公开(公告)号：CN119863104A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202311374994.9

申请日：2023-10-20

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李夏冰 ,  赵智彪 ,  贾毅 ,  石昊天 ,  郑运锋

IPC: G06Q10/0633 ,  H01L21/67 ,  G06Q10/0639 ,  G06Q50/04

Abstract: 本申请提供一种半导体设备的腔室匹配分析器及匹配方法、制造执行系统，涉及半导体设备技术领域，该匹配方法包括：先采集多个腔室的工艺参数，将最佳腔室的工艺参数作为目标工艺参数，最佳腔室的产品良率大于多个腔室中任意一个的产品良率。然后，计算每个腔室的工艺参数与目标工艺参数的差异度，将差异度超出设定范围的腔室认定为不匹配腔室，实现了对各腔室匹配度的分析，及对不匹配腔室的定位。最后，通过调整不匹配腔室内工艺部件的硬件参数，直至该腔室的差异度处于设定范围内，以实现腔室的匹配，有利于提升产品的良率，且该匹配方法的难度较低、成本较低。上述匹配方法可应用于制造执行系统中，以实现设备的腔室匹配。

公开(公告)号：CN117177554A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202210562610.5

申请日：2022-05-23

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 童哲源 ,  李夏冰 ,  宋伟基 ,  许俊豪 ,  徐建华 ,  肖张茹

IPC: H10B12/00 ,  H10B41/00 ,  H10B43/00 ,  H05K1/09 ,  H05K1/18 ,  H05K3/10

Abstract: 本申请提供一种电子器件、芯片、电路板和电子设备，涉及半导体技术领域，可以利用黏附层，提高第一金属层与介电层的层间结合力。该电子器件包括衬底，依次层叠设置在衬底上介电层、黏附层、以及第一金属层；所述黏附层的材料包括所述第一金属层的材料的至少一种元素和所述介电层的材料的至少一种元素。