-
公开(公告)号：CN105406856A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510765438.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/21
CPC classification number: H03K19/21
Abstract: 本发明公开了一种2m×2kAPD阵列地址编码主动输出电路，属于APD阵列领域；现有的无扫描输出只能实现单点像素地址的输出；本发明提供的主动输出电路，通过地址控制电路控制地址编码电路的输出开关，经地址输出电路输出对应的像元块首地址，通过后续处理电路得到四个单元地址，无需复杂的时序控制电路，效率高，速度快。
-
公开(公告)号：CN105357820B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510759842.X
申请日：2015-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种2×2APD像元块四通道选择电路，每个独立的APD单元包括地址选择控制电路和四通道选择电路，地址选择控制电路通过光检测产生的控制信号，与四通道选择电路开关相连，其中，每个单元的控制信号与自身的通道1连接，并分别连到2×2像元块中另外三个APD单元的通道2、通道3和通道4上。每次光照，只有像元块首地址输出控制信号有效，从而保证像元块电压依次从四个通道输出。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110299430B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201910490246.4
申请日：2019-06-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域，公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液，将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积，对应得到20‑500nm厚的薄膜，利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜；(2)将衬底进行整体退火敏化处理；制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计、以及关键化学浴沉积的参数条件等进行改进，能够解决现有半导体薄膜光电探测器制备条件复杂、大规模生产成本高昂、工艺可靠性低和难以实现柔性化的问题。
-
公开(公告)号：CN105425012B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510763277.4
申请日：2015-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于连续窄脉冲下的APD像元电压读取电路，设有探测器、可变增益跨阻放大器(TIA)、共模信号采样电路、自复位比较器和可变增益放大器(VGA)。探测器的输出端连接可变增益跨阻放大器(TIA)的输入端，可变增益跨阻放大器(TIA)的输出端连接共模信号采样电路的输入端，以及自复位比较器的一个输入端，以及可变增益放大器(VGA)的一个输入端，共模信号采样电路的输出端连接自复位比较器的另一个输入端，以及可变增益放大器(VGA)的另一个输入端，自复位比较器的输出端为使能信号输出，可变增益放大器(VGA)的输出端为放大差模电压信号输出。
-
公开(公告)号：CN110299430A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910490246.4
申请日：2019-06-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件领域，公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液，将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积，对应得到20-500nm厚的薄膜，利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜；(2)将衬底进行整体退火敏化处理；制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计、以及关键化学浴沉积的参数条件等进行改进，能够解决现有半导体薄膜光电探测器制备条件复杂、大规模生产成本高昂、工艺可靠性低和难以实现柔性化的问题。
-
公开(公告)号：CN105425012A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510763277.4
申请日：2015-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于连续窄脉冲下的APD像元电压读取电路，设有探测器、可变增益跨阻放大器(TIA)、共模信号采样电路、自复位比较器和可变增益放大器(VGA)。探测器的输出端连接可变增益跨阻放大器(TIA)的输入端，可变增益跨阻放大器(TIA)的输出端连接共模信号采样电路的输入端，以及自复位比较器的一个输入端，以及可变增益放大器(VGA)的一个输入端，共模信号采样电路的输出端连接自复位比较器的另一个输入端，以及可变增益放大器(VGA)的另一个输入端，自复位比较器的输出端为使能信号输出，可变增益放大器(VGA)的输出端为放大差模电压信号输出。
-
公开(公告)号：CN105357820A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510759842.X
申请日：2015-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种2×2APD像元块四通道选择电路，每个独立的APD单元包括地址选择控制电路和四通道选择电路，地址选择控制电路通过光检测产生的控制信号，与四通道选择电路开关相连，其中，每个单元的控制信号与自身的通道1连接，并分别连到2×2像元块中另外三个APD单元的通道2、通道3和通道4上。每次光照，只有像元块首地址输出控制信号有效，从而保证像元块电压依次从四个通道输出。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.027 seconds)
