公开(公告)号：CN117810305A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311862981.6

申请日：2023-12-28

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 谭仕周 ,  赵永明 ,  彭孟 ,  许丹 ,  吴峰 ,  陈长清 ,  戴江南

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/00 ,  H01L33/60 ,  H01S5/183

Abstract: 本申请涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器的制备方法；所述制备方法包括：在AlN缓冲层表面上交替沉积硅掺杂AlGaN层和未掺杂AlGaN层，得到复合AlGaN层；在复合AlGaN层至少部分表面固定连接电极金属，得到处理电极；采用酸性电解液电化学刻蚀处理电极，得到多孔AlGaN样品；采用酸溶液对多孔AlGaN样品进行浸泡处理，后干燥处理后的多孔AlGaN样品，得到AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器；电化学刻蚀的蚀刻偏压＞30V；该方法克服了分布式布拉格反射器中AlGaN层存在的低折射率差、大晶格失配和高应变积累的缺陷。

公开(公告)号：CN116936697A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310818143.2

申请日：2023-07-05

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 蹇鹏承 ,  谭仕周 ,  尹君扬 ,  吴峰 ,  陈长清 ,  戴江南

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/26 ,  H01L33/00

Abstract: 本申请涉及一种布拉格反射器，所述布拉格反射器包括：布拉格光学层，所述布拉格光学层交替层叠设置的未掺杂的u‑AlGaN层与n型掺杂的多孔的n‑AlGaN层。本申请实施例提供的布拉格反射器，包括有交替层叠设置的未掺杂的u‑AlGaN层与n型掺杂的多孔的n‑AlGaN层，可通过利用激发光场局域以增强光吸收和发射光谐振以增强光发射，且本申请中n‑AlGaN层的多孔结构可以通过电化学腐蚀实现，因此具有容易制备、不容易引入杂质和缺陷的优点。