公开(公告)号：CN119799327A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510027533.7

申请日：2025-01-08

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  宋志宇 ,  李海松 ,  魏展画

IPC: C09K11/62

Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgInCl6:xFe3+红外发光材料及其制备方法和应用。其中，Cs2AgInCl6:xFe3+红外发光材料具有化学稳定性高、可被250～650纳米光有效激发产生超宽的近红外发光的独特特性，可应用在近红外荧光成像、光纤通信或防伪等领域。其采用离子掺杂的Fe3+为发光中心，而不采用自陷激子为发光中心。掺杂的Fe3+离子具有半填充的电子结构(3d5)，因而可以呈现4T1(4G)→6A1(6S)跃迁而发出近红外光。本发明提供的制备方法不采用高压和还原性的苛刻合成条件，在常压、氧化性的气氛下，采用溶剂热法和Cs2AgInCl6:xFe3+所需的化学原料即可合成出发光材料，制备条件简单，可批量工业化生产。

公开(公告)号：CN119709185A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411891097.X

申请日：2024-12-20

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  李海松 ,  魏展画

IPC: C09K11/61

Abstract: 本发明属于长余辉发光材料技术领域，具体公开了一种超宽光谱的Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料及其制备方法和应用，其中Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料以Cs2CdCl4为基质，以Pb2+为发光复合中心，其化学通式为Cs2CdCl4:xPb2+，其中0.001≤x≤0.1。本发明的Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料晶体化学稳定性高，可被254nm紫外光或X射线有效地激发，具有UVB紫外光到可见光超宽波段的长余辉发光光谱，余辉发光时间长；无需采用高压和还原性的苛刻合成条件，在常压条件下采用溶剂热法和Cs2CdCl4:xPb2+所需的化学原料即可合成出Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料；Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料的制备条件简单，可批量工业化生产；Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料可应用于光学防伪、可穿戴设备等领域，并且不受可见光的影响。