公开(公告)号：CN101431128B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810236696.2

申请日：2008-12-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  赵伯芳 ,  王慧娟 ,  宋志成 ,  陆晶晶 ,  曾瑜

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种非晶硅叠层薄膜太阳能电池的制备工艺，该电池采用“玻璃衬底/TCO(透明导电薄膜)/顶层PIN非晶硅薄膜/第二层PIN非晶硅薄膜/第三层PIN非晶硅薄膜/Al底电极”结构的太阳能电池模型。其主要工艺步骤为：(1)清洗基片；(2)制备TCO(透明导电薄膜)；(3)制备顶层PIN非晶硅薄膜；(4)制备第二层PIN非晶硅薄膜；(5)制备第三层PIN非晶硅薄膜；(6)制备Al电极。此叠层太阳能电池最大的特点在于把不同禁带宽度的材料组合在一起，加宽了光谱响应的范围并有效阻止光致衰退的发生，使得电池的光电转换效率及稳定性得到提高。同时制备工艺简单，可实现规模生产。

公开(公告)号：CN101431127B

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810236695.8

申请日：2008-12-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  赵伯芳 ,  王慧娟 ,  陈宇 ,  宋志成 ,  曾瑜

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，所选用的柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜)。其主要工艺步骤为：(1)清洗柔性衬底(PI膜)；(2)预烘PI膜；(3)制备Al背电极；(4)制备ZnO薄膜缓冲层；(5)利用PECVD制备NIP非晶硅薄膜；(6)制备Al前电极。本发明由于采用PI膜预烘工艺和ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。

公开(公告)号：CN101431128A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810236696.2

申请日：2008-12-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  赵伯芳 ,  王慧娟 ,  宋志成 ,  陆晶晶 ,  曾瑜

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种非晶硅叠层薄膜太阳能电池的制备工艺，该电池采用“玻璃衬底/TCO(透明导电薄膜)/顶层PIN非晶硅薄膜/第二层PIN非晶硅薄膜/第三层PIN非晶硅薄膜/Al底电极”结构的太阳能电池模型。其主要工艺步骤为：(1)清洗基片；(2)制备TCO(透明导电薄膜)；(3)制备顶层PIN非晶硅薄膜；(4)制备第二层PIN非晶硅薄膜；(5)制备第三层PIN非晶硅薄膜；(6)制备Al电极。此叠层太阳能电池最大的特点在于把不同禁带宽度的材料组合在一起，加宽了光谱响应的范围并有效阻止光致衰退的发生，使得电池的光电转换效率及稳定性得到提高。同时制备工艺简单，可实现规模生产。

公开(公告)号：CN101431127A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810236695.8

申请日：2008-12-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  赵伯芳 ,  王慧娟 ,  陈宇 ,  宋志成 ,  曾瑜

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，所选用的柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜)。其主要工艺步骤为：(1)清洗柔性衬底(PI膜)；(2)预烘PI膜；(3)制备Al背电极；(4)制备ZnO薄膜缓冲层；(5)利用PECVD制备NIP非晶硅薄膜；(6)制备Al前电极。本发明由于采用PI膜预烘工艺和ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。