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公开(公告)号：CN118337177A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410476891.1
申请日：2024-04-19
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请公开了一种集成PA的射频前端结构及其制备方法，本集成PA的射频前端结构包括衬底；BAW滤波器结构，其设置在衬底上；IPD MIM电容结构，其设置在BAW滤波器结构上；GaN HENT晶体管结构，其设置在IPD MIM电容结构上；IPD TGV电感结构，其设置在GaN HENT晶体管结构上。本申请通过将PA集成到射频前端结构，减少空间的占用，而且也能降低生产成本。本申请涉及半导体技术与射频前端器件领域。
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公开(公告)号：CN116865703A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310697930.6
申请日：2023-06-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种横向耦合FBAR及其制备方法与通信设备。本发明的横向耦合FBAR的组成包括平面衬底和设置在平面衬底上至少刻蚀形成两个凹槽上的两个谐振器，谐振器的组成包括过渡层、底电极、压电薄膜和顶电极，相邻两个谐振器通过共用一个电极形成耦合，所述共用电极形式为，左侧谐振器的顶电极延伸出来与右侧谐振器的底电极相连，在同一平面衬底上横向耦合至少两个谐振器。本发明提出的结构工艺可以在同一平面衬底上实现多个谐振器的横向耦合，相比于纵向耦合方式，尽可能地削减了耦合谐振器之间声波相互影响，且更易于形成高频谐振，降低了后续封装以及制作高频滤波器的难度，而且整个工艺相对简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN117879534A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311821053.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种桥式连接体声波谐振器、制造方法及通信设备，属于半导体器件技术领域。其中体声波谐振器包括：衬底、支撑层和设置在支撑层上的至少两个谐振结构，衬底与谐振结构之间设有反射界面；谐振结构自下而上依次为底电极、压电层和顶电极，所有的谐振结构的底电极相连接，所有的谐振结构的顶电极相连接，且电极两侧边缘设置有负载结构、凹槽、悬臂或者桥式结构中至少一种结构。本发明通过拆分谐振器并用桥式结构相连，在电极上设置微结构，有效反射横波改善损耗，提升器件Q值。同时，拆分面积可有效解决由于薄膜面积大带来的薄膜质量不均匀、应力大、器件耗散功率大等问题，削减大信号下的器件非线性效应对器件整体性能带来的影响。
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公开(公告)号：CN119093895A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411209883.7
申请日：2024-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性体声波谐振器及其制备方法和应用，属于电子器件技术领域。所述谐振器包括依次层叠的柔性衬底、第一柔性电极层、压电层、第二柔性电极层、电磁屏蔽层；所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层各自独立地包括：聚酰亚胺‑聚多巴胺复合膜、二氧化钛颗粒、导电金属颗粒，所述二氧化钛颗粒和所述导电金属颗粒分布在所述聚酰亚胺‑聚多巴胺复合膜内。本发明在柔性衬底基础上制备柔性电极层，将导电金属颗粒填充在聚酰亚胺‑聚多巴胺复合膜中，形成可导电的柔性电极层，从而避免引入刚性的金属电极层；而引入电磁屏蔽层可以赋予谐振器良好的抗干扰性能，本发明的谐振器具有良好的柔性、延展性、抗疲劳性和抗干扰性。
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公开(公告)号：CN118539892A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410497161.X
申请日：2024-04-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请公开了一种单片集成Switch的射频前端模组及其制备方法，本单片集成Switch的射频前端模组包括由下往上依次堆叠设置的衬底、种子层、缓冲层、结构层、支撑层、射频信号‑体声波换能结构、隔离层、沟道层、势垒层和场效应管。本申请通过将Switch集成到射频前端模组，进一步缩小射频前端器件的尺寸。本申请涉及半导体器件与射频前端技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119401972A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411444932.5
申请日：2024-10-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请提出一种薄膜体声波谐振器及利用湿化学法衬底剥离技术制备薄膜体声波谐振器的方法，在衬底A表面生长BaF2和/或CaF2剥离层、AlN材料压电层、底电极层，支撑层；在衬底B表面生长出空腔层；将衬底A和衬底B键合在一起，刻蚀剥离层，将衬底A剥离；在剥离后暴露的压电层表面生长图形化顶电极。利用溶剂对剥离层和功能层差异性溶解能力，有效将薄膜剥离，能够减少剥离过程中对薄膜的损伤，进而有效地提升谐振器的性能，减少其工作时的能量损耗，极大地保证了其组成的滤波器的信号质量。
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公开(公告)号：CN118510369A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410423053.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10N39/00 , H10N30/40 , H10N30/01 , H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 本申请公开了一种FBAR与HEMT功率器集成结构及其制备方法，本集成结构包括集成部，其包括由下往上依次堆叠的衬底、第一底电极和第一压电层；HEMT结构，其包括由下往上依次堆叠的GaN缓冲层、势垒层以及场效应管，GaN缓冲层堆叠在第一压电层上；FBAR结构，其包括FBAR顶电极，FBAR顶电极设置在第一压电层上；钝化层，其设置在HEMT结构的顶面和侧面，钝化层将HEMT结构和FBAR结构隔开；金属件，其两端分别连接至场效应管和FBAR顶电极。本申请通过将FBAR结构和HEMT结构集成在同一衬底上，省去了阻抗匹配等难题，缩小了芯片的尺寸，提升射频前端芯片的集成度和可靠性，提高器件性能。本申请涉及半导体器件技术领域。
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公开(公告)号：CN118337175A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410483342.7
申请日：2024-04-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化硅纳米柱的体声波谐振器及其制备方法和应用。本发明的基于二氧化硅纳米柱的体声波谐振器的组成包括依次层叠设置的衬底、支撑层、温度补偿层、底电极层、压电材料层、顶电极层和温度释放层，温度补偿层的组成包括呈阵列排布的二氧化硅纳米柱，二氧化硅纳米柱与支撑层之间的夹角为45°～90°。本发明的基于二氧化硅纳米柱的体声波谐振器具有温度漂移系数低、Q值高等优点，且其制备工艺简单，适合进行大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN117459021B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311544765.7
申请日：2023-11-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请提出一种集成无源器件的体声波单片混合滤波器的制备方法，包括：(1)在支撑衬底上通过沉积制备泄露隔离层；(2)在(1)制备的泄露隔离层上通过物理气相沉积得到电感层，在掩模版上留出TGV电感堆截面环绕沟槽底部窗口，同时对电感金属进行图形化；(3)在(2)制备的电感金属上通过化学气相沉积得到绝缘层，通过光刻得到引线通孔；(4)交替重复步骤(2)和步骤(3)，得到三层堆叠的TGV电感；(5)在(4)制备的TGV电感上方通过化学气相沉积再沉积一层绝缘层；(6)在(5)沉积的绝缘层上通过物理气相沉积沉积两层电容层，在两层电容层之间沉积绝缘层，形成MIM电容；(7)在(6)制备的MIM电容上制备BAW谐振器，通过引线通孔将TGV电感、MIM电容和BAW谐振器连接。
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公开(公告)号：CN117459021A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311544765.7
申请日：2023-11-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请提出一种集成无源器件的体声波单片混合滤波器的制备方法，包括：(1)在支撑衬底上通过沉积制备泄露隔离层；(2)在(1)制备的泄露隔离层上通过物理气相沉积得到电感层，在掩模版上留出TGV电感堆截面环绕沟槽底部窗口，同时对电感金属进行图形化；(3)在(2)制备的电感金属上通过化学气相沉积得到绝缘层，通过光刻得到引线通孔；(4)交替重复步骤(2)和步骤(3)，得到三层堆叠的TGV电感；(5)在(4)制备的TGV电感上方通过化学气相沉积再沉积一层绝缘层；(6)在(5)沉积的绝缘层上通过物理气相沉积沉积两层电容层，在两层电容层之间沉积绝缘层，形成MIM电容；(7)在(6)制备的MIM电容上制备BAW谐振器，通过引线通孔将TGV电感、MIM电容和BAW谐振器连接。
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