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公开(公告)号：CN119252304A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411165656.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请公开了一种存储装置和处理数据的方法，属于计算机技术领域。其中，存储装置包括控制器和存储介质，存储介质包括指令解码器和多个存储单元，控制器和存储介质的指令解码器连接。控制器，用于向存储介质的指令解码器发送第一处理指令，该第一处理指令包括第一信息和第二信息，第一信息用于指示处理方式，第二信息用于指示需要处理的数据的数据长度。相应地，存储介质的指令解码器，用于接收控制器发送的第一处理指令，基于第二信息指示的数据长度，从存储介质的多个存储单元中确定至少两个目标存储单元，从而基于至少两个目标存储单元，按照第一信息指示的处理方式进行数据处理。本申请实施例减少了控制器需要发送的处理指令的数量。
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公开(公告)号：CN119207498A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411163313.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种存储器的数据写入方法及装置，属于存储器技术领域。该方法包括：存储器接收控制器指示向存储器写入指定长度的数据的写指令；存储器基于写指令向存储器的存储介质写入指定长度的数据。由于写指令能够指定待写入数据的长度，使得在需要写入指定长度的数据时，能够减少需要发送的写指令的条数，减小了写指令的开销。
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公开(公告)号：CN115589770A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202110759571.3
申请日：2021-07-05
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种超晶格相变薄膜，包括第一相变材料层和第二相变材料层，所述第一相变材料层和所述第二相变材料层交替堆叠形成周期性结构，其中，所述第一相变材料层的材质包括Te3As2或SiTe2，所述第二相变材料层的材质包括GeTe。该超晶格相变薄膜在相变过程中不会被加热到其熔化温度以上，其相变功耗大大降低。本申请实施例还提供了采用该超晶格相变薄膜的相变存储器。
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公开(公告)号：CN116705114A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210191660.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种存储器的数据写入方法及装置，属于存储器技术领域。该方法包括：存储器接收控制器指示向存储器写入指定长度的数据的写指令；存储器基于写指令向存储器的存储介质写入指定长度的数据。由于写指令能够指定待写入数据的长度，使得在需要写入指定长度的数据时，能够减少需要发送的写指令的条数，减小了写指令的开销。
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公开(公告)号：CN106025063B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201610339183.9
申请日：2016-05-19
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明实施例公开一种磁隧道结MTJ以及磁存储器，该MTJ从上到下依次包括第一铁磁层、势垒层、第二铁磁层、缓冲层、第三铁磁层和重金属层，其中：第一铁磁层、第二铁磁层和第三铁磁层均包括混合金属材料，势垒层包括金属氧化物材料，缓冲层包括非铁磁材料；第一铁磁层的磁化方向为固定方向，第二铁磁层与第三铁磁层形成铁磁耦合或反铁磁耦合。实施本发明实施例，可以提高磁隧道结中的第三铁磁层的磁化方向的翻转速度，提高MTJ的可靠性，并可以降低写入电流，从而降低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106025063A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610339183.9
申请日：2016-05-19
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明实施例公开一种磁隧道结MTJ以及磁存储器，该MTJ从上到下依次包括第一铁磁层、势垒层、第二铁磁层、缓冲层、第三铁磁层和重金属层，其中：第一铁磁层、第二铁磁层和第三铁磁层均包括混合金属材料，势垒层包括金属氧化物材料，缓冲层包括非铁磁材料；第一铁磁层的磁化方向为固定方向，第二铁磁层与第三铁磁层形成铁磁耦合或反铁磁耦合。实施本发明实施例，可以提高磁隧道结中的第三铁磁层的磁化方向的翻转速度，提高MTJ的可靠性，并可以降低写入电流，从而降低功耗。
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公开(公告)号：CN116705117A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210191674.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种存储器的访问方法及装置，属于存储器技术领域。该方法包括：存储器接收控制器指示对存储器的指定地址进行访问的访问指令，访问指令携带有控制参数的配置值，控制参数用于影响对指定地址的访问结果；存储器基于配置值执行访问指令指示的访问操作。由于访问指令携带有控制参数的配置值，控制参数用于影响对指定地址的访问结果，能够通过配置值优化控制参数，影响存储器的访问结果，有利于存储器的性能优化。
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公开(公告)号：CN115188404A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110485385.5
申请日：2021-04-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请公开了一种存储装置和处理数据的方法，属于计算机技术领域。其中，存储装置包括控制器和存储介质，存储介质包括指令解码器和多个存储单元，控制器和存储介质的指令解码器连接。控制器，用于向存储介质的指令解码器发送第一处理指令，该第一处理指令包括第一信息和第二信息，第一信息用于指示处理方式，第二信息用于指示需要处理的数据的数据长度。相应地，存储介质的指令解码器，用于接收控制器发送的第一处理指令，基于第二信息指示的数据长度，从存储介质的多个存储单元中确定至少两个目标存储单元，从而基于至少两个目标存储单元，按照第一信息指示的处理方式进行数据处理。本申请实施例减少了控制器需要发送的处理指令的数量。
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公开(公告)号：CN119207500A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411165146.1
申请日：2022-02-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C8/08
Abstract: 本申请公开了一种存储器的访问方法及装置，属于存储器技术领域。该方法包括：存储器接收控制器指示对存储器的指定地址进行访问的访问指令，访问指令携带有控制参数的配置值，控制参数用于影响对指定地址的访问结果；存储器基于配置值执行访问指令指示的访问操作。由于访问指令携带有控制参数的配置值，控制参数用于影响对指定地址的访问结果，能够通过配置值优化控制参数，影响存储器的访问结果，有利于存储器的性能优化。
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公开(公告)号：CN115458598A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110644456.1
申请日：2021-06-09
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11585
Abstract: 本申请提出了一种铁电晶体管，其特征在于，该铁电晶体管包括：衬底，以及设置在该衬底第一面上的源电极、漏电极以及至少两个栅电极区域，该至少两个栅电极区域设置于源电极和漏电极之间；其中，至少两个栅电极区域中每个该栅电极区域中包括：依次堆叠设置在衬底上的铁电层和栅电极；绝缘体，设置于该至少两个栅电极区域之间，该铁电晶体管能够实现多值存储，且制造工艺简单。
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