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公开(公告)号：CN119072140A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311845469.0
申请日：2023-12-28
Abstract: 本申请涉及顶入射量子点器件技术领域，具体涉及一种界面双端钝化的顶入射量子点器件及其制备方法，界面双端钝化的顶入射量子点器件，包括依次设置的底电极、空穴传输层、PbS量子点吸光层、界面钝化层、电子传输层以及顶电极，界面钝化层包括配体一端具有的硅氧结构或铝氧结构的PbS量子点。本申请具有提升薄膜间结合力，实现器件整体暗电流的降低，提升器件热稳定性的效果。
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