公开(公告)号：CN109713063B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201811582320.7

申请日：2018-12-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  许剑锋 ,  杨玉怀 ,  张贻政 ,  陆栩杰 ,  任振洲

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测领域，公开了一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法。该方法包括：(a)在半导体材料的P型衬底上进行N型外延或N型掺杂生成N型基体；(b)在N型基体上表面形成至少两个N型凸起，在相邻的N型凸起之间刻蚀形成沟槽，并用绝缘介质填充沟槽；(c)沉积绝缘介质层，去掉N型凸起上的绝缘介质层，对N型凸起进行P型重掺杂；(d)在预规划的电极位置刻蚀残余介质层，直至露出N型基体，在露出的N型基体处进行N型重掺杂；(e)在各P型重掺杂区和N型重掺杂区上方分别沉积并刻蚀形成金属电极。本发明的硅雪崩光电探测芯片具有三维结构，从而提高硅雪崩光电探测芯片的吸收面积和散热面积。

公开(公告)号：CN109713063A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811582320.7

申请日：2018-12-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  许剑锋 ,  杨玉怀 ,  张贻政 ,  陆栩杰 ,  任振洲

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测领域，公开了一种三维半导体雪崩光电探测芯片及其制备方法。该方法包括：(a)在半导体材料的P型衬底上进行N型外延或N型掺杂生成N型基体；(b)在N型基体上表面形成至少两个N型凸起，在相邻的N型凸起之间刻蚀形成沟槽，并用绝缘介质填充沟槽；(c)沉积绝缘介质层，去掉N型凸起上的绝缘介质层，对N型凸起进行P型重掺杂；(d)在预规划的电极位置刻蚀残余介质层，直至露出N型基体，在露出的N型基体处进行N型重掺杂；(e)在各P型重掺杂区和N型重掺杂区上方分别沉积并刻蚀形成金属电极。本发明的硅雪崩光电探测芯片具有三维结构，从而提高硅雪崩光电探测芯片的吸收面积和散热面积。

公开(公告)号：CN107861338A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711215278.0

申请日：2017-11-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  任振洲 ,  许剑锋 ,  杨玉怀

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70283 ,  G03F7/70308

Abstract: 本发明属于微纳三维曲面加工领域，并公开了一种采用灰度掩膜版实现三维曲面曝光和刻蚀的方法。该方法包括下列步骤：(a)确定待加工材料表面的加工深度，以及掩膜版与待加工材料的位置对应关系，在掩膜版上对应位置处设定相应的灰度值；(b)在待加工材料表面悬涂光刻胶，采用光源透过掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，由此在光刻胶表面形成三维曲面图形；(c)对由步骤(b)获得的表面有光刻胶的待加工材料进行复合刻蚀，从而在待加工材料表面形成所需的三维曲面图形，由此完成对待加工材料的加工。通过本发明，加工尺寸小，加工精度高，加工效率高。

公开(公告)号：CN109713062A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811581513.0

申请日：2018-12-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  许剑锋 ,  杨玉怀 ,  张贻政 ,  陆栩杰 ,  任振洲

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硅雪崩光电探测芯片及其制备方法，属于光电探测领域。该方法包括下列步骤：(a)对P型硅上表面进行N型掺杂或外延，形成深N阱；(b)在深N阱上表面进行N型掺杂或外延，形成N阱；(c)在N阱上表面局部进行P型掺杂形成保护环，将N阱分为位于保护环内外两侧的N型硅；(d)对保护环外侧的N型硅表面外侧，以及保护环与保护环外侧的N型硅交界处表面，分别进行刻蚀形成浅槽，并用绝缘介质填充浅槽；(e)对保护环以及保护环内侧的N型硅的上表面均进行P型掺杂形成二极管的P端；保护环掺杂浓度低于P端掺杂浓度；(f)对保护环外侧的N型硅上表面进行N型掺杂形成二极管的N端，P端和N端被步骤(d)的浅槽隔离。

公开(公告)号：CN109713062B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201811581513.0

申请日：2018-12-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  许剑锋 ,  杨玉怀 ,  张贻政 ,  陆栩杰 ,  任振洲

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硅雪崩光电探测芯片及其制备方法，属于光电探测领域。该方法包括下列步骤：(a)对P型硅上表面进行N型掺杂或外延，形成深N阱；(b)在深N阱上表面进行N型掺杂或外延，形成N阱；(c)在N阱上表面局部进行P型掺杂形成保护环，将N阱分为位于保护环内外两侧的N型硅；(d)对保护环外侧的N型硅表面外侧，以及保护环与保护环外侧的N型硅交界处表面，分别进行刻蚀形成浅槽，并用绝缘介质填充浅槽；(e)对保护环以及保护环内侧的N型硅的上表面均进行P型掺杂形成二极管的P端；保护环掺杂浓度低于P端掺杂浓度；(f)对保护环外侧的N型硅上表面进行N型掺杂形成二极管的N端，P端和N端被步骤(d)的浅槽隔离。