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公开(公告)号：CN117135993A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310953797.6
申请日：2023-07-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种自旋相关的有机磁电阻器件，依次包括透明基底、阳极、空穴注入层、p/n/p型平面异质结层和阴极；所述p/n/p型平面异质结层依次包括第一有机p型半导体层、有机n型半导体层和第二有机p型半导体层；所述第一有机p型半导体层的材料为4,4',4'‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺；所述有机n型半导体层的材料为8‑羟基喹啉铝；所述第二有机p型半导体层的材料为4,4',4'‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺。本发明器件结构简单，在室温及小的外磁场作用下，平面异质结层中的电荷转移态可形成明显正的磁致电阻，OMR幅值在室温下达到27.88％。
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公开(公告)号：CN110335951B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910535208.6
申请日：2019-06-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明属于有机发光二极管领域，公开了一种磷光敏化荧光有机发光二极管。所述磷光敏化荧光有机发光二极管包括依次层叠的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述发光层由磷光敏化剂和荧光客体掺杂的主体发光材料构成。本发明所涉及的器件采用磷光材料和荧光材料相结合共同掺杂在主体中的方法，实现了100％激子利用率，使制备的OLEDs具有高效率和低滚降的特点。
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公开(公告)号：CN111916570A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010581546.6
申请日：2020-06-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种热活化延迟荧光敏化荧光的有机发光二极管及其制备方法，所述荧光有机发光二极管的发光层由主体材料、TADF敏化剂和荧光客体材料构成；主体材料由mCBP和PO-T2T按照重量比1:1共混组成；TADF敏化剂为Pr-1；荧光客体材料为DCJTB。本发明的TADF敏化的荧光OLEDs，采用了高能级的exciplex作为主体，TADF材料作为敏化剂，不仅exciplex主体具有分子间的RISC过程和TADF敏化剂具有分子内的RISC过程，而且TADF敏化剂和exciplex主体中的电子受体材料也能形成低能级exciplex，最终获得的荧光OLEDs具有高效率、低效率滚降和稳定性好的特点。
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公开(公告)号：CN116400185A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310292585.8
申请日：2023-03-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开的一种有机发光二极管磁电致发光效应测试系统及测试方法，包括：箱体、置于箱体内的有机发光二极管，箱体两侧设有电磁铁，所述有机发光二极管通过导光组件与单色仪连接；所述单色仪对波长的出射光进行绝对亮度的分析，同时将光信号转换为电信号，并将电信号传入磁场效应分析仪，实时显示有机发光二极管出射光的强度；所述系统还包括瞬态电致发光探测仪、脉冲电压发生仪，所述导光组件、瞬态电致发光探测仪、脉冲电压发生仪依次连接，其中瞬态电致发光探测仪通过导光组件与箱体连接。本发明可对有机发光二极管的瞬时及延迟发光磁场效应做出全面的测试，进一步对有机发光二极管的发光机制得到更加全面的推论。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111423340B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010234153.8
申请日：2020-03-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: C07C255/50 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明属于发光材料领域，公开了一种基于三线态‑三线态湮灭机制的蓝光有机小分子及其应用。所述蓝光有机小分子的结构式如P1n、P2n、P3n或P4n所示。本发明的蓝光有机小分子作为发光层在高亮度下仍能保持高的器件效率，并能用于非掺杂器件，有利于简化器件结构，降低器件制作成本，克服金属配合物磷光材料在高亮度下严重的效率滚降的问题。另外，氰基的引入能增强分子间的相互作用，有利于提高TTA的效率，从而进一步提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN111430559A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010234139.8
申请日：2020-03-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，公开了一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法。所述蓝光钙钛矿发光二极管的蓝光发光层包括钙钛矿以及掺杂的碱金属卤化物和大基团有机卤化物；所述大基团有机卤化物为有机氯化胺LCl或有机溴化胺LBr，其中L为离子半径＞300皮米的正一价有机胺离子。本发明通过大基团有机卤化物和碱金属卤化物的共同作用调控了蓝光钙钛矿的相分布，减少了具有低激子结合能的二维钙钛矿相的形成，提高了其他具有高激子结合能的低维钙钛矿相的形成，从而抑制了强激子-声子耦合作用造成的激子能量损耗，实现了蓝光钙钛矿发光二极管发光效率的提升。
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公开(公告)号：CN117835719A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311785116.6
申请日：2023-12-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10K50/12 , H10K71/16 , H10K50/17 , H10K50/18 , H10K101/25
Abstract: 本发明公开了一种蓝光荧光有机发光二极管，依次包括衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、效率增强层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述效率增强层材料为4‑(2,7‑二(奈‑2‑基)‑9H‑咔唑‑9‑基)苯甲腈；所述发光层由主体材料和荧光客体掺杂剂组成；所述的主体材料为9‑(4‑(10‑苯基‑9‑蒽基)苯基]9H‑咔唑；所述的荧光客体掺杂剂为1‑4‑二‑[4‑(N,N‑二苯基)氨基]苯乙烯基苯。本发明通过高能三线态的反系间窜越过程，效率增强层最高能获得100％的激子利用率，极大提高器件的电致发光效率，并保持良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN111916571A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010584268.X
申请日：2020-06-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混合卤素的红光钙钛矿发光二极管及其制备方法，该发光二极管依次包括透明衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层1、空穴传输层2、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述钙钛矿发光层由钙钛矿前驱体溶液旋涂制备而成；在旋涂过程中滴加反溶剂；所述钙钛矿前驱体溶液由碘化铯CsI、溴化铯CsBr、溴化铅PbBr2、碘化铅PbI2、有机溴化铵盐LBr和有机碘化胺盐LI溶解于极性溶剂中制备而成。本发明通过将大尺寸有机阳离子和混合卤素结合，抑制了非发光活性钙钛矿相的生成，降低了卤素离子的移动，在提高红光钙钛矿LED亮度和效率的同时，实现了光谱稳定性。
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