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公开(公告)号：CN117843499A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311677884.X
申请日：2023-12-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: C07C211/52 , C08G73/10 , H01L31/048 , H01L31/0203 , H01L31/08 , H01L33/56 , C07C209/36 , C07C217/84 , C07C213/02
Abstract: 本发明属于光学膜领域，具体涉及一类不对称结构二胺、高性能聚酰亚胺及其制备方法和应用。本发明通过调节二胺单体上二号位的取代基，设计四种不同的不对称结构二胺引入到聚酰亚胺中，调整聚酰亚胺链的电荷转移效应和分子间距，得到兼具耐热性能和高透过率的无色聚酰亚胺薄膜。所述不对称结构二胺单体的结构式如式(1)所示，其中R为氢基、氟基、甲基或甲氧基。本发明提供的聚酰亚胺在柔性器件领域有潜在的应用价值。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111925506A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010663310.7
申请日：2020-07-10
Abstract: 本发明属于有机电存储材料的技术领域，公开了三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备。所述低带隙三元共聚物具有以下结构，其中，R为烷氧基；R1为烷基；m为20至300的整数；n为20至300的整数。电存储器件包括有机层，有机层为所述低带隙三元共聚物；还包括衬底，阴极和阳极。本发明还公开了低带隙三元共聚物和电存储器件的制备方法。本发明的三元共聚物具有低能带隙，较强空穴传输，能够提高电存储器件的性能。制备的电存储器件开启电压低，能耗小，能够延长器件寿命，开关电流比高，大大提高了存储密度，可进行多次循环读写，性能优良。
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公开(公告)号：CN118878339A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410884662.3
申请日：2024-07-03
IPC: C04B35/80 , C04B35/624 , C04B35/515 , C04B38/06 , D01F9/10
Abstract: 本发明公开了一种ZrO2/SiZrBOC陶瓷基多孔复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备SiZrBOC先驱体陶瓷凝胶；(2)采用静电纺丝法制备ZrO2纤维；(3)将ZrO2纤维和SiZrBOC先驱体陶瓷凝胶混合均匀，将聚氨酯泡沫置于其中，移入真空消泡桶中，进行消泡处理；(4)将消泡处理后的聚氨酯泡沫取出，放入烘箱中进行干燥，然后于1000～1400℃保温时间1～2小时进行高温热解，得到ZrO2/SiZrBOC陶瓷基多孔复合材料。本发明的制备方法，工艺简单，制备成本低；制备得到的复合材料隔热性能、力学强度优异和抗氧化性优异。
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公开(公告)号：CN111944125A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010663322.X
申请日：2020-07-10
Abstract: 本发明属于有机电存储材料的技术领域，公开了含烷氧基的三苯胺供体基团的三元共聚物、电存储器件及其制备。所述三元共聚物具有以下结构，其中，R为烷氧基；R1为烷基；m为20至300的整数；n为20至300的整数。电存储器件包括有机层，有机层为所述三元共聚物；还包括衬底，阴极和阳极。本发明还公开了三元共聚物和电存储器件的制备方法。本发明的三元共聚物具有较强的共轭度和空穴传输能力，降低开启电压，提高开关电流比，提高存储密度，并且该共聚物易于成膜。制备的电存储器件开启电压低，能耗小，开关电流比高，分辨率高，误读率低，能够快速响应，可进行多次循环读写，性能优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111040136A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911307345.0
申请日：2019-12-18
Abstract: 本发明属于电致变色材料领域，公开了一种含EDOT单元的聚合物及制备和作为电致变色材料的应用。所述含EDOT单元的聚合物具有如下式(I)所示的结构。其制备方法为：将EDOT、四丁基溴化铵和碱溶于有机溶剂中，室温搅拌混合均匀，然后加入2,6-二溴-9,10-二联苯蒽和乙酸钯，氮气保护及130-140℃温度下搅拌反应22-24h，反应产物经分离纯化，得到含EDOT单元的聚合物。本发明将EDOT与大共轭芳香化合物一起引入聚合物结构中，使得聚合物的电致变色性能得到改善。
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公开(公告)号：CN111925506B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010663310.7
申请日：2020-07-10
Abstract: 本发明属于有机电存储材料的技术领域，公开了三苯胺‑芴‑苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备。所述低带隙三元共聚物具有以下结构，其中，R为烷氧基；R1为烷基；m为20至300的整数；n为20至300的整数。电存储器件包括有机层，有机层为所述低带隙三元共聚物；还包括衬底，阴极和阳极。本发明还公开了低带隙三元共聚物和电存储器件的制备方法。本发明的三元共聚物具有低能带隙，较强空穴传输，能够提高电存储器件的性能。制备的电存储器件开启电压低，能耗小，能够延长器件寿命，开关电流比高，大大提高了存储密度，可进行多次循环读写，性能优良。
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公开(公告)号：CN111233740B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202010234298.8
申请日：2020-03-30
IPC: C07D209/14 , C09K9/02
Abstract: 本发明属于电致变色材料领域，公开了一种含吲哚三苯胺单元的电致变色材料及制备与应用。所述含吲哚三苯胺单元的电致变色材料具有式(I)所示的结构。其制备方法为：将2,3,3‑三甲基‑3H‑吲哚溶于有机溶剂中，然后加入碱搅拌混合均匀，再加入4,4'‑(苯基氮杂二基)二苯甲醛搅拌反应，反应产物经分离纯化，得到含吲哚三苯胺单元的共轭化合物。本发明将吲哚三苯胺单元与芳香化合物一起引入共轭化合物结构中，使其电致变色性能得到改善。
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公开(公告)号：CN111944125B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010663322.X
申请日：2020-07-10
Abstract: 本发明属于有机电存储材料的技术领域，公开了含烷氧基的三苯胺供体基团的三元共聚物、电存储器件及其制备。所述三元共聚物具有以下结构，其中，R为烷氧基；R1为烷基；m为20至300的整数；n为20至300的整数。电存储器件包括有机层，有机层为所述三元共聚物；还包括衬底，阴极和阳极。本发明还公开了三元共聚物和电存储器件的制备方法。本发明的三元共聚物具有较强的共轭度和空穴传输能力，降低开启电压，提高开关电流比，提高存储密度，并且该共聚物易于成膜。制备的电存储器件开启电压低，能耗小，开关电流比高，分辨率高，误读率低，能够快速响应，可进行多次循环读写，性能优良。
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公开(公告)号：CN111233740A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010234298.8
申请日：2020-03-30
IPC: C07D209/14 , C09K9/02
Abstract: 本发明属于电致变色材料领域，公开了一种含吲哚三苯胺单元的电致变色材料及制备与应用。所述含吲哚三苯胺单元的电致变色材料具有式(I)所示的结构。其制备方法为：将2,3,3-三甲基-3H-吲哚溶于有机溶剂中，然后加入碱搅拌混合均匀，再加入4,4'-(苯基氮杂二基)二苯甲醛搅拌反应，反应产物经分离纯化，得到含吲哚三苯胺单元的共轭化合物。本发明将吲哚三苯胺单元与芳香化合物一起引入共轭化合物结构中，使其电致变色性能得到改善。
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