公开(公告)号：CN116103045A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310125523.8

申请日：2023-02-16

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  黄佩然 ,  温祖惠 ,  俞跃 ,  郭灿 ,  魏展画

IPC: C09K11/78 ,  G11B7/243 ,  B42D25/36 ,  G01N23/04 ,  C08J5/18 ,  C08L101/00 ,  C08K3/22

Abstract: 本发明属于长余辉发光材料的技术领域，公开了一种经掺杂的LiSc1‑xLuxGeO4光存储材料及其制备方法，其化学通式为LiSc1‑xLuxGeO4:yLn3+,zEu3+(Ln＝Tb,Pr,or Bi)；其制备方法是根据元素摩尔比Li:Sc:Lu:Ge:O:Ln:Eu＝1:1‑x:x:1:4:y:z,0≤x≤1,0.0001≤y≤0.02；0.0001≤z≤0.02；分别称取相应化合物原料，混合均匀后，在氧化性气氛下于1050～1350℃进行高温处理，得到光存储材料。本发明的光存储材料不仅可以存储254nm紫外光，还可以实现对X射线的存储，可应用于X射线、信息存储以及光学防伪等领域。本发明的方法简单，易实现量产。

公开(公告)号：CN116103045B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310125523.8

申请日：2023-02-16

Applicant: 华侨大学

Inventor： 吕天帅 ,  黄佩然 ,  温祖惠 ,  俞跃 ,  郭灿 ,  魏展画

IPC: C09K11/78 ,  G11B7/243 ,  B42D25/36 ,  G01N23/04 ,  C08J5/18 ,  C08L101/00 ,  C08K3/22

Abstract: 本发明属于长余辉发光材料的技术领域，公开了一种经掺杂的LiSc1‑xLuxGeO4光存储材料及其制备方法，其化学通式为LiSc1‑xLuxGeO4:yLn3+,zEu3+(Ln＝Tb,Pr,or Bi)；其制备方法是根据元素摩尔比Li:Sc:Lu:Ge:O:Ln:Eu＝1:1‑x:x:1:4:y:z,0≤x≤1,0.0001≤y≤0.02；0.0001≤z≤0.02；分别称取相应化合物原料，混合均匀后，在氧化性气氛下于1050～1350℃进行高温处理，得到光存储材料。本发明的光存储材料不仅可以存储254nm紫外光，还可以实现对X射线的存储，可应用于X射线、信息存储以及光学防伪等领域。本发明的方法简单，易实现量产。