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公开(公告)号：CN119065716A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311070464.5
申请日：2023-08-22
Abstract: 本申请实施例公开了一种算子编译方法，用于实现存算一体架构的张量数据处理，提升存算一体架构的计算任务处理并行度。本申请实施例方法包括：获取编译算子，编译算子用于指示对源代码的编译规则。基于编译算子对源代码进行编译，得到一条或多条张量指令，张量指令用于执行存算一体系统中计算任务，张量指令包括以下一项或多项指令段：操作码、张量地址、数据类型、数据位宽和张量长度。将张量指令存储至指令存储列表，指令存储列表用于存储编译完成的张量指令。
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公开(公告)号：CN118248194A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310366759.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 本公开实施例属于存储技术领域，特别涉及一种存储芯片、存储芯片控制方法和存储系统，其中，存储芯片包括多个存储单元，每个存储单元包括双向阈值开关OTS和存储介质，OTS具有阈值转变电压，根据阈值转变电压对存储单元施加读写电压以对存储介质进行读写操作。该控制方法包括：当侦测到预设条件时，对多个存储单元中的第一存储单元施加复位电压，当多个存储单元中的第一存储单元为处于低阻状态的存储单元时，复位电压开启第一存储单元的OTS，以使第一存储单元的OTS的阈值转变电压降低。采用本公开能够降低读取存储单元的出错概率。
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公开(公告)号：CN118248184A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310238401.X
申请日：2023-03-03
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种存储芯片、存储设备以及计算设备，该存储芯片包括：第一存储单元，第二存储单元以及控制电路，其中，第一存储单元存储第一数据，第二存储单元存储第二数据，第二数据为预设数据，控制电路用于从所述第一存储单元读出第三数据，从所述第二存储单元读出第四数据，比较所述第四数据与所述第二数据，基于所述第四数据与所述第二数据相同的比较结果，确定所述第一存储单元的读出结果正确，将所述第三数据作为所述第一数据输出。该存储芯片能够提高数据读取的准确性。
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公开(公告)号：CN118139516A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211544621.7
申请日：2022-12-02
Abstract: 一种相变存储单元及其制备方法，该相变存储单元包括相变薄膜，该相变薄膜包括依次层叠的第一相变诱导层、相变功能层以及第二相变诱导层，第一相变诱导层具有表面Te悬挂键。本申请还提供了应用该相变存储单元的相变存储芯片、相变存储器和电子设备，该相变存储单元中相变薄膜的生长速率可控性更强，相变薄膜具有较高的质量和均一性，而且相变薄膜的三层叠设结构有助于将相热量限制在相变功能层，有利于降低相变存储器的功耗、提高相变存储器的疲劳寿命以及操作速度。
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公开(公告)号：CN117693205A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211057851.0
申请日：2022-08-29
Abstract: 本申请实施例公开了一种存储器、存储装置和电子设备，属于存储技术领域。该存储器中包括多个存储单元，每个存储单元包括两层电极层、及位于该两层电极层之间的多层相变层；每层相变层包括绝缘基体和相变体，每层相变层的绝缘基体上具有第一通孔，每层相变层的相变体填充于所述第一通孔中；在多层相变层中，相邻两层相变层的两个相变体接触；在该两个相变体的截面积相等的情况下，该两个相变体所接触的面积小于该两个相变体的截面积；相变体的截面积是相变体的垂直于第一通孔孔轴方向的截面的面积。本申请提供的存储器中的存储单元能够实现多值存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107870735B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201610859146.0
申请日：2016-09-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种数据管理方法、装置和设备，属于数据存储技术领域。在本发明中，将磁盘阵列划分为多个存储区域，一个存储区域包括一个或多个磁盘。多个存储区域中的每个存储区域的工作状态不同。每个存储区域用于根据目标数据的数据热度存储数据。在存储目标数据时，将目标数据存储到磁盘阵列中的指定存储区域中，指定存储区域可以为磁盘阵列中的任一存储区域；后续在管理数据时，根据目标数据的数据热度和每个存储区域的工作状态，对目标数据进行迁移。由于为磁盘阵列的每个存储区域设置不同的工作状态，从而可以节省磁盘阵列的功耗。并且，根据目标数据的数据热度对目标数据进行迁移，能够满足目标数据的对存储介质的需求。
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公开(公告)号：CN107122316A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201610105882.7
申请日：2016-02-25
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种备电方法，用于节约系统的备电成本。本发明公开的方法包括：备电管理模块在备用电源启动后，将数据缓存介质中的待保存的数据写入数据暂存介质中，然后立即将处理器下电。之后备电管理模块将数据暂存介质中待保存的数据写入非易失存储介质中，再关闭备用电源。本发明提供的方法使得处理器在备电流程中只需要运行毫秒级别的时间即可关闭。后续的操作都由备电管理模块来完成，处理器无需执行常规的存储业务关闭流程和常规的操作系统关闭流程。这样就能够大幅度的减小存储设备在备电流程中的功耗，节约了备电成本。本发明还提供了相关的备电管理模块、SOC和存储设备。
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公开(公告)号：CN102567276B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110426422.1
申请日：2011-12-19
Applicant: 华为技术有限公司
CPC classification number: H04L1/0036 , H04L1/0061 , H04L1/16
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于多通道的数据传输方法、相关节点及系统，其中，一种基于多通道的数据传输方法包括：接收节点从至少两条通道上同步接收来自发送节点的数据帧；比较至少两个接收完成的所述数据帧中的数据是否一致；若存在数据一致的数据帧，则对所述数据一致的数据帧进行CRC校验；若不存在数据一致的数据帧，则对当前进行所述比较的所有数据帧进行CRC校验；若存在所述CRC校验正确的数据帧，则：向先入先出队列FIFO中传送一个所述CRC校验正确的数据帧；向所述发送节点返回指示所述数据帧接收无误的确认信息。本发明提供的技术方案可有效提高通讯系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN102449621B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201180001863.5
申请日：2011-08-25
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F15/173 , G06F11/07
CPC classification number: G06F11/202 , G06F11/2002 , G06F11/2017 , H04L43/0882
Abstract: 本发明实施例公开了一种NC链路的切换方法、处理器系统和节点，其中，所述处理器系统中包括两个以上可相互通信的节点，每个节点包括一个节点控制器NC芯片、一个主机总线适配器HBA装置和至少一个CPU，所述NC芯片与所在节点内每一个CPU连接，所述HBA装置与所在节点内每一个CPU连接；所述NC芯片承载的NC链路与所述HBA装置承载的HBA链路相对应；所述方法包括：当检测到某一NC芯片出现故障时，将所述NC芯片承载的NC链路上的业务切换到对应的HBA链路上。通过使用HBA装置布置冗余链路，在保证处理器系统可靠性的前提下，有效降低布置冗余链路的成本。
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公开(公告)号：CN115589771A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110759641.5
申请日：2021-07-05
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种相变薄膜，包括堆叠设置的多层相变材料层，其中，每一所述相变材料层的材质包括Sb2Te3，所述相变薄膜中还含有掺杂元素，且所述掺杂元素的质量百分含量按照所述相变材料层逐层递增或者逐层递减。通过掺杂元素在各相变材料层中的逐层梯度掺杂，该相变薄膜可以兼顾较高的非晶态稳定性和较快的晶化速度。本申请实施例还提供了该相变薄膜的制备方法及采用该相变薄膜的相变存储器。
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