公开(公告)号：CN100392779C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410052106.2

申请日：2004-11-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 庄志强 ,  刘勇 ,  刘波

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种直接利用水热合成纳米晶BT/BZT粉体制成陶瓷电容器介质材料及其制备方法。该材料包括主晶相锆钛酸钡Ba(Ti1-xZrx)O3和改性成分金属，主晶相粉体晶粒尺寸为25～40nm，主晶相摩尔数为96～98.5%；改性成分金属元素含有Li、Ca、Mg、Sr、Sc、Nb、Ta、Mn、Co、Ni、Zn、Si、Sb、Y、Bi和镧系元素中的至少四种。制备方法包括主晶相粉体分散成料浆、改性成分对主晶相粉体的表面淀积包覆；洗涤、液固分离等步骤。所得介质材料晶粒尺寸小，介质膜介电系数高，制备方法工艺简单，耗能小。

公开(公告)号：CN1604246A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410052106.2

申请日：2004-11-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 庄志强 ,  刘勇 ,  刘波

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种直接利用水热合成纳米晶BT/BZT粉体制成陶瓷电容器介质材料及其制备方法。该材料包括主晶相锆钛酸钡Ba(Ti1－xZrx)O3和改性成分金属，主晶相粉体晶粒尺寸为25～40nm，主晶相摩尔数为96～98.5％；改性成分金属元素含有Li、Ca、Mg、Sr、Sc、Nb、Ta、Mn、Co、Ni、Zn、Si、Sb、Y、Bi和镧系元素中的至少四种。制备方法包括主晶相粉体分散成料浆、改性成分对主晶相粉体的表面淀积包覆；洗涤、液固分离等步骤。所得介质材料晶粒尺寸小，介质膜介电系数高，制备方法工艺简单，耗能小。

公开(公告)号：CN100354996C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410052105.8

申请日：2004-11-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 庄志强 ,  刘勇 ,  王悦辉 ,  王歆

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/622 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种低频细晶电容器介质材料配方粉体的制备方法，以及进一步制备成介质陶瓷的方法。该陶瓷电容器介质材料配方粉体的制备方法，以水热钛酸钡或者锆钛酸钡纳米晶粉体为主晶相成分，以金属离子鳌合物为前驱物的改性成分，经过分散主晶相粉体、制备前驱溶液、制备复合螯合溶液、制备配方粉体、成型胚膜、干燥、排胶和烧结，得陶瓷介质层膜。本发明的方法尤其适应于应用丝网印刷成膜技术制造超细晶粒、超薄介质层的MLCCs和大电容量片式陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1604245A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410052105.8

申请日：2004-11-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 庄志强 ,  刘勇 ,  王悦辉 ,  王歆

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/622 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了一种低频细晶电容器介质材料配方粉体的制备方法，以及进一步制备成介质陶瓷的方法。该陶瓷电容器介质材料配方粉体的制备方法，以水热钛酸钡或者锆钛酸钡纳米晶粉体为主晶相成分，以金属离子鳌合物为前驱物的改性成分，经过分散主晶相粉体、制备前驱溶液、制备复合螯合溶液、制备配方粉体、成型胚膜、干燥、排胶和烧结，得陶瓷介质层膜。本发明的方法尤其适应于应用丝网印刷成膜技术制造超细晶粒、超薄介质层的MLCCs和大电容量片式陶瓷电容器。