公开(公告)号：CN115589771A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202110759641.5

申请日：2021-07-05

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 程晓敏 ,  刘香君 ,  曾运韬 ,  缪向水 ,  马平 ,  谭海波 ,  李响

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本申请实施例提供了一种相变薄膜，包括堆叠设置的多层相变材料层，其中，每一所述相变材料层的材质包括Sb2Te3，所述相变薄膜中还含有掺杂元素，且所述掺杂元素的质量百分含量按照所述相变材料层逐层递增或者逐层递减。通过掺杂元素在各相变材料层中的逐层梯度掺杂，该相变薄膜可以兼顾较高的非晶态稳定性和较快的晶化速度。本申请实施例还提供了该相变薄膜的制备方法及采用该相变薄膜的相变存储器。

公开(公告)号：CN117693205A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202211057851.0

申请日：2022-08-29

Applicant: 华为技术有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  王璐 ,  缪向水 ,  吴全潭 ,  陈一峰 ,  谭海波

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 本申请实施例公开了一种存储器、存储装置和电子设备，属于存储技术领域。该存储器中包括多个存储单元，每个存储单元包括两层电极层、及位于该两层电极层之间的多层相变层；每层相变层包括绝缘基体和相变体，每层相变层的绝缘基体上具有第一通孔，每层相变层的相变体填充于所述第一通孔中；在多层相变层中，相邻两层相变层的两个相变体接触；在该两个相变体的截面积相等的情况下，该两个相变体所接触的面积小于该两个相变体的截面积；相变体的截面积是相变体的垂直于第一通孔孔轴方向的截面的面积。本申请提供的存储器中的存储单元能够实现多值存储。

公开(公告)号：CN115589770A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202110759571.3

申请日：2021-07-05

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 程晓敏 ,  张博凯 ,  曾运韬 ,  缪向水 ,  马平 ,  廖宇 ,  石晓钟

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本申请实施例提供了一种超晶格相变薄膜，包括第一相变材料层和第二相变材料层，所述第一相变材料层和所述第二相变材料层交替堆叠形成周期性结构，其中，所述第一相变材料层的材质包括Te3As2或SiTe2，所述第二相变材料层的材质包括GeTe。该超晶格相变薄膜在相变过程中不会被加热到其熔化温度以上，其相变功耗大大降低。本申请实施例还提供了采用该超晶格相变薄膜的相变存储器。