一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器

    公开(公告)号:CN117800397A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311872452.4

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明提供了一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器,属于传感器领域,先将钨的前驱体溶解在溶剂中,得到清澈透明的溶液,再向清澈透明的溶液中加入增敏材料前驱体,获得均匀的混合溶液,将混合溶液置于反应器中,然后离心分离获得固体反应物,将固体反应物清洗后烘干,接着,将金属纳米颗粒溶解在去离子水中,将单原子金属增敏处理的氧化钨半导体气敏材料加入其中反应,采用离心分离收集产物,将产物清洗后干燥,获得单原子和金属纳米颗粒两者同时增敏处理的双功能位点氧化钨半导体气敏材料。本发明还提供制备如上气敏材料的方法以及气体传感器。本发明能解决现有的氧化物半导体气体传感响应迟缓、相应弱以及稳定性不足的问题。

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