公开(公告)号：CN119922955A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202311417684.0

申请日：2023-10-27

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李文畅 ,  刘磊 ,  常远 ,  张硕 ,  余德钦 ,  姚渊 ,  韦庆松

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及电子设备，半导体器件包括：半导体衬底、第一阻挡层、金属硅化物层、栅极堆叠结构及栅侧墙，半导体衬底包括沟道区以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区，第一阻挡层位于源极区和漏极区上，金属硅化物层覆盖于源极区和漏极区上的第一阻挡层背向半导体衬底的一侧。源极区和漏极区分别形成有凹槽，凹槽中填充有第一半导体材料。第一阻挡层包括掺杂有第一掺杂离子的第二半导体材料，金属硅化物层的材料的晶格结构与第一半导体材料的晶格结构不同。由此设置，通过在金属硅化物层与第一半导体材料之间设置第一阻挡层，能够避免第一半导体材料与金属硅化物层直接接触产生材料团聚和析出，提高半导体器件的性能。