公开(公告)号：CN115802780B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202211470844.3

申请日：2022-11-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 马东阁 ,  林城伟 ,  代岩峰 ,  肖曙 ,  屈芬兰 ,  孙倩 ,  韩鹏博 ,  秦安军 ,  唐本忠

IPC: H10K50/12 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明公开了一种AIE蓝光荧光有机发光二极管的发光层，由两层“热激子”AIE材料和TTA敏化剂材料混合层夹着一层TTA上转换层构成；所述“热激子”AIE材料和TTA敏化剂材料混合层由“iTPB‑2AC和DMPPP共混组成；所述TTA上转换层的材料为CzPA。本发明还公开了基于上述发光层的AIE蓝光荧光有机发光二极管。本发明提高了Dexter传递的效率，使得原本在“热激子”AIE材料T1态堆积的三线态激子能够有效地传递到TTA材料上，最终通过TTA上转换过程形成的单线态激子能量通过#imgabs0#能量传递给“热激子”AIE材料，并辐射发光，有效减少发光层中激子的淬灭，提高器件的效率和稳定性。

公开(公告)号：CN117135993A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310953797.6

申请日：2023-07-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 马东阁 ,  屈芬兰 ,  乔现锋 ,  杨德志 ,  代岩峰 ,  孙倩

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10N50/80 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明公开了一种自旋相关的有机磁电阻器件，依次包括透明基底、阳极、空穴注入层、p/n/p型平面异质结层和阴极；所述p/n/p型平面异质结层依次包括第一有机p型半导体层、有机n型半导体层和第二有机p型半导体层；所述第一有机p型半导体层的材料为4,4',4'‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺；所述有机n型半导体层的材料为8‑羟基喹啉铝；所述第二有机p型半导体层的材料为4,4',4'‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺。本发明器件结构简单，在室温及小的外磁场作用下，平面异质结层中的电荷转移态可形成明显正的磁致电阻，OMR幅值在室温下达到27.88％。

公开(公告)号：CN115802780A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211470844.3

申请日：2022-11-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 马东阁 ,  林城伟 ,  代岩峰 ,  肖曙 ,  屈芬兰 ,  孙倩 ,  韩鹏博 ,  秦安军 ,  唐本忠

IPC: H10K50/12 ,  H10K50/11

Abstract: 本发明公开了一种AIE蓝光荧光有机发光二极管的发光层，由两层“热激子”AIE材料和TTA敏化剂材料混合层夹着一层TTA上转换层构成；所述“热激子”AIE材料和TTA敏化剂材料混合层由“iTPB‑2AC和DMPPP共混组成；所述TTA上转换层的材料为CzPA。本发明还公开了基于上述发光层的AIE蓝光荧光有机发光二极管。本发明提高了Dexter传递的效率，使得原本在“热激子”AIE材料T1态堆积的三线态激子能够有效地传递到TTA材料上，最终通过TTA上转换过程形成的单线态激子能量通过能量传递给“热激子”AIE材料，并辐射发光，有效减少发光层中激子的淬灭，提高器件的效率和稳定性。