公开(公告)号：CN119546152A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411695646.6

申请日：2024-11-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  郭超英 ,  邓曦 ,  蔡宇凡

IPC: H10K71/16 ,  H10K71/60 ,  H10K30/10 ,  H10K39/15 ,  H10K30/85

Abstract: 本发明公开了一种带电子传输层的GaAs/PEDOT:PSS@CNT异质结太阳电池及其制备方法。该电池的结构从下往上依次是背电极、电子传输层、GaAs衬底、PEDOT@CNT层、顶电极。制备方法为，采用电子束蒸发法在GaAs衬底背面蒸镀ZnO电子传输层，接着在蒸镀的ZnO上蒸镀一层Au作为背电极；在GaAs衬底表面制备PEDOT:PSS@CNT薄膜，接着在PEDOT:PSS@CNT薄膜上蒸镀Ag,Cr,Ti,Ni,Au中的一种或几种复合电极。本发明太阳电池制备方法不仅工艺简单，成本低廉，而且还利用ZnO的能带结构特征作为电子传输层以及PEDOT@CNT作为复合空穴传输层提升器件性能，有利于推动GaAs基太阳电池的市场化发展。

公开(公告)号：CN119421599A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411540713.7

申请日：2024-10-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  王宣 ,  刘勇 ,  蔡宇凡

IPC: H10K39/18 ,  H10K39/15 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/60 ,  H10F10/163 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14

Abstract: 本发明属于串联电池的技术领域，公开了一种碳材料作为空穴传输和导电多功能中间复合层的全无机GaAs/钙钛矿串联叠层电池及其制备。所述电池从下到上依次包括背面电极、GaAs衬底层、碳材料层、无机钙钛矿顶电池层、正面ARC、正面电极；其中碳材料是作为GaAs底电池的空穴传输和底电池与顶电池的中间互联导电的复合功能层。本发明还公开了电池的制备方法。本发明拓宽了GaAs单结电池的效率理论极限，GaAs底电池采用的是异质结电池，与同质结电池相比降低了成本，其中用碳材料作为复合多功能层减少了传统串联电池须使用的中间导电层，能够有效降低成本和优化电池结构，并且全无机GaAs/钙钛矿电池能够显著提高稳定性。