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公开(公告)号：CN115367698A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210617314.0
申请日：2022-06-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种新型InP纳米线阵列及其制备方法。本发明用压印模具在InP基板的纳米压印胶层进行压印，得到具有光栅线和掩模版图案的纳米压印胶掩模版InP基板，再用紫外光照射使所述掩模版图案覆盖的区域固化，并清洗干净，然后蒸镀无机薄膜，再用显影液进行清洗，保留了所需图案化的无机薄膜掩模版，再进行刻蚀，制备纳米线阵列结构，再将所述纳米线阵列结构顶部的无机薄膜去除，即得到新型InP纳米线阵列。本发明得到的纳米线阵列排列更加均匀有序，通过调整纳米线阵列的排列，可以实现对不同波长光的光工程管理，从而大幅度提高使用特定波长的光能器件的性能。
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公开(公告)号：CN115172483B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210662907.9
申请日：2022-06-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0735 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Fe2+/3+氧化还原离子对修饰GaAs异质结太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括从下而上依次设置的背面电极、砷化镓衬底和碳纳米管/氧化钼复合层；还包括正面电极和PVA+H++Fe2+/3+凝胶；所述正面电极设置在所述碳纳米管/氧化钼复合层上表面两侧；所述PVA+H++Fe2+/3+凝胶部分面积与正面电极接触，部分面积与碳纳米管/氧化钼复合层接触。本发明的制备方法流程简便，可实现大规模推广应用。同时器件结构设计新颖，在氧化钼作为p掺制备复合载流子传输层的基础上，使用PVA+H++Fe2+/3+凝胶进行酸/氧化还原掺杂，实现器件转换效率及稳定性的大幅提升。
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公开(公告)号：CN117238999A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311245922.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/0336 , H01L31/0216 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种GaAs异质结太阳电池及其制备方法。本发明的GaAs异质结太阳电池的组成包括依次层叠设置的背电极层、GaAs衬底、第一碘化亚铜层、碳纳米管层、第二碘化亚铜层和顶电极层。本发明的GaAs异质结太阳电池的制备方法包括以下步骤：1)制备背电极层；2)制备第一碘化亚铜层；3)制备碳纳米管层；4)制备第二碘化亚铜层；5)制备顶电极层。本发明的GaAs异质结太阳电池具有光电转换效率高、稳定性好等优点，且其制备工艺简单、成本低廉，适合进行大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN116904194A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310877828.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/70 , C09K11/74 , C09K11/62 , C01B25/08 , C01G28/00 , C01B21/06 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L31/0352 , H01L31/04
Abstract: 本申请提出一种β－cyc辅助合成In－V族量子点及其合成方法和应用。β－cyc辅助合成In－V族量子点的方法，包括：配置In源与V族元素源的含β－cyc的前驱体溶液，进行水热反应；用有机溶剂萃取水热反应后的原液；除去原液中的β－cyc，水洗之后再萃取；加热浓缩，获得高浓度的In－V族量子点溶液。β－cyc辅助合成In－V族量子点，该β－cyc辅助合成In－V族量子采用β－cyc辅助合成In－V族量子点的方法制备而成。β－cyc辅助合成In－V族量子点的应用，该应用为将β－cyc辅助合成In－V族量子点应用在光伏领域，所述光伏领域包括太阳能电池、光电化学制氢和光电探测器。本申请的合成方法，相比传统合成方法，所用原料绿色、环保，工艺简单、安全，采用的装置简便，合成高效、经济、成本低廉。
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公开(公告)号：CN119230641A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411183903.8
申请日：2024-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/66 , C30B33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于太阳能电池材料技术领域，为增强太阳光谱利用率，提高太阳电池光电转换效率，公开了一种具有蛾眼微纳结构抗反射层的GaAs太阳能电池及其制备方法。本发明利用MBE自催化生长的方式在具有SiO2层的Si衬底上生长出具有纳米柱结构的薄膜，通过在其表面旋涂PMMA，通过二维材料湿法转移技术将纳米柱结构转移至GaAs和碳纳米管异质结太阳能电池上，制备出具有蛾眼微纳结构抗反射层的太阳能电池。本发明与使用纳米压印技术和光刻技术相比，其操作更便捷，更环保，不需要使用一些有害气体以及危害化学药品进行微纳结构的刻蚀。采用该方法制备的具有蛾眼仿生微纳结构抗反射层的GaAs异质结太阳电池其抗反射层使用的材料不受限制，可以显著提高太阳光利用率，从而显著提升器件光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118301949A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410438380.0
申请日：2024-04-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓太阳电池及其制备方法和应用。本发明的砷化镓太阳电池的组成包括依次层叠设置的第一电极层、GaAs衬底、PEDOT:PSS层或碳纳米管层、磷化铟量子点层、绝缘层和第二电极层，绝缘层和第二电极层均设置有窗口，且绝缘层上的窗口与第二电极层上的窗口至少部分重合。本发明的砷化镓太阳电池具有光电转换效率高、光谱利用范围广、光电流密度高等优点，且其制备工艺简单、生产成本低，适合进行大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN116916722B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311086506.4
申请日：2023-08-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请提出一种GaAs表面微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池。一种GaAs表面微纳结构的制备方法，包括：对GaAs衬底进行清洗，然后在洁净的GaAs衬底表面旋涂一层耐稀酸的纳米微球；将带有纳米微球的GaAs衬底进行退火，使纳米微球和GaAs衬底之间形成键合；将键合后的GaAs衬底加热，同时在表面滴涂酸液，进行刻蚀；在刻蚀结束后，洗去GaAs衬底表面的酸液和纳米微球，即得到带有表面微纳结构的GaAs衬底。一种GaAs表面微纳结构，由GaAs表面微纳结构的制备方法制备而成。一种GaAs表面微纳结构异质结太阳电池，由GaAs表面微纳结构制备而成。
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公开(公告)号：CN117238989B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311190026.2
申请日：2023-09-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本申请提出一种CNT＠MoS2异质结太阳电池及其制备方法。CNT＠MoS2异质结太阳电池，包括背面电极、GaAs衬底、CNT＠MoS2复合空穴传输层和正面电极，所述背面电极制备在所述GaAs衬底的一表面，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层设置在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面，所述正面电极设置在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层上方并覆盖CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面；其中，所述CNT＠MoS2复合空穴传输层为CNT与三层MoS2的复合空穴传输层。CNT＠MoS2异质结太阳电池的制备方法，包括：在GaAs衬底的一表面制备背面电极；在所述GaAs衬底上与所述背面电极相背的另一表面设置CNT＠MoS2复合空穴传输层；在所述CNT＠MoS2复合空穴传输层表面通过电子束蒸发镀膜进行正面电极的制备，所述正面电极覆盖所述CNT＠MoS2复合空穴传输层部分表面。
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公开(公告)号：CN116916722A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311086506.4
申请日：2023-08-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本申请提出一种GaAs表面微纳结构及其制备方法和异质结太阳电池。一种GaAs表面微纳结构的制备方法，包括：对GaAs衬底进行清洗，然后在洁净的GaAs衬底表面旋涂一层耐稀酸的纳米微球；将带有纳米微球的GaAs衬底进行退火，使纳米微球和GaAs衬底之间形成键合；将键合后的GaAs衬底加热，同时在表面滴涂酸液，进行刻蚀；在刻蚀结束后，洗去GaAs衬底表面的酸液和纳米微球，即得到带有表面微纳结构的GaAs衬底。一种GaAs表面微纳结构，由GaAs表面微纳结构的制备方法制备而成。一种GaAs表面微纳结构异质结太阳电池，由GaAs表面微纳结构制备而成。
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公开(公告)号：CN115172483A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210662907.9
申请日：2022-06-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0735 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Fe2+/3+氧化还原离子对修饰GaAs异质结太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括从下而上依次设置的背面电极、砷化镓衬底和碳纳米管/氧化钼复合层；还包括正面电极和PVA+H++Fe2+/3+凝胶；所述正面电极设置在所述碳纳米管/氧化钼复合层上表面两侧；所述PVA+H++Fe2+/3+凝胶部分面积与正面电极接触，部分面积与碳纳米管/氧化钼复合层接触。本发明的制备方法流程简便，可实现大规模推广应用。同时器件结构设计新颖，在氧化钼作为p掺制备复合载流子传输层的基础上，使用PVA+H++Fe2+/3+凝胶进行酸/氧化还原掺杂，实现器件转换效率及稳定性的大幅提升。
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