备光阳极，作为光电化学水分解制氢的光电阳极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116633308A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310622711.1
申请日：2023-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用，属于电子技术领域。本发明提供的薄膜体声波谐振器包括层叠设置的衬底、声波反射层、压电堆和封装层；所述声波反射层和封装层的材料分别包括聚酰亚胺。本发明的声波反射层采用的材料包括聚酰亚胺，即采用单层聚酰亚胺布拉格结构层作为声波反射层，取代常用的高低声阻抗交替堆叠型布拉格层，工艺上，极大的减少了制备的步骤，同时继承了传统布拉格型FBAR稳定性好、高Q值的优势，而且整个工艺过程相对简单，易于实现。此外，本发明的封装层采用的材料包括聚酰亚胺，其具有防止电极氧化和器件封装的双重作用，能有效避免次频谐振的发生，进一步提高器件性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN120082921A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510248480.1
申请日：2025-03-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/059 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本申请提出一种g‑C3N4修饰的GaN纳米柱光电极材料、光阴极、光电化学电池及其制备方法和应用，在GaN纳米柱表面使用g‑C3N4进行修饰，不但拓宽了光电极材料的吸收光谱范围；g‑C3N4与GaN纳米柱形成了Z型异质结构，有效钝化纳米柱的表面态，有效地将GaN纳米柱导带中的电子转移到二维纳米片g‑C3N4的价带上，从而增加光电流密度，大大提升光电转换效率；为解决GaN纳米柱表面电荷复合带来的效率损失提供了有效的解决方案。且在用于光电化学电池在水分解制氢应用时，使用g‑C3N修饰GaN纳米柱还能够防止GaN纳米柱在电解质中的光电腐蚀，且g‑C3N4作为无金属电催化剂适用于可持续水分解系统，进一步增强了光电极的稳定性，改善了器件的整体光电性能。
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公开(公告)号：CN116895705A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310642807.4
申请日：2023-06-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0304 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/108 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C14/30
Abstract: 本发明公开了一种叉指石墨烯型InGaN可见光探测器及其制备方法，所述探测器结构依次为Si衬底层、多层缓冲层、InGaN功能层、叉指石墨烯电极和表面微纳结构。所述多层缓冲层从下到上依次为AlN层、AlGaN层和GaN层。基于石墨烯与InGaN界面的肖特基结的整流特性，将叉指石墨烯作为透明导电电极以探测光生载流子，可以增大器件光敏面积，提升载流子迁移速率，减小漏电流。同时，利用表面微纳结构增强可见光的光吸收，可以提高器件的响应度与量子效率。
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公开(公告)号：CN116865703A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310697930.6
申请日：2023-06-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种横向耦合FBAR及其制备方法与通信设备。本发明的横向耦合FBAR的组成包括平面衬底和设置在平面衬底上至少刻蚀形成两个凹槽上的两个谐振器，谐振器的组成包括过渡层、底电极、压电薄膜和顶电极，相邻两个谐振器通过共用一个电极形成耦合，所述共用电极形式为，左侧谐振器的顶电极延伸出来与右侧谐振器的底电极相连，在同一平面衬底上横向耦合至少两个谐振器。本发明提出的结构工艺可以在同一平面衬底上实现多个谐振器的横向耦合，相比于纵向耦合方式，尽可能地削减了耦合谐振器之间声波相互影响，且更易于形成高频谐振，降低了后续封装以及制作高频滤波器的难度，而且整个工艺相对简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN116815233A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310674043.7
申请日：2023-06-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明属于光电极的技术领域，公开了一种rGO修饰的InGaN纳米柱光电极材料及其制备方法与应用。所述光电极材料包括Si衬底、Si衬底上设置的InGaN纳米柱层、InGaN纳米柱表面设置的rGO层；所述rGO层为二维纳米片材料。本发明还公开了光电极材料的制备方法。本发明使用rGO不仅拓宽了光电极材料的吸收光谱范围，有效钝化纳米柱的表面态，同时与InGaN纳米柱形成异质结构，有效降低起始电位，促进了电荷载流子的解离、传输及其在电极/电解液界面发生氧化反应，大大提高了光电转换效率，从而为实现高效PEC水分解制氢提供了有效策略。本发明的电极材料用于制备光阳极，作为光电化学水分解制氢的光电阳极。
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