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公开(公告)号：CN113087518B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110232673.X
申请日：2021-03-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01Q15/02 , H01Q19/06
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷、微波介质陶瓷调控剂及其3D打印透镜加载介质谐振器天线。微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学式是Ba(1‑x)*(1‑y)Sr(1‑x)*yZn2‑0.2xSi2‑xO7‑3.2x，0≤x≤1，0≤y≤0.8。该陶瓷具有低介电常数(εr＝6.5～8.6)、较高的品质因数(Q×f＝7676～109094GHz)、烧结温度为(1200℃～1350℃)，其热膨胀系数可以自调控，范围为‑10～10.1ppm/℃，是一种具有热膨胀系数自调控的微波介质陶瓷材料，该微波介质陶瓷可以作为一种3D打印透镜加载介质谐振器天线，其介质谐振器结构由上部分的陶瓷透镜、中间部分支撑结构和下部分的陶瓷圆柱经3D打印一体化制成。本发明适用于变温场景的5G高频段通信系统，具有高增益、高效率、高热稳定性、结构简单、易集成的特点，解决现有毫米波介质谐振器天线增益较低的难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113087518A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110232673.X
申请日：2021-03-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01Q15/02 , H01Q19/06
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷、微波介质陶瓷调控剂及其3D打印透镜加载介质谐振器天线。微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学式是Ba(1‑x)*(1‑y)Sr(1‑x)*yZn2‑0.2xSi2‑xO7‑3.2x，0≤x≤1，0≤y≤0.8。该陶瓷具有低介电常数(εr＝6.5～8.6)、较高的品质因数(Q×f＝7676～109094GHz)、烧结温度为(1200℃～1350℃)，其热膨胀系数可以自调控，范围为‑10～10.1ppm/℃，是一种具有热膨胀系数自调控的微波介质陶瓷材料，该微波介质陶瓷可以作为一种3D打印透镜加载介质谐振器天线，其介质谐振器结构由上部分的陶瓷透镜、中间部分支撑结构和下部分的陶瓷圆柱经3D打印一体化制成。本发明适用于变温场景的5G高频段通信系统，具有高增益、高效率、高热稳定性、结构简单、易集成的特点，解决现有毫米波介质谐振器天线增益较低的难题。
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公开(公告)号：CN106927804B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710152015.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/195 , C04B35/63 , C04B35/16
CPC classification number: C04B35/16 , C01B33/24 , C04B35/195 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/445 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , H05K1/0306
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷、微波介质陶瓷温频特性调节剂及其LTCC材料，微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学式是BaSixO2x+1(1.56≤x≤1.85)。该陶瓷具有低介电常数(εr＝7.1～7.9)、较高的品质因数(Q×f＝10973～20350GHz)、较宽的烧结温度(750℃～1250℃)，同时主晶相在还原性气氛N2‑1vol％H2中烧结后仍具有优异的微波介电性能，是一种具有良好抗还原性的微波介质陶瓷材料，该微波介质陶瓷可以作为一种微波介质陶瓷温频特性调控剂，其在还原性气氛中能保持稳定的相结构和良好的微波介电性能(抗还原性)，较传统调节剂有明显的优势，是一种能应用于BME‑MLCC的新型温频特性调节剂。
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公开(公告)号：CN106927804A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710152015.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/195 , C04B35/63 , C04B35/16
CPC classification number: C04B35/16 , C01B33/24 , C04B35/195 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/445 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , H05K1/0306 , C04B35/6303 , C04B2235/602 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/94
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷、微波介质陶瓷温频特性调节剂及其LTCC材料，微波介质陶瓷包括主晶相，主晶相的化学式是BaSixO2x+1(1.56≤x≤1.85)。该陶瓷具有低介电常数(εr＝7.1～7.9)、较高的品质因数(Q×f＝10973～20350GHz)、较宽的烧结温度(750℃～1250℃)，同时主晶相在还原性气氛N2‑1vol％H2中烧结后仍具有优异的微波介电性能，是一种具有良好抗还原性的微波介质陶瓷材料，该微波介质陶瓷可以作为一种微波介质陶瓷温频特性调控剂，其在还原性气氛中能保持稳定的相结构和良好的微波介电性能(抗还原性)，较传统调节剂有明显的优势，是一种能应用于BME‑MLCC的新型温频特性调节剂。
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公开(公告)号：CN105399405B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510963435.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法,该低介微波铁电陶瓷的化学通式为xBaO‑yZnO‑zSiO2；其中，1≤x≤2，0≤y≤2，1≤z≤2；其制备方法，包括如下步骤：(1)对BaO、ZnO和SiO2的混合物进行湿法球磨处理，并烘干后进行预烧，获得xBaO‑yZnO‑zSiO2基体陶瓷粉体；(2)对基体陶瓷粉体进行湿法球磨处理，烘干后加入聚乙烯醇造粒，压片后烧结，获得低介微波铁电陶瓷；在球磨处理中采用去离子水作分散剂，能制备出致密的铁电体单相，且制备温度低于Cu或Ni的熔点，所制备的低介微波铁电陶瓷具有优异的微波介电性能和抗还原特性，具有介电常数小、微波介电损耗低的特点，可通过改变其晶格结构来调控其τf值，适于作BME‑MLCC的介质材料。
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公开(公告)号：CN105399405A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510963435.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/626 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/6264 , C04B35/64 , C04B2235/3215 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/6583 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法,该低介微波铁电陶瓷的化学通式为xBaO-yZnO-zSiO2；其中，1≤x≤2，0≤y≤2，1≤z≤2；其制备方法，包括如下步骤：(1)对BaO、ZnO和SiO2的混合物进行湿法球磨处理，并烘干后进行预烧，获得xBaO-yZnO-zSiO2基体陶瓷粉体；(2)对基体陶瓷粉体进行湿法球磨处理，烘干后加入聚乙烯醇造粒，压片后烧结，获得低介微波铁电陶瓷；在球磨处理中采用去离子水作分散剂，能制备出致密的铁电体单相，且制备温度低于Cu或Ni的熔点，所制备的低介微波铁电陶瓷具有优异的微波介电性能和抗还原特性，具有介电常数小、微波介电损耗低的特点，可通过改变其晶格结构来调控其τf值，适于作BME-MLCC的介质材料。
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