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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118738173A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410800929.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/115 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫汞族胶体量子点短中红外探测器，依次包括：衬底、底电极、共混型量子点层、硫汞族量子点层、薄膜层和顶电极；其中，所述共混型量子点层与硫汞族量子点层用于形成n‑on‑p型PN结；所述底电极、顶电极用于连接正、负电荷，使电流导通；所述薄膜层用于对所述硫汞族量子点层进行缓冲、保护。本公开实施例通过将共混型量子点层与硫汞族量子点层形成顶部透光的基于n‑on‑p型PN结的硫汞族量子点器件，在短中波红外具有光电探测性能好及应用成本低的优点。
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公开(公告)号：CN118738173B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410800929.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10F77/14 , H10F30/29 , H10F77/123 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种硫汞族胶体量子点短中红外探测器，依次包括：衬底、底电极、共混型量子点层、硫汞族量子点层、薄膜层和顶电极；其中，所述共混型量子点层与硫汞族量子点层用于形成n‑on‑p型PN结；所述底电极、顶电极用于连接正、负电荷，使电流导通；所述薄膜层用于对所述硫汞族量子点层进行缓冲、保护。本公开实施例通过将共混型量子点层与硫汞族量子点层形成顶部透光的基于n‑on‑p型PN结的硫汞族量子点器件，在短中波红外具有光电探测性能好及应用成本低的优点。
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公开(公告)号：CN116639665A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211093989.6
申请日：2022-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供一种吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，该吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，包括：制备第一预设浓度的碲源溶液；制备第二预设浓度的汞前驱体溶液；利用注射泵向汞前驱体溶液按照预设注射速率注入预设体积的碲源溶液，得到量子点溶液；将量子点溶液反应生长预设时长后获得四足状HgTe量子点。本申请通过简单的注射泵泵入的方式合成HgTe量子点，注入速率、注入时间等工艺条件可控、合成工艺重复性高。
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公开(公告)号：CN115477947A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210996542.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种汞基硫属化合物量子点及其制备方法、传感器。所述方法包括：在第一溶剂中加入汞盐，得到第一混合物；在所述第一混合物中加入有机磷和镉基硫属化合物量子点溶液，得到第二混合物；在所述第二混合物中加入第二溶剂，得到汞基硫属化合物量子点。本发明通过简单的固‑液界面反应制备出单分散、优异光学性质、高品质汞基硫属化合物量子点，较传统的合成工艺，本发明工艺简单可控，且产率较高，可大规模制备，在生物成像、红外光电器件等领域有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN115477947B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210996542.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种汞基硫属化合物量子点及其制备方法、传感器。所述方法包括：在第一溶剂中加入汞盐，得到第一混合物；在所述第一混合物中加入有机磷和镉基硫属化合物量子点溶液，得到第二混合物；在所述第二混合物中加入第二溶剂，得到汞基硫属化合物量子点。本发明通过简单的固‑液界面反应制备出单分散、优异光学性质、高品质汞基硫属化合物量子点，较传统的合成工艺，本发明工艺简单可控，且产率较高，可大规模制备，在生物成像、红外光电器件等领域有广泛应用前景。
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