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公开(公告)号：CN119619780A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411879145.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三端电阻监测的SiC MOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置。通过施加步进浪涌电流并结合三端电阻的在线监测，快速评估器件在极端应力下的性能变化，从而判断其最大单次浪涌电流承受能力及失效模式。具体步骤包括对待测SiC MOSFET施加适当的栅极偏压，并设定浪涌电流产生电路的参数。在施加步进单次浪涌电流后，测量并记录栅源、漏源和栅漏端的三端静态电阻值。通过监测电阻值的变化，确定最大单次浪涌电流大小并判断器件的失效模式，明确开路、短路、漏电和烧毁等模式。该方法不仅操作简便，成本低廉，且能在不使用高精度仪器的情况下，快速提供SiC MOSFET的可靠性信息。
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