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公开(公告)号：CN116634821A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310289092.9
申请日：2023-03-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备异质结型钙钛矿光电探测器的方法，包括以下步骤：制备电子传输层；将碘化铅和氯化铅溶于二甲基甲酰胺，N‑甲基甲酰胺和N‑甲基吡咯烷酮的混合溶液中，得到前驱体溶液；在空气气氛中，将前驱体溶液旋涂到电子传输层上，待均匀铺展后立即浸入到反溶剂中，结晶完成后得PbI2‑PbCl2薄膜；将甲基碘化胺溶液旋涂到PbI2‑PbCl2薄膜上，真空退火后得钙钛矿薄膜；将长链配体溶液旋涂到所述三维钙钛矿薄膜上，真空退火，得钙钛矿异质结薄膜；在钙钛矿异质结薄膜上依次制备空穴传输层、空穴阻挡层和阳极，得到异质结型钙钛矿光电探测器。本发明的方法，制备得到的光电探测器外量子效率和探测率高，并且制备简便。
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公开(公告)号：CN112382729B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202011153275.0
申请日：2020-10-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种含有TTA过程的杂化局域电荷转移材料为主体的蓝光荧光有机发光二极管及其制备方法，所述的蓝光荧光有机发光二极管的发光层由HLCT主体材料和蓝光荧光客体材料掺杂构成，主体材料为PAC，蓝光荧光客体材料为BD。本发明的以含有TTA过程的HLCT材料为主体的蓝光荧光OLEDs，很好地实现了主客体之间的和Dexter能量传递，使俘获在BD上的激子能够通过Dexter能量传递给含有TTA过程的HLCT主体的最低三线态激发态进行TTA从而能够有效利用，最终制备出了高效率、低效率滚降和稳定性好的蓝光荧光OLEDs，为制备高性能蓝光荧光OLEDs提供了一种新的途径。
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公开(公告)号：CN111081890A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911291739.1
申请日：2019-12-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于有机发光二极管技术领域，公开了一种磷光敏化荧光白光有机发光二极管及其制备方法。所述OLEDs结构依次包括衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述发光层由蓝光发光层和黄光发光层组合而成，蓝光发光层由蓝光磷光敏化剂和蓝光荧光客体掺杂在主体材料中构成，黄光发光层由黄光磷光敏化剂和黄光荧光客体掺杂在主体材料中构成。本发明的白光OLEDs采用了蓝光和黄光双发光层结构，和不同的磷光敏化剂和荧光发光材料掺杂在主体中，实现了宽光谱覆盖和光谱稳定的高效率全荧光白光OLEDs，为制备高效率的白光OLEDs提供一种新的途径。
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公开(公告)号：CN115802780B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202211470844.3
申请日：2022-11-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种AIE蓝光荧光有机发光二极管的发光层，由两层“热激子”AIE材料和TTA敏化剂材料混合层夹着一层TTA上转换层构成；所述“热激子”AIE材料和TTA敏化剂材料混合层由“iTPB‑2AC和DMPPP共混组成；所述TTA上转换层的材料为CzPA。本发明还公开了基于上述发光层的AIE蓝光荧光有机发光二极管。本发明提高了Dexter传递的效率，使得原本在“热激子”AIE材料T1态堆积的三线态激子能够有效地传递到TTA材料上，最终通过TTA上转换过程形成的单线态激子能量通过#imgabs0#能量传递给“热激子”AIE材料，并辐射发光，有效减少发光层中激子的淬灭，提高器件的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN117135993A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310953797.6
申请日：2023-07-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种自旋相关的有机磁电阻器件，依次包括透明基底、阳极、空穴注入层、p/n/p型平面异质结层和阴极；所述p/n/p型平面异质结层依次包括第一有机p型半导体层、有机n型半导体层和第二有机p型半导体层；所述第一有机p型半导体层的材料为4,4',4'‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺；所述有机n型半导体层的材料为8‑羟基喹啉铝；所述第二有机p型半导体层的材料为4,4',4'‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺。本发明器件结构简单，在室温及小的外磁场作用下，平面异质结层中的电荷转移态可形成明显正的磁致电阻，OMR幅值在室温下达到27.88％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111925506B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010663310.7
申请日：2020-07-10
Abstract: 本发明属于有机电存储材料的技术领域，公开了三苯胺‑芴‑苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备。所述低带隙三元共聚物具有以下结构，其中，R为烷氧基；R1为烷基；m为20至300的整数；n为20至300的整数。电存储器件包括有机层，有机层为所述低带隙三元共聚物；还包括衬底，阴极和阳极。本发明还公开了低带隙三元共聚物和电存储器件的制备方法。本发明的三元共聚物具有低能带隙，较强空穴传输，能够提高电存储器件的性能。制备的电存储器件开启电压低，能耗小，能够延长器件寿命，开关电流比高，大大提高了存储密度，可进行多次循环读写，性能优良。
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公开(公告)号：CN110335951B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910535208.6
申请日：2019-06-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明属于有机发光二极管领域，公开了一种磷光敏化荧光有机发光二极管。所述磷光敏化荧光有机发光二极管包括依次层叠的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述发光层由磷光敏化剂和荧光客体掺杂的主体发光材料构成。本发明所涉及的器件采用磷光材料和荧光材料相结合共同掺杂在主体中的方法，实现了100％激子利用率，使制备的OLEDs具有高效率和低滚降的特点。
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公开(公告)号：CN111916570A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010581546.6
申请日：2020-06-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种热活化延迟荧光敏化荧光的有机发光二极管及其制备方法，所述荧光有机发光二极管的发光层由主体材料、TADF敏化剂和荧光客体材料构成；主体材料由mCBP和PO-T2T按照重量比1:1共混组成；TADF敏化剂为Pr-1；荧光客体材料为DCJTB。本发明的TADF敏化的荧光OLEDs，采用了高能级的exciplex作为主体，TADF材料作为敏化剂，不仅exciplex主体具有分子间的RISC过程和TADF敏化剂具有分子内的RISC过程，而且TADF敏化剂和exciplex主体中的电子受体材料也能形成低能级exciplex，最终获得的荧光OLEDs具有高效率、低效率滚降和稳定性好的特点。
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公开(公告)号：CN111416047A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010234296.9
申请日：2020-03-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于有机光电器件技术领域，公开了一种荧光/磷光混合型白光有机发光二极管及其制备方法。所述荧光/磷光混合型白光有机发光二极管的发光层包括黄光磷光发光层和蓝光荧光发光层；所述蓝光荧光发光层包含由空穴传输型蓝光荧光材料和电子传输型蓝光荧光材料组成的异质结双层，以及一层具有三线态-三线态湮灭上转换发光特性的蓝光材料层。本发明通过引入一层具有TTA特性的蓝光发光薄层，使器件在高亮度下异质结蓝光层中的三线态激子可以通过能量传递给TTA主体材料而得到有效利用。该器件结构巧妙地利用了三线态激子使器件在高亮度下的三线态激子淬灭得到抑制，减少了激子能量损耗，改善了效率滚降，最终优化了器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN109616578B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811301556.9
申请日：2018-11-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于有机发光二极管领域，公开了一种荧光/磷光混合型白光有机发光二极管及其制备方法。所述荧光/磷光混合型白光有机发光二极管的发光层由非掺杂AIE蓝光发光层和橙光磷光客体掺杂蓝光AIE主体的橙光发光层构成，或由非掺杂AIE蓝光发光层、绿光磷光客体掺杂蓝光AIE主体的绿光发光层、橙光磷光客体掺杂蓝光AIE主体的橙光发光层和红光磷光客体掺杂蓝光AIE主体的红光发光层构成。本发明采用非掺杂AIE材料作为蓝光发光层，同时长波长磷光客体发光也采用了这种AIE材料作为主体，解决了现有荧光/磷光混合型白光OLED器件效率低、滚降大、显色指数低、光谱稳定性差、结构复杂等问题。
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