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公开(公告)号：CN114350345B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111561148.9
申请日：2021-12-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K9/00 , G02F1/1516 , G02F1/1524
Abstract: 本发明公开了一种无机‑有机杂化光电致变色材料及其制备方法与应用。本发明将有机碱性小分子与钨酸盐/偏钨酸盐在酸性条件下反应后析出，干燥即得到有机‑无机杂化光致变色材料，该光致变色材料具有灵敏度高、热稳定性高、成本低廉合成简单的特点。将该材料少量溶解于溶剂中，利用毛细封装法封装进透明夹层中即可制得光致变色器件。在太阳光照射下可以转变为较明显的蓝色，停止光照后颜色逐渐恢复。
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公开(公告)号：CN114919291A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210503784.4
申请日：2022-05-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种异极性双电喷头装置及其喷印方法。本异极性双电喷头装置包括第一电喷印模块、第二电喷印模块、气筒、安装模块。第一电喷印模块、第二电喷印模块、气筒均分别与安装模块连接。第一电喷印模块、第二电喷印模块均分别设有电极电针。第一电喷印模块、第二电喷印模块各自的电极电针分别设为相反电性的电极。气筒设有接地极电针。接地极电针设于气筒中轴线上。气筒用于输出保护气体。第一电喷印模块、第二电喷印模块分别设于气筒的两侧。第一电喷印模块、第二电喷印模块各自喷射墨滴的方向均分别与气筒输出保护气体的方向形成夹角。本发明的有益效果在于，避免现有电流体喷印后墨滴出现滑移偏离沉积位置的问题。
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公开(公告)号：CN114373683B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202111531363.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/465 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法。制备方法包括如下步骤：(1)制备栅极、绝缘层和有源层；(2)在较低温度下进行氧气气氛退火；(3)进行两步掩膜版等离子处理，第一步采用高能氮气等离子处理，第二步采用低能氮气+氧气混合气体等离子处理；(4)通过直流溅射制备铝源漏电极，得到TFT器件。本发明方法具有设备简单、可大面积处理、处理时间短、工艺温度低等优势，采用两步等离子处理方法，可以充分发挥其能量传递和界面反应的优化作用。低温工艺不会对柔性衬底造成损伤，其普遍适用于柔性AOS‑TFT器件的可靠性提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118480771A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410453216.7
申请日：2024-04-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法与应用，制备方法包括以下步骤：S1、将衬底放入铝腔内抽真空达到一定的腔体气压，并将铝腔加热；S2、向腔体内先脉冲注入第一金属前驱体，惰性气体吹扫，接着脉冲注入第二金属前驱体，惰性气体吹扫，通入氧化剂将前驱体氧化，惰性气体吹扫；S3、重复N次上述步骤S2，得到一定厚度的均匀掺杂薄膜。本发明提出的方法减少了多组分薄膜沉积时前驱体的原子间隙填补效应，这不仅减少了薄膜内部的原子空位，实现了无生长延迟的生长模式，同时减小了薄膜表面起伏，改善了薄膜的表面特性，有利于所制备的薄膜与其余功能层实现良好的界面接触。
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公开(公告)号：CN114919291B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210503784.4
申请日：2022-05-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种异极性双电喷头装置及其喷印方法。本异极性双电喷头装置包括第一电喷印模块、第二电喷印模块、气筒、安装模块。第一电喷印模块、第二电喷印模块、气筒均分别与安装模块连接。第一电喷印模块、第二电喷印模块均分别设有电极电针。第一电喷印模块、第二电喷印模块各自的电极电针分别设为相反电性的电极。气筒设有接地极电针。接地极电针设于气筒中轴线上。气筒用于输出保护气体。第一电喷印模块、第二电喷印模块分别设于气筒的两侧。第一电喷印模块、第二电喷印模块各自喷射墨滴的方向均分别与气筒输出保护气体的方向形成夹角。本发明的有益效果在于，避免现有电流体喷印后墨滴出现滑移偏离沉积位置的问题。
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公开(公告)号：CN114373683A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111531363.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/465 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法。制备方法包括如下步骤：(1)制备栅极、绝缘层和有源层；(2)在较低温度下进行氧气气氛退火；(3)进行两步掩膜版等离子处理，第一步采用高能氮气等离子处理，第二步采用低能氮气+氧气混合气体等离子处理；(4)通过直流溅射制备铝源漏电极，得到TFT器件。本发明方法具有设备简单、可大面积处理、处理时间短、工艺温度低等优势，采用两步等离子处理方法，可以充分发挥其能量传递和界面反应的优化作用。低温工艺不会对柔性衬底造成损伤，其普遍适用于柔性AOS‑TFT器件的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN114350345A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111561148.9
申请日：2021-12-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K9/00 , G02F1/1516 , G02F1/1524
Abstract: 本发明公开了一种无机‑有机杂化光电致变色材料及其制备方法与应用。本发明将有机碱性小分子与钨酸盐/偏钨酸盐在酸性条件下反应后析出，干燥即得到有机‑无机杂化光致变色材料，该光致变色材料具有灵敏度高、热稳定性高、成本低廉合成简单的特点。将该材料少量溶解于溶剂中，利用毛细封装法封装进透明夹层中即可制得光致变色器件。在太阳光照射下可以转变为较明显的蓝色，停止光照后颜色逐渐恢复。
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公开(公告)号：CN114446794A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111600699.1
申请日：2021-12-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种实现薄膜晶体管防护的制备方法。本发明先在有源层上方旋涂一层较薄的阻挡层，然后通过一种打印刻蚀的方式，利用导电墨水的溶剂对阻挡层进行定位刻蚀，在外向马朗格尼流动下，绝缘的阻挡层溶质被迁移到外围，而中心形成了较薄且均匀平坦的电极层，进而改善了有源层与导电层之间的界面接触，同时实现了TFT器件的有效防护，工艺简单、耗时短且适于大面积制备。
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