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公开(公告)号：CN108807667A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810541298.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠存储器及其制备方法，存储单元采用采用限制型结构相变存储单元，并运用crossbar存储阵列结构来建立大容量的存储阵列；制备方法包括：在衬底上制备N条沿某一晶向方向的第一条状电极；制备具有M*N阵列通孔的第一绝缘层；在第一绝缘层的M*N阵列通孔中填充相变材料形成第一相变单元；制备M条第二条状电极；制备第二绝缘层，旋涂光刻胶作为牺牲材料，并在第二绝缘层表面进行局域平坦化操作；在第二绝缘层上形成M*N阵列通孔；并填充相变材料形成第二相变单元；制备N条第三条状电极后形成两层堆叠的相变存储器。本发明采用大范围的具有阵列通孔的绝缘层，能够实现垂直方向上的电极隔离，同时相变材料被有效限制在通孔中，有利于提高热利用率，减小单元相变的操作电流。
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公开(公告)号：CN108807667B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810541298.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠存储器及其制备方法，存储单元采用采用限制型结构相变存储单元，并运用crossbar存储阵列结构来建立大容量的存储阵列；制备方法包括：在衬底上制备N条沿某一晶向方向的第一条状电极；制备具有M*N阵列通孔的第一绝缘层；在第一绝缘层的M*N阵列通孔中填充相变材料形成第一相变单元；制备M条第二条状电极；制备第二绝缘层，旋涂光刻胶作为牺牲材料，并在第二绝缘层表面进行局域平坦化操作；在第二绝缘层上形成M*N阵列通孔；并填充相变材料形成第二相变单元；制备N条第三条状电极后形成两层堆叠的相变存储器。本发明采用大范围的具有阵列通孔的绝缘层，能够实现垂直方向上的电极隔离，同时相变材料被有效限制在通孔中，有利于提高热利用率，减小单元相变的操作电流。
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公开(公告)号：CN109524543B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201811084770.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠相变存储器及其制备方法，其中制备方法具体是在衬底上制备彼此具有间距的第一水平电极；在第一水平电极间距间制备中央具有间隙的第一条状相变层；在第一条状相变层的间隙间制备第一选通管；制备第一绝缘层；在第一绝缘层上的相同垂直位置制备第二水平电极；然后制备第二条状相变层；接着制备第二选通管；然后，在水平电极间距间制备水平方向的绝缘孔；在相邻绝缘孔间制备垂直电极后形成垂直结构的多层堆叠的相变存储器。本发明通过对其关键制备方法的整体流程工艺设计，各个细节结构的形状设置等进行改进，能够有效解决三维堆叠相变存储器件在工艺制备中存在的多层堆叠步骤复杂，工艺实现难度大及单元尺寸微缩等问题。
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公开(公告)号：CN109524543A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811084770.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠相变存储器及其制备方法，其中制备方法具体是在衬底上制备彼此具有间距的第一水平电极；在第一水平电极间距间制备中央具有间隙的第一条状相变层；在第一条状相变层的间隙间制备第一选通管；制备第一绝缘层；在第一绝缘层上的相同垂直位置制备第二水平电极；然后制备第二条状相变层；接着制备第二选通管；然后，在水平电极间距间制备水平方向的绝缘孔；在相邻绝缘孔间制备垂直电极后形成垂直结构的多层堆叠的相变存储器。本发明通过对其关键制备方法的整体流程工艺设计，各个细节结构的形状设置等进行改进，能够有效解决三维堆叠相变存储器件在工艺制备中存在的多层堆叠步骤复杂，工艺实现难度大及单元尺寸微缩等问题。
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