公开(公告)号：CN107919403B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201711043955.5

申请日：2017-10-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  李妙姿 ,  温诗雅 ,  刘笑霖 ,  梅相霖 ,  吴镔

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层以及阳极层叠而成。其中阴极为ITO，阴极界面层为ZnO，窗口层为CdSe或CdSexTe1‑x合金薄膜，光活性层由多层CdSexTe1‑x与CdTe薄膜层叠构成，背电极修饰层为MoOx，阳极为Au。其中，光活性层采用CdSexTe1‑x合金纳米晶与CdTe纳米晶构成阶梯结构，相比于传统的异质结太阳电池，更有利于光生载流子的分离、传输和搜集，显著提高器件性能。本发明采用全溶液法加工，成本低，制作简便，有望实现大规模生产。

公开(公告)号：CN108493285A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810458715.X

申请日：2018-05-15

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈妍如 ,  覃东欢 ,  刘笑霖 ,  梅相霖 ,  杨俊峰 ,  吴镔

IPC: H01L31/073 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于环保型、无毒宽带隙半导体纳米晶缓冲层的碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法，所述太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、缓冲层和阳极依次层叠构成。本发明溶液合成的ZnSe纳米晶能够很好分散在有机溶剂中，并将该溶液采用旋涂的方式形成窗口层，创新性的将宽带隙材料引入太阳电池结构的设计中。通过控制缓冲层的厚度，光活性层的热处理温度和界面处理方式，可以降低界面复合问题，提高太阳电池的器件性能。本发明的器件结构拓宽半导体材料在太阳电池领域的使用功能，可提高ZnSe/CdTe异质结太阳电池的能量转换效率。而且制备工艺简单，制备过程不必在真空环境下完成，大大地减少了制作成本。

公开(公告)号：CN107919403A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711043955.5

申请日：2017-10-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  李妙姿 ,  温诗雅 ,  刘笑霖 ,  梅相霖 ,  吴镔

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L31/1832

Abstract: 本发明公开了一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层以及阳极层叠而成。其中阴极为ITO，阴极界面层为ZnO，窗口层为CdSe或CdSexTe1-x合金薄膜，光活性层由多层CdSexTe1-x与CdTe薄膜层叠构成，背电极修饰层为MoOx，阳极为Au。其中，光活性层采用CdSexTe1-x合金纳米晶与CdTe纳米晶构成阶梯结构，相比于传统的异质结太阳电池，更有利于光生载流子的分离、传输和搜集，显著提高器件性能。本发明采用全溶液法加工，成本低，制作简便，有望实现大规模生产。