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公开(公告)号:CN120016278A
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202510135451.4
申请日:2025-02-07
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01S5/10
Abstract: 本申请公开了一种半导体激光器及其制备方法,该半导体激光器,包括:衬底层;回音壁微腔,设置在衬底层一侧,回音壁微腔包括在衬底层上依次层叠设置的第一限制层、有源层以及第二限制层,有源层设置有沿垂直于衬底层方向的N个第一通孔,N为大于或者等于1的正整数,有源层在衬底层上的正投影区域的几何中心点为第一中心点,第一通孔在衬底层上的正投影区域的几何中心点为第二中心点,第一中心点与第二中心点互不重叠,且当N大或等于2时,任意两个第一通孔对应的第二中心点相对于第一中心点非对称设置;第一电极,与第一限制层欧姆接触;第二电极与第二限制层欧姆接触本申请提供的半导体激光器可实现激光单向出射。
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公开(公告)号:CN119944432A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510123953.5
申请日:2025-01-26
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请公开一种深紫外光子晶体面发射激光器,涉及半导体光电技术领域。深紫外光子晶体面发射激光器包括:衬底层、氮化铝模板层、第一布拉格反射层、外延结构和第二布拉格反射层;氮化铝模板层设置于第一布拉格反射层与衬底层之间,外延结构设置于第二布拉格反射层与第一布拉格反射层之间;其中,第一布拉格反射层包括周期性排列的气孔型光子晶体结构、多个第一子层和多个第二子层,第一子层包括Alx1Ga1‑x1N材料,第二子层包括Alx2Ga1‑x2N材料,0.3≤x1≤0.4,0.45≤x2≤0.55。本申请降低了深紫外光子晶体面发射激光器的激射阈值,并提高了深紫外光子晶体面发射激光器的激射功率。
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