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公开(公告)号：CN116224007A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310194082.7
申请日：2023-02-23
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET双极退化脉冲实验平台及计算方法，包括功率输入单元、实验测试单元、驱动单元、开关控制单元、连接单元、测量单元。本发明提出的碳化硅MOSFET双极性退化加速老化实验平台符合器件的实际工况，可以解耦其他退化机制对于双极退化的影响，便于实验结果分析，通过分析对实验PCB板进行合理设计，抑制了寄生参数对实验结果的影响，提出的参数指标计算方法有助于选择合适的实验设备，降低了实验成本，考虑到实验器件参数漂移影响，采集实验电路反馈的脉冲电流有效值信息，通过实时调节功率源电压，使采集电流与预设值电流差值满足精度要求，保证实验过程中脉冲电流应力不变。
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