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公开(公告)号：CN110148667B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910293381.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种选通管器件的预处理方法，包括:(1)通过选取电压扫描范围且设置第一限制电流Icc1，对选通管进行第一次电压扫描，获取选通管亚阈值区域的阻态R1；(2)根据第n‑1次电压扫描后的选通管亚阈值区域的阻态Rn‑1，设置第n限制电流Icc(n)，并对选通管进行第n次电压扫描，获取其亚阈值区域的阻态Rn；其中，Icc(n‑1)＜Icc(n)，n的初始值为2；(3)在读电压下，若第n次电压扫描后的选通管器件的亚阈值区域的阻态大于第一次电压扫描后的选通管器件的亚阈值区域的阻态，则停止对选通管器件的电压扫描；否则，n＝n+1，转至步骤(2)。本发明同时提高了选通管的开态电流和开关比，进而提高了选通管的性能使其在存储器件中的应用更广泛。
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公开(公告)号：CN110148667A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910293381.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种选通管器件的预处理方法，包括:(1)通过选取电压扫描范围且设置第一限制电流Icc1，对选通管进行第一次电压扫描，获取选通管亚阈值区域的阻态R1；(2)根据第n-1次电压扫描后的选通管亚阈值区域的阻态Rn-1，设置第n限制电流Icc(n)，并对选通管进行第n次电压扫描，获取其亚阈值区域的阻态Rn；其中，Icc(n-1)＜Icc(n)，n的初始值为2；(3)在读电压下，若第n次电压扫描后的选通管器件的高阻态阻值大于第一次电压扫描后的选通管器件的高阻态阻值，则停止对选通管器件的电压扫描；否则，n＝n+1，转至步骤(2)。本发明同时提高了选通管的开态电流和开关比，进而提高了选通管的性能使其在存储器件中的应用更广泛。
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公开(公告)号：CN110910933A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911127673.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种三维存储器及其读取方法，包括相变存储单元和选通管，其中，相变存储单元与选通管串联形成串联结构，位于字线和位线之间，字线和位线进行多层堆叠形成立体结构，当相变存储单元处于高阻态，且选通管刚刚开启时，相变存储单元两端的电压小于相变存储单元从高阻态转变为低阻态的阈值电压，使得相变存储单元不足以发生相变，只有当三维存储器两端的电压继续增加使相变存储单元两端电压超过其阈值电压时，相变存储单元才会发生相变，增大了读取电压的范围，可选读取电压的裕度较大，减小误读和误操作的问题，增大了对于相变单元阈值电压的利用率，减小了对于相变存储单元阈值电压大小的要求。
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公开(公告)号：CN109638153A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811488234.X
申请日：2018-12-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明属于维纳电子技术领域，特别是涉及一种选通材料、选通管器件及其制备方法。所述选通管器件包括：第一金属电极层、第二金属电极层以及上述两个电极层中间的选通层。所述选通层材料化学通式可示意为GexTeyA100‑x‑y：上述式中A代指元素C、B、Si、Al、Sb、Bi中的一种，x、y为元素的原子百分比且10≤x 11mA)、低关态电流、高开关比、高开关速度和低开电压的优点。
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公开(公告)号：CN110910933B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911127673.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种三维存储器及其读取方法，包括相变存储单元和选通管，其中，相变存储单元与选通管串联形成串联结构，位于字线和位线之间，字线和位线进行多层堆叠形成立体结构，当相变存储单元处于高阻态，且选通管刚刚开启时，相变存储单元两端的电压小于相变存储单元从高阻态转变为低阻态的阈值电压，使得相变存储单元不足以发生相变，只有当三维存储器两端的电压继续增加使相变存储单元两端电压超过其阈值电压时，相变存储单元才会发生相变，增大了读取电压的范围，可选读取电压的裕度较大，减小误读和误操作的问题，增大了对于相变单元阈值电压的利用率，减小了对于相变存储单元阈值电压大小的要求。
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