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公开(公告)号:CN119824274A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202411925295.3
申请日:2024-12-25
Applicant: 华北电力大学(保定) , 大连理工大学
Abstract: 本发明提供了一种具有细晶组织的高强高导铜合金及其制备方法,属于铜合金制备技术领域。本发明的铜合金包括以下质量百分数的元素:Ni2.0~12.0wt.%,Si 0.4~3.0wt.%,Zn≤1.0wt.%,Ti≤5.0wt.%,B≤1.0wt.%,其余为Cu和不可避免的杂质。本发明调整热处理工艺,通过Ti、B元素的引入促进Ni16Ti6Si7、TiB2物相的生成,这些微米级颗粒在热变形过程中可以充当形核位点并钉扎晶界,促进晶粒细化。本发明通过改变铜合金中Ti、B元素的含量,调控Ni16Ti6Si7、TiB2微米相和Ni2Si纳米相的比例,获得了具有细晶组织的高强高导铜合金。
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公开(公告)号:CN119824273A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202411925291.5
申请日:2024-12-25
Applicant: 华北电力大学(保定) , 大连理工大学
Abstract: 一种颗粒晶须混杂增强高强高导铜基复合材料及其制备方法,属于铜合金制备技术领域。本发明制备的复合材料包括以下质量百分比的元素:M1.5~10.0%、Si 0.3~3.0%、X 0.3~2.5%,其余为Cu和不可避免的杂质;所述M为Ni、Co中的至少一种;所述X为Ti、Zr、Mn、V、Nb、Cr中的一种或多种。本发明的复合材料含有均匀分布的M16X6Si7颗粒以及MXSi晶须。本发明通过调整复合材料的热处理步骤,使得到的合金硬度达到120~300HV,抗拉强度达到300~900MPa,导电率达到20%~80%IACS,高温抗软化温度大于500℃。本发明的复合材料可替代对人体有害的铍铜,适应于轻合金、镀锌钢板电阻焊的点、缝焊电极、电触头、电气接插件等,能有效提升相关构件的使用寿命和可靠性。
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公开(公告)号:CN119736499A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202411903056.8
申请日:2024-12-23
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: C22C1/02 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22C26/00 , C22F1/08 , C22C1/10 , B23K35/30 , H01H1/025 , H01R13/03 , H01H33/664
Abstract: 本发明提供了一种抗黏附及抗熔焊的铜基复合材料及其制备方法和应用,属于复合材料制备领域。本发明制备的铜基复合材料包括以下组分:Ti、Si、X和铜,通过熔铸法将微米级的颗粒增强相引入铜合金中,获得组织均匀的Cu‑Ti‑Si‑X复合材料。本发明通过优化制备工艺,得到了含颗粒增强相的铜合金。本发明通过引入微米级颗粒,实现了复合材料作为电阻焊电极或者电触头时抗黏附及抗熔焊性能的提升,有效地延长电极或触头的使用寿命,提高了焊接质量或触头的可靠性,并降低维护成本。本发明所述的铜基复合材料在电阻焊电极、电触头等领域具有广泛的工业应用前景。
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公开(公告)号:CN118996180A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202411100626.X
申请日:2024-08-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明提供了一种兼具高强度和高导电率的铜合金增强相变质处理方法,属于铜合金材料技术领域。本发明通过Ni、Si、Ti、Sr元素的合金化设计,使初生Ni16Ti6Si7颗粒变质并细化,协同Sr变质和热处理,促使所述合金中增强相分布更为均匀,降低尺寸分布范围,既含有Sr变质后形成的微米级Ni16Ti6Si7颗粒,同时包括在后续热处理过程中析出的纳米Ni16Ti6Si7与Ni2Si颗粒,制备不同尺度颗粒协同增强的Sr变质G相强化高强高导铜合金,从而提高了所述G相强化高强高导铜合金综合性能,使其硬度和抗拉强度更高,延伸性更好,同时保持高的导电率和高温抗软化能力。
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公开(公告)号:CN114182135B
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202111530543.0
申请日:2021-12-14
Applicant: 华北电力大学(保定) , 保定天威保变电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种TiN/Ti5Si3混杂增强铜基复合材料及其制备方法,属于铜基复合材料制备技术领域。本发明以Si3N4粉和钛粉为原料,在氩气气氛下热压烧结得到混合压块,将其压入高温铜熔体中,使Si3N4与钛在铜熔体中直接反应生成TiN和Ti5Si3。随着Ti5Si3的生成,TiN与铜熔体之间的润湿性得到改善,所获得的Ti5Si3分布规律,TiN尺寸均匀可控,并在Ti5Si3骨架之间弥散分布。使复合材料的性能有很大的提高。
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公开(公告)号:CN114182135A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111530543.0
申请日:2021-12-14
Applicant: 华北电力大学(保定) , 保定天威保变电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种TiN/Ti5Si3混杂增强铜基复合材料及其制备方法,属于铜基复合材料制备技术领域。本发明以Si3N4粉和钛粉为原料,在氩气气氛下热压烧结得到混合压块,将其压入高温铜熔体中,使Si3N4与钛在铜熔体中直接反应生成TiN和Ti5Si3。随着Ti5Si3的生成,TiN与铜熔体之间的润湿性得到改善,所获得的Ti5Si3分布规律,TiN尺寸均匀可控,并在Ti5Si3骨架之间弥散分布。使复合材料的性能有很大的提高。
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公开(公告)号:CN119040690A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411159774.9
申请日:2024-08-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明提供了一种颗粒增强高强高导铜合金及其制备方法,属于铜合金制备技术领域,所述铜合金的化学组成包括:钴1.00%~6.00%,硅0.10%~2.00%,钛0.10%~3.00%,其余为铜和不可避免的杂质。本发明通过将不同粒度、不同性质、不同形貌或不同维度的增强体引入铜基体中,形成混杂体系,利用混杂增强效应,抑制沉淀强化相的回溶和粗化,并引入微米相阻碍晶粒长大,进而制备出兼具优异的强度、导电率、抗高温软化性能的高强高导铜合金。
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公开(公告)号:CN116815010A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202310922931.6
申请日:2023-07-26
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明提供了一种微纳颗粒混杂增强高强高导Cu‑Ni‑Si‑X合金及其制备方法,属于铜合金制备技术领域。本发明的Cu‑Ni‑Si‑X高强高导铜合金主要特征为其包含亚微米至微米级Ni‑Si‑X金属间化合物颗粒,以及纳米级时效强化相Ni‑Si‑X金属间化合物和Ni‑Si二元金属间化合物,基于微米级Ni‑Si‑X金属间化合物颗粒以及时效析出Ni‑Si‑X金属间化合物和Ni‑Si二元金属间化合物的协同作用使本发明的Cu‑Ni‑Si‑X合金具备优良的综合性能,其中抗拉强度达到450~1150MPa,导电率达到25%‑85%IACS,高温抗软化能力大于450℃。
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公开(公告)号:CN105451235A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201510780924.2
申请日:2015-11-13
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: H04W12/12 , H04W24/06 , H04W64/006 , H04W84/18
Abstract: 本发明提供了一种基于背景更新的无线传感器网络入侵检测方法,属于无线通信的技术领域。该方法检测步骤为建立背景模型、背景判断和背景模型参数更新。传统的检测算法把相邻两个时刻的信号强度差值作为判断有无入侵者的依据,计算量少,容易实现,但没有数据训练和更新。基于背景更新的入侵检测算法先建立背景模型,再分析当前收集的信息是否与背景模型匹配,由此判断出监测区域有无入侵者,之后自动更新背景模型,此算法的关键是背景建模及其更新,背景信息为了适应环境的改变而实时更新模型参数,所以跟传统的检测算法比较,它的检测率高,误检率也低。
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公开(公告)号:CN104503575A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201410797094.X
申请日:2014-12-18
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明一种低功耗手势识别电路装置的设计方法属于信息技术领域,涉及一种低功耗手势识别电路装置的设计方法,是一种低功耗、低成本的人机交互技术。该设计方法借助人体手势对自然空间无线信号强度的不同影响,采用智能识别软件和手势识别电路装置进行模式识别,实现智能人机交互;该设计方法中采用的手势识别电路装置由宽带全向天线、超低功耗无线接收机、多频带无线集能电路、触发唤醒电路、低功耗微处理电路、以及运行在微处理电路上的智能识别软件组成。本发明的电路多为电阻、电容、二极管等无源器件,该装置提供了一种低功耗、低成本的人机交互技术,可以应用到日益增多的采用电池供电的移动计算与移动应用领域。
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