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公开(公告)号：CN117912505A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211239471.9
申请日：2022-10-11
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请涉及存储芯片、存储设备和电子设备。存储芯片包括多个存储单元，每个存储单元包括衬底和多个存储子单元，多个存储子单元层叠设置于衬底上，每个存储子单元包括交替层叠设置的存储层及绝缘层，及贯穿存储层与绝缘层的第一电极，存储层包括存储数据的存储部及第二电极，第一电极与存储子单元的所有存储层的存储部电连接，第一电极及第二电极用于连接外围电路，以通过外围电路控制存储部中的数据的存取。本申请的多个存储子单元可以为独立的能够单独制作的结构，减小了存储芯片的制作难度。
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公开(公告)号：CN116705114A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210191660.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种存储器的数据写入方法及装置，属于存储器技术领域。该方法包括：存储器接收控制器指示向存储器写入指定长度的数据的写指令；存储器基于写指令向存储器的存储介质写入指定长度的数据。由于写指令能够指定待写入数据的长度，使得在需要写入指定长度的数据时，能够减少需要发送的写指令的条数，减小了写指令的开销。
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公开(公告)号：CN115729767A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111005501.5
申请日：2021-08-30
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供一种存储器的温度检测方法及装置，所述方法包括：获取所述存储器中存储区域的操作参数，所述操作参数用于：指示所述存储区域在历史时刻执行存储操作的次数，和/或，指示所述历史时刻和当前时刻的时间间隔；其中，所述存储操作包含写操作和擦除操作中的至少一种；根据所述操作参数的值，计算所述存储区域的温度。本申请提供的方案，能够提高对存储器的存储区域中的温度分布进行检测的准确度，进而对存储器进行更为准确的控制。
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公开(公告)号：CN118055690A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211439288.3
申请日：2022-11-17
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种存储单元，包括：第一电极层；第二绝缘层，设于所述第一电极层上，具有贯穿所述第二绝缘层的通孔；存储中心层，设于所述第二绝缘层的通孔中，所述存储中心层包括依次层叠的复合相变层、中间电极层和开关层；所述复合相变层包括介质材料和分散在所述介质材料中的纳米相变材料颗粒；第二电极层，设于所述存储中心层上，所述存储中心层与所述第一电极层和所述第二电极层接触连接。该存储单元可降低柔性相变存储器的编程功耗，并具有较强的抗弯折应力。本申请实施例还提供了该存储单元的制备方法及包含该存储单元的相变存储器。
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公开(公告)号：CN116705117A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210191674.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种存储器的访问方法及装置，属于存储器技术领域。该方法包括：存储器接收控制器指示对存储器的指定地址进行访问的访问指令，访问指令携带有控制参数的配置值，控制参数用于影响对指定地址的访问结果；存储器基于配置值执行访问指令指示的访问操作。由于访问指令携带有控制参数的配置值，控制参数用于影响对指定地址的访问结果，能够通过配置值优化控制参数，影响存储器的访问结果，有利于存储器的性能优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115188404A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110485385.5
申请日：2021-04-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请公开了一种存储装置和处理数据的方法，属于计算机技术领域。其中，存储装置包括控制器和存储介质，存储介质包括指令解码器和多个存储单元，控制器和存储介质的指令解码器连接。控制器，用于向存储介质的指令解码器发送第一处理指令，该第一处理指令包括第一信息和第二信息，第一信息用于指示处理方式，第二信息用于指示需要处理的数据的数据长度。相应地，存储介质的指令解码器，用于接收控制器发送的第一处理指令，基于第二信息指示的数据长度，从存储介质的多个存储单元中确定至少两个目标存储单元，从而基于至少两个目标存储单元，按照第一信息指示的处理方式进行数据处理。本申请实施例减少了控制器需要发送的处理指令的数量。
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公开(公告)号：CN114913896A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110185639.1
申请日：2021-02-10
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 陈一峰
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请公开了一种相变存储器、控制方法和电子设备，涉及存储领域，用于降低相变存储器写擦操作的时间。相变存储器包括控制电路及存储块，存储块包括存储阵列，字线选择电路和位线选择电路，存储阵列包括多个存储单元，每个存储单元包括相变材料；控制电路用于控制字线选择电路及位线选择电路选中存储阵列的多个存储单元，并向多个存储单元输入预设电信号，预设电信号使多个存储单元的相变材料处于预结晶状态，预结晶状态为处于相变材料的结晶状态及非结晶状态之间的中间状态。
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公开(公告)号：CN114864811A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110521657.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种相变存储单元、相变存储器及其制备方法、电子设备。上述相变存储单元包括第一电极、第一加热层、相变材料层、第一绝缘层和隔热层。其中，上述第一电极、第一加热层和相变材料层层叠设置。第一绝缘层环绕包裹第一加热层和相变材料层。隔热层至少位于第一加热层和第一绝缘层之间，以及第一加热层与第一电极之间。隔热层包裹了第一加热层除了与相变材料层相对一侧的表面，从而第一加热层的热量可以通过该表面传导至相变材料层，以驱动相变材料层工作。可以提高该相变存储单元加热效率，降低了操作电流。可以减少相邻的相变存储单元之间的热串扰，降低相变存储器的读写错误率。
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公开(公告)号：CN119207500A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411165146.1
申请日：2022-02-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C8/08
Abstract: 本申请公开了一种存储器的访问方法及装置，属于存储器技术领域。该方法包括：存储器接收控制器指示对存储器的指定地址进行访问的访问指令，访问指令携带有控制参数的配置值，控制参数用于影响对指定地址的访问结果；存储器基于配置值执行访问指令指示的访问操作。由于访问指令携带有控制参数的配置值，控制参数用于影响对指定地址的访问结果，能够通过配置值优化控制参数，影响存储器的访问结果，有利于存储器的性能优化。
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公开(公告)号：CN114649024A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011503676.4
申请日：2020-12-18
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C11/4078 , G11C11/409 , G11C7/10
Abstract: 本申请提供了一种存储单元和存储阵列，其中存储单元包括由易失性存储介质与第一字线构成的第一存储子单元和由持久性存储介质与第二字线构成的第二存储子单元组成，第一存储单元和第二存储单元共用位线，其中易失性存储介质用于暂存所述存储单元的数据；持久性存储介质用于永久存储所述存储单元的数据。本发明的存储单元具备高速读写能力，又具备永久数据存储能力，并且可以由现有的存储单元经过简单的改造生成，制造成本低。
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