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公开(公告)号：CN216925843U
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202123171386.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 华北科技学院(中国煤矿安全技术培训中心) , 南京大学
IPC: G01K11/3206 , G01B11/02 , G01B11/16
Abstract: 本实用新型公开了一种用于滑坡温度场位移监测的分布式感测光缆，包括光缆件、套筒件、连接件；套筒件为管状结构，套筒件所在的两端部设置有向外径突出的连接部，并在连接部的外周设置有外螺纹；连接件连接于相邻两组套筒件之间，且使连接件所在的内螺纹与相邻两组套筒件端部连接部的外螺纹相互连接并形成整体；光缆件以螺旋状缠绕于套筒件所在的外周，且光缆件的光纤芯通过光纤引线与DTS调节仪相连通，同时碳纤维层通过导线与加热电源连通。采用DTS调节仪测量光纤芯所在位置的温度变化，减少了传统测量时由于预埋温度检测点的位置偏差带来的误差影响，测量的精准度能够控制在0.1℃以内，高空间分辨率也能控制在0.05m以内。
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公开(公告)号：CN110658123A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910898074.4
申请日：2019-09-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明结合基于光纤主动变温的含水率原位分布式测量方法和土壤水分特征曲线，在传统瞬态剖面法的基础上，提出一种非饱和土渗透系数的原位测试方法，可以实现土体体积含水率的长距离、实时分布式测量，并以体积含水率实测剖面为基础实现非饱和土体的渗透系数计算，克服了现有技术中需要基于含水率点式测量结果假设体积含水率分布函数或者通过土壤水分特征曲线间接计算体积含水率的不足，提高了非饱和渗透系数的计算精度。
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公开(公告)号：CN109682853A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910020807.4
申请日：2019-01-09
CPC classification number: G01N25/20 , G01K11/3206
Abstract: 本发明公开了一种基于FBG的冻土含冰量分布式原位测量方法及装置，包括：加热电源、内置电阻丝和FBG的管状传感器、FBG解调仪和分析处理监测数据的计算机。将制作完成的管状传感器通过直埋或钻孔埋设入待测冻土中；连接加热电源对管状传感器内置的电阻丝进行短期加热，热量通过导热性能良好的管状传感器扩散到周围冻土中；管状传感器内置的FBG感测温度变化，并通过FBG解调仪采集并记录FBG的波长读数；将波长数据处理转化为温度变化，得到升温过程中的温度特征值；最后通过率定试验建立的冻土含冰量i与温度特征值ΔTt间的线性关系,得到冻土含冰量。本发明可以实现分布式、连续性测量冻土含冰量。
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公开(公告)号：CN109234680A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811310771.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/02 , H01L41/45 , H01L41/193
Abstract: 本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用，该铁电薄膜的制备方法为：将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底，并以高氯酸咪唑粉末作为生长源；将生长源和衬底置于管式炉的石英管中，两者间隔距离放置，对石英管抽真空；启动管式炉，加热炉体至生长源位置处温度为100～110℃、保温1～2h，生长源通过气相挥发，在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用，采用气相沉积，可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜，并在超薄层薄膜中发现优良的铁电性，其厚度最小可为单分子层(1.2nm)，可应用于铁电场效应晶体管、铁电存储器等电子元器件。
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公开(公告)号：CN114199679A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111500030.5
申请日：2021-12-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤拉拔的冻土多物性参数的分布式原位测试装置及方法，该原位测试装置包括分布式传感光缆、光纤解调设备、拉拔测试仪、空管和夹具；本发明通过拉拔测试仪拉拔分布式传感光缆并记录拉拔力与拉拔位移，绘制拉拔过程中沿分布式传感光缆长度方向的轴向应变分布曲线、光缆拉拔力‑拉拔位移曲线，基于分布式传感光缆‑冻土界面的耦合变形关系得到分布式传感光缆‑冻土界面刚度的分布，并根据光缆‑冻土界面剪切刚度与多物性参数的函数关系得出冻土多物性参数值，并得到该多物性参数沿光缆长度方向的分布曲线。本发明实现了对冻土多物性参数的原位测量，对冻土扰动小，解决了由于冻土性质不稳定导致的参数难以测量的难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230615B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710316136.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电极的制备与转移方法，包括如下步骤：1)在化学气相沉积系统中生长石墨烯，并将石墨烯转移到平整干净的衬底表面；2)用紫外臭氧对石墨烯进行表面处理，并根据需要对石墨烯进行掺杂，然后在石墨烯表面沉积图形化金属作为支撑层得到金属/石墨烯复合结构电极；3)在显微镜下，利用探针操作，将金属/石墨烯复合结构电极从衬底转移到晶体管沟道上，形成晶体管的接触电极；将金属支撑层与石墨烯层从衬底转移到晶体管沟道上，形成接触电极。本发明具有整个过程避免有机溶剂和高温工艺的优点，最大程度减少晶体管沟道材料的损伤并改善晶体管的接触性能。
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公开(公告)号：CN107230615A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710316136.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/41725 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电极的制备与转移方法，包括如下步骤：1)在化学气相沉积系统中生长石墨烯，并将石墨烯转移到平整干净的衬底表面；2)用紫外臭氧对石墨烯进行表面处理，并根据需要对石墨烯进行掺杂，然后在石墨烯表面沉积图形化金属作为支撑层得到金属/石墨烯复合结构电极；3)在显微镜下，利用探针操作，将金属/石墨烯复合结构电极从衬底转移到晶体管沟道上，形成晶体管的接触电极；将金属支撑层与石墨烯层从衬底转移到晶体管沟道上，形成接触电极。本发明具有整个过程避免有机溶剂和高温工艺的优点，最大程度减少晶体管沟道材料的损伤并改善晶体管的接触性能。
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公开(公告)号：CN114279973A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111610089.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于人工神经网络的瞬态变温光纤光栅的土体含水率原位监测方法，该方法通过瞬态变温光纤光栅传感器获取各测点的变温特征指标，将变温特征指标与测点的土体含水率真值作为数据集，并划分为训练数据集和测试数据集。建立人工神经网络模型，设置模型的输入层为测点和相邻测点的变温特征指标，输出层为测点的土体含水率。利用训练数据集对所建的人工神经网络模型训练，测试数据集对训练后模型测试，将满足期望误差的神经网络模型作为标定模型。将测得的变温特征指标输入标定模型，达到原位监测土体含水率的目的。本发明减小了由瞬态变温光纤光栅传感器内部纵向传热引起的误差，得到的标定模型适用性强，监测的土体含水率精度高。
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公开(公告)号：CN109682853B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910020807.4
申请日：2019-01-09
IPC: G01N25/20 , G01K11/3206
Abstract: 含冰量。本发明可以实现分布式、连续性测量冻本发明公开了一种基于FBG的冻土含冰量分 土含冰量。布式原位测量方法及装置，包括：加热电源、内置电阻丝和FBG的管状传感器、FBG解调仪和分析处理监测数据的计算机。将制作完成的管状传感器通过直埋或钻孔埋设入待测冻土中；连接加热电源对管状传感器内置的电阻丝进行短期加热，热量通过导热性能良好的管状传感器扩散到周围冻土中；管状传感器内置的FBG感测温度变化，并通过FBG解调仪采集并记录FBG的波长读数；将波(56)对比文件李东阳;刘波;刘念;马永君;王莉.缩短核磁共振测定冻土未冻水含量实验时间的方法.冰川冻土.2014,(第06期),第1502-1507页.温智,盛煜,马巍,邓友生,吴基春.青藏高原北麓河地区原状多年冻土导热系数的试验研究.冰川冻土.2005,(第02期),第182-187页.
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公开(公告)号：CN109234680B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201811310771.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/02 , H01L41/45 , H01L41/193
Abstract: 本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用，该铁电薄膜的制备方法为：将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底，并以高氯酸咪唑粉末作为生长源；将生长源和衬底置于管式炉的石英管中，两者间隔距离放置，对石英管抽真空；启动管式炉，加热炉体至生长源位置处温度为100～110℃、保温1～2h，生长源通过气相挥发，在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用，采用气相沉积，可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜，并在超薄层薄膜中发现优良的铁电性，其厚度最小可为单分子层(1.2nm)，可应用于铁电场效应晶体管、铁电存储器等电子元器件。
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