公开(公告)号：CN119709185A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411891097.X

申请日：2024-12-20

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  李海松 ,  魏展画

IPC: C09K11/61

Abstract: 本发明属于长余辉发光材料技术领域，具体公开了一种超宽光谱的Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料及其制备方法和应用，其中Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料以Cs2CdCl4为基质，以Pb2+为发光复合中心，其化学通式为Cs2CdCl4:xPb2+，其中0.001≤x≤0.1。本发明的Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料晶体化学稳定性高，可被254nm紫外光或X射线有效地激发，具有UVB紫外光到可见光超宽波段的长余辉发光光谱，余辉发光时间长；无需采用高压和还原性的苛刻合成条件，在常压条件下采用溶剂热法和Cs2CdCl4:xPb2+所需的化学原料即可合成出Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料；Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料的制备条件简单，可批量工业化生产；Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料可应用于光学防伪、可穿戴设备等领域，并且不受可见光的影响。

公开(公告)号：CN120041184A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510176984.7

申请日：2025-02-18

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  包汉新 ,  易沁霖 ,  魏展画

IPC: C09K9/00

Abstract: 本发明属于钙钛矿微晶粉末材料技术领域，具体公开了一种铋离子掺杂Cs2‑xRbxZr1‑yHfyCl6卤素钙钛矿光致变色材料及其制备方法，其中铋离子掺杂Cs2‑xRbxZr1‑yHfyCl6卤素钙钛矿光致变色材料的化学式为：Cs2‑xRbxZr1‑yHfyCl6:nBi3+，其中0≤x＜2,0≤y＜1，0＜n＜1。本发明通过共沉淀法制备具有光致变色性能的钙钛矿微晶粉末，通过溶液中的化学反应直接得到化学成分均一的钙钛矿微晶粉末材料，具有批量生产的潜力。

公开(公告)号：CN116103045B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310125523.8

申请日：2023-02-16

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  黄佩然 ,  温祖惠 ,  俞跃 ,  郭灿 ,  魏展画

IPC: C09K11/78 ,  G11B7/243 ,  B42D25/36 ,  G01N23/04 ,  C08J5/18 ,  C08L101/00 ,  C08K3/22

Abstract: 本发明属于长余辉发光材料的技术领域，公开了一种经掺杂的LiSc1‑xLuxGeO4光存储材料及其制备方法，其化学通式为LiSc1‑xLuxGeO4:yLn3+,zEu3+(Ln＝Tb,Pr,or Bi)；其制备方法是根据元素摩尔比Li:Sc:Lu:Ge:O:Ln:Eu＝1:1‑x:x:1:4:y:z,0≤x≤1,0.0001≤y≤0.02；0.0001≤z≤0.02；分别称取相应化合物原料，混合均匀后，在氧化性气氛下于1050～1350℃进行高温处理，得到光存储材料。本发明的光存储材料不仅可以存储254nm紫外光，还可以实现对X射线的存储，可应用于X射线、信息存储以及光学防伪等领域。本发明的方法简单，易实现量产。

公开(公告)号：CN119799327A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510027533.7

申请日：2025-01-08

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  宋志宇 ,  李海松 ,  魏展画

IPC: C09K11/62

Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgInCl6:xFe3+红外发光材料及其制备方法和应用。其中，Cs2AgInCl6:xFe3+红外发光材料具有化学稳定性高、可被250～650纳米光有效激发产生超宽的近红外发光的独特特性，可应用在近红外荧光成像、光纤通信或防伪等领域。其采用离子掺杂的Fe3+为发光中心，而不采用自陷激子为发光中心。掺杂的Fe3+离子具有半填充的电子结构(3d5)，因而可以呈现4T1(4G)→6A1(6S)跃迁而发出近红外光。本发明提供的制备方法不采用高压和还原性的苛刻合成条件，在常压、氧化性的气氛下，采用溶剂热法和Cs2AgInCl6:xFe3+所需的化学原料即可合成出发光材料，制备条件简单，可批量工业化生产。

公开(公告)号：CN119505901A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411669697.1

申请日：2024-11-21

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  徐堉凯 ,  陈铭容 ,  谢宇凡 ,  吴静雯 ,  许明明 ,  陈嘉丽 ,  魏展画

IPC: C09K11/67

Abstract: 本发明公开了一种Te掺杂双钙钛矿Cs2Zr1‑xSnxCl6固溶体材料及其制备方法和应用，该Te掺杂双钙钛矿Cs2Zr1‑xSnxCl6固溶体材料的化学通式为Cs2Zr1‑xSnxCl6:yTe4+，其中，0＜x＜1，0＜y＜0.2，其在较低的反应条件下即可通过溶剂热法反应制得，具备较高的抗吸湿性、化学稳定性和X射线诱导的载流子存储量，且载流子存储的温度覆盖从100K至400K的超宽温度范围。

公开(公告)号：CN119873876A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510117066.7

申请日：2025-01-24

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  包汉新 ,  魏展画

IPC: C01G5/02

Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgCl3全无机非铅钙钛矿及其绿色高效合成的方法，其中，该绿色高效合成方法为将CsCl水溶液与AgCl混合后通过超声分散和烘干，即得Cs2AgCl3全无机非铅钙钛矿。该合成方法具有绿色高效、操作简便、反应条件温和的特点，在常温常压下即可大量合成纯相全无机非铅钙钛矿Cs2AgCl3，为合成纯相物质提供了一种新的方法。

公开(公告)号：CN116103045A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310125523.8

申请日：2023-02-16

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  黄佩然 ,  温祖惠 ,  俞跃 ,  郭灿 ,  魏展画

IPC: C09K11/78 ,  G11B7/243 ,  B42D25/36 ,  G01N23/04 ,  C08J5/18 ,  C08L101/00 ,  C08K3/22

Abstract: 本发明属于长余辉发光材料的技术领域，公开了一种经掺杂的LiSc1‑xLuxGeO4光存储材料及其制备方法，其化学通式为LiSc1‑xLuxGeO4:yLn3+,zEu3+(Ln＝Tb,Pr,or Bi)；其制备方法是根据元素摩尔比Li:Sc:Lu:Ge:O:Ln:Eu＝1:1‑x:x:1:4:y:z,0≤x≤1,0.0001≤y≤0.02；0.0001≤z≤0.02；分别称取相应化合物原料，混合均匀后，在氧化性气氛下于1050～1350℃进行高温处理，得到光存储材料。本发明的光存储材料不仅可以存储254nm紫外光，还可以实现对X射线的存储，可应用于X射线、信息存储以及光学防伪等领域。本发明的方法简单，易实现量产。