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公开(公告)号:CN110910933B
公开(公告)日:2021-10-15
申请号:CN201911127673.2
申请日:2019-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种三维存储器及其读取方法,包括相变存储单元和选通管,其中,相变存储单元与选通管串联形成串联结构,位于字线和位线之间,字线和位线进行多层堆叠形成立体结构,当相变存储单元处于高阻态,且选通管刚刚开启时,相变存储单元两端的电压小于相变存储单元从高阻态转变为低阻态的阈值电压,使得相变存储单元不足以发生相变,只有当三维存储器两端的电压继续增加使相变存储单元两端电压超过其阈值电压时,相变存储单元才会发生相变,增大了读取电压的范围,可选读取电压的裕度较大,减小误读和误操作的问题,增大了对于相变单元阈值电压的利用率,减小了对于相变存储单元阈值电压大小的要求。
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公开(公告)号:CN111992880B
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN202011052312.9
申请日:2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光焊接相关技术领域,其公开了一种用于曲线轨迹激光焊接的柔性装置,装置包括:底座;设于底座两端的第一支撑架和第二支撑架,其中,第一支撑架包括一端固定连接于底座的第一液压杆以及与第一液压杆另一端转动连接的第一导轨支撑架;第二支撑架包括一端转动连接于底座的第二液压杆以及与第二液压杆转动连接的第二导轨支撑架;第一同步带线性双联模组包括两端分别固定于第一导轨支撑架和第二导轨支撑架上的第一导轨以及第一伺服电机;第二同步带线性双联模组包括两个两端设于第一导轨并与第一导轨垂直的第二导轨以及第二伺服电机,第二导轨上设有装夹平台。该装置可实现多角度焊接,焊接方位灵活,普适性广。
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公开(公告)号:CN110707209A
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201910828704.0
申请日:2019-09-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子器件及存储器技术领域,公开了一种三维堆叠相变存储器及其制备方法,其中制备方法具体是:先在衬底上制备水平电极层与绝缘层交叉堆叠设置的多层结构,然后刻蚀形成沟槽以及分立的三维条状电极,接着在沟槽内填充绝缘介质,接着再在三维条状电极与绝缘介质的交界区域形成小孔,依次在小孔壁上沉积相变材料、再在小孔内填充电极材料制备垂直电极,即可得到多层堆叠的三维堆叠相变存储器。本发明通过对制备方法的整体流程工艺进行改进,相应能够实现利用垂直电极结构建立三维相变存储阵列,与现有技术相比能够有效解决现有的三维堆叠相变存储器件在工艺制备中存在的多层堆叠步骤复杂、工艺实现难度大以及单元尺寸微缩等的问题。
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公开(公告)号:CN110910933A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201911127673.2
申请日:2019-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种三维存储器及其读取方法,包括相变存储单元和选通管,其中,相变存储单元与选通管串联形成串联结构,位于字线和位线之间,字线和位线进行多层堆叠形成立体结构,当相变存储单元处于高阻态,且选通管刚刚开启时,相变存储单元两端的电压小于相变存储单元从高阻态转变为低阻态的阈值电压,使得相变存储单元不足以发生相变,只有当三维存储器两端的电压继续增加使相变存储单元两端电压超过其阈值电压时,相变存储单元才会发生相变,增大了读取电压的范围,可选读取电压的裕度较大,减小误读和误操作的问题,增大了对于相变单元阈值电压的利用率,减小了对于相变存储单元阈值电压大小的要求。
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公开(公告)号:CN109524543B
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201811084770.3
申请日:2018-09-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠相变存储器及其制备方法,其中制备方法具体是在衬底上制备彼此具有间距的第一水平电极;在第一水平电极间距间制备中央具有间隙的第一条状相变层;在第一条状相变层的间隙间制备第一选通管;制备第一绝缘层;在第一绝缘层上的相同垂直位置制备第二水平电极;然后制备第二条状相变层;接着制备第二选通管;然后,在水平电极间距间制备水平方向的绝缘孔;在相邻绝缘孔间制备垂直电极后形成垂直结构的多层堆叠的相变存储器。本发明通过对其关键制备方法的整体流程工艺设计,各个细节结构的形状设置等进行改进,能够有效解决三维堆叠相变存储器件在工艺制备中存在的多层堆叠步骤复杂,工艺实现难度大及单元尺寸微缩等问题。
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公开(公告)号:CN109524543A
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201811084770.3
申请日:2018-09-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠相变存储器及其制备方法,其中制备方法具体是在衬底上制备彼此具有间距的第一水平电极;在第一水平电极间距间制备中央具有间隙的第一条状相变层;在第一条状相变层的间隙间制备第一选通管;制备第一绝缘层;在第一绝缘层上的相同垂直位置制备第二水平电极;然后制备第二条状相变层;接着制备第二选通管;然后,在水平电极间距间制备水平方向的绝缘孔;在相邻绝缘孔间制备垂直电极后形成垂直结构的多层堆叠的相变存储器。本发明通过对其关键制备方法的整体流程工艺设计,各个细节结构的形状设置等进行改进,能够有效解决三维堆叠相变存储器件在工艺制备中存在的多层堆叠步骤复杂,工艺实现难度大及单元尺寸微缩等问题。
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公开(公告)号:CN110707209B
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN201910828704.0
申请日:2019-09-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子器件及存储器技术领域,公开了一种三维堆叠相变存储器及其制备方法,其中制备方法具体是:先在衬底上制备水平电极层与绝缘层交叉堆叠设置的多层结构,然后刻蚀形成沟槽以及分立的三维条状电极,接着在沟槽内填充绝缘介质,接着再在三维条状电极与绝缘介质的交界区域形成小孔,依次在小孔壁上沉积相变材料、再在小孔内填充电极材料制备垂直电极,即可得到多层堆叠的三维堆叠相变存储器。本发明通过对制备方法的整体流程工艺进行改进,相应能够实现利用垂直电极结构建立三维相变存储阵列,与现有技术相比能够有效解决现有的三维堆叠相变存储器件在工艺制备中存在的多层堆叠步骤复杂、工艺实现难度大以及单元尺寸微缩等的问题。
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公开(公告)号:CN110039206B
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN201910363228.X
申请日:2019-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23K26/70 , B23K37/04 , B23K37/047
Abstract: 本发明属于激光焊接领域,并具体公开了一种多功能激光焊接实验平台。该实验平台包括底座、第一移动单元、第二移动单元和支撑单元,其中第一移动单元和第二移动单元设置在底座的左右两侧,第一移动单元包括第一移动机架和带动其移动的第一传动机构,第二移动单元包括第二移动机架和带动其移动的第二传动机构,支撑单元中液压升降杆的一端与底座、第一移动机架或第二移动机架连接,其另一端与组合式平台块连接,用于装夹待加工焊件或监测装置,液压升降杆用于带动组合式平台块进行上下移动。本发明实现了组合式平台块的上下左右移动,使其构成的工作台面能够根据焊件的形状进行灵活调整,完成大型薄壁曲面焊件和超过平台长度的焊件的焊接实验。
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公开(公告)号:CN111992880A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN202011052312.9
申请日:2020-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光焊接相关技术领域,其公开了一种用于曲线轨迹激光焊接的柔性装置,装置包括:底座;设于底座两端的第一支撑架和第二支撑架,其中,第一支撑架包括一端固定连接于底座的第一液压杆以及与第一液压杆另一端转动连接的第一导轨支撑架;第二支撑架包括一端转动连接于底座的第二液压杆以及与第二液压杆转动连接的第二导轨支撑架;第一同步带线性双联模组包括两端分别固定于第一导轨支撑架和第二导轨支撑架上的第一导轨以及第一伺服电机;第二同步带线性双联模组包括两个两端设于第一导轨并与第一导轨垂直的第二导轨以及第二伺服电机,第二导轨上设有装夹平台。该装置可实现多角度焊接,焊接方位灵活,普适性广。
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公开(公告)号:CN110039206A
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201910363228.X
申请日:2019-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23K26/70 , B23K37/04 , B23K37/047
Abstract: 本发明属于激光焊接领域,并具体公开了一种多功能激光焊接实验平台。该实验平台包括底座、第一移动单元、第二移动单元和支撑单元,其中第一移动单元和第二移动单元设置在底座的左右两侧,第一移动单元包括第一移动机架和带动其移动的第一传动机构,第二移动单元包括第二移动机架和带动其移动的第二传动机构,支撑单元中液压升降杆的一端与底座、第一移动机架或第二移动机架连接,其另一端与组合式平台块连接,用于装夹待加工焊件或监测装置,液压升降杆用于带动组合式平台块进行上下移动。本发明实现了组合式平台块的上下左右移动,使其构成的工作台面能够根据焊件的形状进行灵活调整,完成大型薄壁曲面焊件和超过平台长度的焊件的焊接实验。
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