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公开(公告)号：CN119421599A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411540713.7
申请日：2024-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于串联电池的技术领域，公开了一种碳材料作为空穴传输和导电多功能中间复合层的全无机GaAs/钙钛矿串联叠层电池及其制备。所述电池从下到上依次包括背面电极、GaAs衬底层、碳材料层、无机钙钛矿顶电池层、正面ARC、正面电极；其中碳材料是作为GaAs底电池的空穴传输和底电池与顶电池的中间互联导电的复合功能层。本发明还公开了电池的制备方法。本发明拓宽了GaAs单结电池的效率理论极限，GaAs底电池采用的是异质结电池，与同质结电池相比降低了成本，其中用碳材料作为复合多功能层减少了传统串联电池须使用的中间导电层，能够有效降低成本和优化电池结构，并且全无机GaAs/钙钛矿电池能够显著提高稳定性。
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公开(公告)号：CN119230641A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411183903.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/66 , C30B33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于太阳能电池材料技术领域，为增强太阳光谱利用率，提高太阳电池光电转换效率，公开了一种具有蛾眼微纳结构抗反射层的GaAs太阳能电池及其制备方法。本发明利用MBE自催化生长的方式在具有SiO2层的Si衬底上生长出具有纳米柱结构的薄膜，通过在其表面旋涂PMMA，通过二维材料湿法转移技术将纳米柱结构转移至GaAs和碳纳米管异质结太阳能电池上，制备出具有蛾眼微纳结构抗反射层的太阳能电池。本发明与使用纳米压印技术和光刻技术相比，其操作更便捷，更环保，不需要使用一些有害气体以及危害化学药品进行微纳结构的刻蚀。采用该方法制备的具有蛾眼仿生微纳结构抗反射层的GaAs异质结太阳电池其抗反射层使用的材料不受限制，可以显著提高太阳光利用率，从而显著提升器件光电转换效率。
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公开(公告)号：CN114219768A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111410710.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于像素传感器的拉索索力测量方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取摄像机拍摄的视频素材；对视频素材的像素点进行灰度化处理；根据灰度值在观测时间内的变换情况，建立每个像素点的灰度时程和灰度值增量时程；对每个像素点光强离散点的时域信号建立光流冲激函数，利用离散傅里叶变换将冲激过程转换为频域信号并取模，得到像素点光强变化的傅里叶幅值谱；根据峰值法原理进行改进，实现自动识别模态频率；利用所得出频率，计算拉索索力。本发明具有了传统非接触测量方式的优势，同时由于传感器数量上的优势所以结果具有很强的抗干扰能力，测量所使用设备也非常简单。
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公开(公告)号：CN110042653A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910309178.7
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: D06M11/77 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种表面具有多尺度SiC-SiOC陶瓷涂层的碳纤维及其制备方法。本发明的目的是为解决现有碳纤维增强SiOC陶瓷界面结合不足的难题。所述方法包括如下步骤：将过渡金属化合物加入水中，混合均匀，得到混合溶液；将碳纤维浸泡在步骤（1）所述混合溶液中，烘干得到烘干后的碳纤维；将述烘干后的碳纤维浸泡在SiOC陶瓷先驱体溶液中，烘干，得到二次浸泡的碳纤维，然后加热处理，得到所述表面具有多尺度SiC-SiOC陶瓷涂层的碳纤维。本发明提供的在碳纤维表面制备多尺度SiC-SiOC陶瓷涂层具有效率高、周期短等优点，能够应用于碳纤维增强陶瓷基复合材料界面改性等方面。
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公开(公告)号：CN109824364A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910234516.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种SiAlZrOC陶瓷的合成方法，涉及先驱体转化法制备陶瓷技术领域。本发明的目的是为了解决现有方法制备SiOC陶瓷耐温性不足的难题。所述合成方法包括：将甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、Al源、Zr源、乙醇及去离子水混合均匀后置于烘箱，得到干凝胶，然后在氮气或氩气保护气氛下升温至700～1500℃，并保温1h～3h，然后自然冷却至室温，得到SiAlZrOC陶瓷。本发明提供的方法制备的产品具有优异的耐温性能、抗氧化及热稳定性能，能够应用于隔热、储能等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112979316A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110378248.1
申请日：2021-04-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种SiAlOC陶瓷及其合成方法，涉及先驱体转化法制备陶瓷技术领域。该方法包括：将甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、Al源、乙醇及水混匀，得到混合液；将混合液升温进行烘干处理，冷却至室温，得到干凝胶；在保护气氛下将干凝胶升温进行煅烧处理，冷却至室温，得到所述SiAlOC陶瓷。本发明能解决SiOC陶瓷在高温环境下容易发生碳热还原引起的高温稳定性不足的问题。本发明提供的方法制备的产品具有优异的耐温性能、抗氧化及热稳定性能，能够应用于隔热、储能等领域。
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公开(公告)号：CN105439516A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510956405.7
申请日：2015-12-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B28/04 , C04B111/50
CPC classification number: C04B28/04 , C04B2111/343 , C04B2111/50 , C04B14/042 , C04B18/08 , C04B24/2611 , C04B24/386 , C04B14/06
Abstract: 本发明公开了一种高柔性混凝土墙板专用胶粘剂，主要由水和胶粘剂干粉以重量比例0.13:1～0.15:1组成，所述胶粘剂干粉组成及重量百分比如下：水泥15～25％、滑石粉5～15％、粉煤灰5～15％、可分散性乳胶粉5～10％、纤维素醚0.05～0.5％、砂50～60％。本发明提供的高柔性混凝土墙板专用胶粘剂可应用于预制轻质混凝土墙板的粘结，且具有较高的柔韧性和良好的抗裂性能。
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公开(公告)号：CN119277823A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411183902.3
申请日：2024-08-27
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种GaAs/WSe2异质结太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括背面电极、GaAs衬底、WSe2空穴传输层和正面电极。本发明利用直流磁控溅射和CVD两步法生长了WSe2薄膜，再通过二维材料湿法转移技术，将生长WSe2薄膜转移到处理过的带背面电极的GaAs衬底上，最后制备正面电极，制备出GaAs/WSe2异质结太阳能电池。TMDs材料与GaAs的异质结是光电子器件中一种极具发展前景的结构。本发明采用WSe2作为TMDs/GaAs异质结的一端，其能够与GaAs匹配为优异的Ⅱ型能带结构，其HOMO能级与GaAs接近，LUMO能级高于GaAs，能够有效进行载流子的选择接触。该方法制备出的WSe2薄膜具有大尺寸，异质结太阳能电池成本低、效率高。
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公开(公告)号：CN110042653B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910309178.7
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: D06M11/77 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种表面具有多尺度SiC‑SiOC陶瓷涂层的碳纤维及其制备方法。本发明的目的是为解决现有碳纤维增强SiOC陶瓷界面结合不足的难题。所述方法包括如下步骤：将过渡金属化合物加入水中，混合均匀，得到混合溶液；将碳纤维浸泡在步骤（1）所述混合溶液中，烘干得到烘干后的碳纤维；将述烘干后的碳纤维浸泡在SiOC陶瓷先驱体溶液中，烘干，得到二次浸泡的碳纤维，然后加热处理，得到所述表面具有多尺度SiC‑SiOC陶瓷涂层的碳纤维。本发明提供的在碳纤维表面制备多尺度SiC‑SiOC陶瓷涂层具有效率高、周期短等优点，能够应用于碳纤维增强陶瓷基复合材料界面改性等方面。
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公开(公告)号：CN119486348A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411656290.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10F77/14 , H10F10/163 , H10F71/00 , H10F77/30 , H10F19/30
Abstract: 本申请提出一种基于多功能N‑GQD复合薄膜的GaAs异质结太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括GaAs衬底，所述GaAs衬底上依次设有N‑GQDs界面钝化层、掺杂N‑GQDs空穴传输层；通过低成本原料水热合成N‑GQD，然后通过简单旋涂制备成异质结电池的界面钝化层，采用抽滤的方法制备空穴传输层薄膜薄膜，转移至GaAs衬底上，最后在其表面旋涂一层N‑GQDs制备成太阳能电池，能够有效的拓宽GaAs太阳能电池光谱响应范围，降低界面载流子复合，提升效率。
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