公开(公告)号：CN119922955A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202311417684.0

申请日：2023-10-27

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李文畅 ,  刘磊 ,  常远 ,  张硕 ,  余德钦 ,  姚渊 ,  韦庆松

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及电子设备，半导体器件包括：半导体衬底、第一阻挡层、金属硅化物层、栅极堆叠结构及栅侧墙，半导体衬底包括沟道区以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区，第一阻挡层位于源极区和漏极区上，金属硅化物层覆盖于源极区和漏极区上的第一阻挡层背向半导体衬底的一侧。源极区和漏极区分别形成有凹槽，凹槽中填充有第一半导体材料。第一阻挡层包括掺杂有第一掺杂离子的第二半导体材料，金属硅化物层的材料的晶格结构与第一半导体材料的晶格结构不同。由此设置，通过在金属硅化物层与第一半导体材料之间设置第一阻挡层，能够避免第一半导体材料与金属硅化物层直接接触产生材料团聚和析出，提高半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN119993954A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202311493788.X

申请日：2023-11-09

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 常远 ,  姚渊 ,  宋伟基 ,  许俊豪

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请提供一种芯片、其制作方法及电子设备，芯片包括晶体管、金属硅化物层、刻蚀停止层、层间介质层和多个第一接触孔，金属硅化物层至少设于晶体管的源极和漏极之上，第一接触孔贯穿刻蚀停止层和层间介质层；芯片还包括阻挡层，阻挡层设于金属硅化物层与刻蚀停止层之间，在刻蚀停止层的刻蚀条件下，刻蚀停止层的刻蚀速率大于阻挡层的刻蚀速率。这样在对刻蚀停止层进行刻蚀时，可以有利于避免对阻挡层产生刻蚀，使得阻挡层可以起到停止刻蚀的作用，避免对金属硅化物层产生刻蚀，对金属硅化物层进行了保护，即使金属硅化物层较薄时也不会影响到晶体管中的源极和漏极，对源极和漏极起到了保护作用，从而提高了芯片的制作良率。