公开(公告)号：CN103762281B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201410060958.X

申请日：2014-02-24

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 高征 ,  丁希宏 ,  刘海 ,  吴云召 ,  时小强 ,  马爽 ,  于晓琳 ,  白一鸣

IPC: H01L31/18 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了属于太阳电池领域的一种Ag和Au双金属纳米颗粒陷光结构的制备方法，包括如下步骤：（1）在NaCl衬底上分别制备Ag和Au纳米颗粒；（2）将步骤1制备得到的样品浸入去离子水中，溶解衬底，离心后分别得到Ag和Au纳米颗粒；（3）将Ag和Au纳米颗粒共同溶于PEG-200胶体中，混匀；（4）采用旋涂法或者提拉法在薄膜太阳电池特定面制备得到有序排列的Ag和Au纳米颗粒阵列。本发明的制备方法重复性好，易控制，最终得到表面覆盖率为20%-40%的双金属纳米颗粒阵列，纳米颗粒消光呈现出双消光峰位，消光峰在300-700nm范围可调，该双金属纳米颗粒阵列多用于薄膜太阳电池的陷光结构。

公开(公告)号：CN103762281A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410060958.X

申请日：2014-02-24

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 高征 ,  丁希宏 ,  刘海 ,  吴云召 ,  时小强 ,  马爽 ,  于晓琳 ,  白一鸣

IPC: H01L31/18 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02168 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了属于太阳电池领域的一种Ag和Au双金属纳米颗粒陷光结构的制备方法，包括如下步骤：（1）在NaCl衬底上分别制备Ag和Au纳米颗粒；（2）将步骤1制备得到的样品浸入去离子水中，溶解衬底，离心后分别得到Ag和Au纳米颗粒；（3）将Ag和Au纳米颗粒共同溶于PEG-200胶体中，混匀；（4）采用旋涂法或者提拉法在薄膜太阳电池特定面制备得到有序排列的Ag和Au纳米颗粒阵列。本发明的制备方法重复性好，易控制，最终得到表面覆盖率为20%-40%的双金属纳米颗粒阵列，纳米颗粒消光呈现出双消光峰位，消光峰在300-700nm范围可调，该双金属纳米颗粒阵列多用于薄膜太阳电池的陷光结构。