公开(公告)号：CN101866967B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201010168797.8

申请日：2010-04-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪连山 ,  申志辉 ,  刘胜

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、InaGa1-aN层(5)、非故意掺杂的InbGa1-bN层(6)、p型掺杂的IncGa1-cN层(7)、窗口层(8)、正面电极(9)和减反射导电膜(10)组成，其中：硅衬底和InaGa1-aN层为n型掺杂结构，籽晶层和缓冲层出氧化锌材料制成，窗口层由p型重掺杂的氮化镓制成，减反射导电膜覆盖窗口层除正面电极外的区域。本发明能较有效地解决硅衬底外延氮化镓薄膜时遇到的晶格匹配与热膨胀系数匹配等问题，具有制作成本低和对太阳光的吸收率高等优点。

公开(公告)号：CN101866967A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010168797.8

申请日：2010-04-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪连山 ,  申志辉 ,  刘胜

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、InaGa1-aN层(5)、非故意掺杂的InbGa1-bN层(6)、p型掺杂的IncGa1-cN层(7)、窗口层(8)、正面电极(9)和减反射导电膜(10)组成，其中：硅衬底和InaGa1-aN层为n型掺杂结构，籽晶层和缓冲层出氧化锌材料制成，窗口层由p型重掺杂的氮化镓制成，减反射导电膜覆盖窗口层除正面电极外的区域。本发明能较有效地解决硅衬底外延氮化镓薄膜时遇到的晶格匹配与热膨胀系数匹配等问题，具有制作成本低和对太阳光的吸收率高等优点。

公开(公告)号：CN201754407U

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN201020184791.5

申请日：2010-04-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪连山 ,  申志辉 ,  刘胜

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本实用新型涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其结构是：由自下而上排列的背面电极(11)、n型掺杂的硅衬底(1)、氧化锌籽晶层(2)、氧化锌纳米阵列缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、n型掺杂的InaGa1-aN层(5)、非故意掺杂的InbGa1-bN层(6)、p型掺杂的IncGa1-cN层(7)、p型重掺杂的氮化镓窗口层(8)、正面电极(9)和减反射导电膜(10)组成，其中，减反射导电膜(10)覆盖p型重掺杂的氮化镓窗口层(8)除正面电极(9)外的区域。本实用新型能较有效地解决硅衬底外延氮化镓薄膜时遇到的晶格匹配与热膨胀系数匹配等问题，具有制作成本低和对太阳光的吸收率高等优点。