公开(公告)号：CN101431127B

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810236695.8

申请日：2008-12-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  赵伯芳 ,  王慧娟 ,  陈宇 ,  宋志成 ,  曾瑜

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，所选用的柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜)。其主要工艺步骤为：(1)清洗柔性衬底(PI膜)；(2)预烘PI膜；(3)制备Al背电极；(4)制备ZnO薄膜缓冲层；(5)利用PECVD制备NIP非晶硅薄膜；(6)制备Al前电极。本发明由于采用PI膜预烘工艺和ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。

公开(公告)号：CN101431128B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810236696.2

申请日：2008-12-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  赵伯芳 ,  王慧娟 ,  宋志成 ,  陆晶晶 ,  曾瑜

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种非晶硅叠层薄膜太阳能电池的制备工艺，该电池采用“玻璃衬底/TCO(透明导电薄膜)/顶层PIN非晶硅薄膜/第二层PIN非晶硅薄膜/第三层PIN非晶硅薄膜/Al底电极”结构的太阳能电池模型。其主要工艺步骤为：(1)清洗基片；(2)制备TCO(透明导电薄膜)；(3)制备顶层PIN非晶硅薄膜；(4)制备第二层PIN非晶硅薄膜；(5)制备第三层PIN非晶硅薄膜；(6)制备Al电极。此叠层太阳能电池最大的特点在于把不同禁带宽度的材料组合在一起，加宽了光谱响应的范围并有效阻止光致衰退的发生，使得电池的光电转换效率及稳定性得到提高。同时制备工艺简单，可实现规模生产。

公开(公告)号：CN1546724A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200310111568.2

申请日：2003-12-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张五星 ,  王长安 ,  周雪梅 ,  赵伯芳 ,  尹盛

IPC: C23C18/00

Abstract: 本发明公开了一种制备铁电薄膜/厚膜的方法，该方法包括：在衬底上刻出凹槽阵列；配制粉末溶胶，即把铁电微粉与相应的铁电材料溶胶混合，得到粉末溶胶；将配制好的粉末溶胶涂于衬底上，用流延法制备薄膜/厚膜，流延设备中的刀片与有凹槽一面的衬底紧贴，在流延之后，衬底上有凹槽的地方填有粉末溶胶；将上述得到的薄膜/厚膜进行热处理；去掉非凹槽部分的铁电膜，即得到铁电薄膜/厚膜。使用该方法能够得到单元厚度均匀、致密的，而且阵列单元的膜厚和形状不同的铁电薄膜/厚膜。

公开(公告)号：CN101431128A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810236696.2

申请日：2008-12-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  赵伯芳 ,  王慧娟 ,  宋志成 ,  陆晶晶 ,  曾瑜

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种非晶硅叠层薄膜太阳能电池的制备工艺，该电池采用“玻璃衬底/TCO(透明导电薄膜)/顶层PIN非晶硅薄膜/第二层PIN非晶硅薄膜/第三层PIN非晶硅薄膜/Al底电极”结构的太阳能电池模型。其主要工艺步骤为：(1)清洗基片；(2)制备TCO(透明导电薄膜)；(3)制备顶层PIN非晶硅薄膜；(4)制备第二层PIN非晶硅薄膜；(5)制备第三层PIN非晶硅薄膜；(6)制备Al电极。此叠层太阳能电池最大的特点在于把不同禁带宽度的材料组合在一起，加宽了光谱响应的范围并有效阻止光致衰退的发生，使得电池的光电转换效率及稳定性得到提高。同时制备工艺简单，可实现规模生产。

公开(公告)号：CN101431127A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810236695.8

申请日：2008-12-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  赵伯芳 ,  王慧娟 ,  陈宇 ,  宋志成 ,  曾瑜

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，所选用的柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜)。其主要工艺步骤为：(1)清洗柔性衬底(PI膜)；(2)预烘PI膜；(3)制备Al背电极；(4)制备ZnO薄膜缓冲层；(5)利用PECVD制备NIP非晶硅薄膜；(6)制备Al前电极。本发明由于采用PI膜预烘工艺和ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。

公开(公告)号：CN1233871C

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200310111568.2

申请日：2003-12-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张五星 ,  王长安 ,  周雪梅 ,  赵伯芳 ,  尹盛

IPC: C23C18/00

Abstract: 本发明公开了一种制备铁电薄膜或厚膜的方法，该方法包括：在衬底上刻出凹槽阵列；配制粉末溶胶，即把铁电微粉与相应的铁电材料溶胶混合，得到粉末溶胶；将配制好的粉末溶胶涂于衬底上，用流延法制备薄膜或厚膜，流延设备中的刀片与有凹槽一面的衬底紧贴，在流延之后，衬底上有凹槽的地方填有粉末溶胶；将上述得到的薄膜或厚膜进行热处理；去掉非凹槽部分的铁电膜，即得到铁电薄膜或厚膜。使用该方法能够得到单元厚度均匀、致密的，而且阵列单元的膜厚和形状不同的铁电薄膜或厚膜。