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公开(公告)号：CN113237844B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202110499817.8
申请日：2021-05-08
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明实施例中公开了一种对称式结构的长光程红外气体检测光学腔，包括：第一反光面、第二反光面、红外光源、红外探测器以及顶部平面镜，其中：第一反光面包括第一抛物面反射镜、第一转角平面镜及第一光路延长平面镜，第一抛物面反射镜用于准直红外光源发出的扩散红外光束，并将准直后的红外光束反射至第一转角平面镜；第二反光面中的第二抛物面反射镜、第二转角平面镜及第二光路延长平面镜分别与第一抛物面反射镜、第一转角平面镜及第一光路延长平面镜基于光学腔对称轴对称，红外探测器的中心置于第二抛物面反射镜的焦点处。该对称式结构的长光程红外气体检测光学腔是一种体积小、光程长且可拓展光程的光学腔，可以提高气体的探测精度。
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公开(公告)号：CN113237844A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110499817.8
申请日：2021-05-08
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明实施例中公开了一种对称式结构的长光程红外气体检测光学腔，包括：第一反光面、第二反光面、红外光源、红外探测器以及顶部平面镜，其中：第一反光面包括第一抛物面反射镜、第一转角平面镜及第一光路延长平面镜，第一抛物面反射镜用于准直红外光源发出的扩散红外光束，并将准直后的红外光束反射至第一转角平面镜；第二反光面中的第二抛物面反射镜、第二转角平面镜及第二光路延长平面镜分别与第一抛物面反射镜、第一转角平面镜及第一光路延长平面镜基于光学腔对称轴对称，红外探测器的中心置于第二抛物面反射镜的焦点处。该对称式结构的长光程红外气体检测光学腔是一种体积小、光程长且可拓展光程的光学腔，可以提高气体的探测精度。
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公开(公告)号：CN103151436B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310054509.X
申请日：2013-02-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明提出一种GaN基孔状光子晶体LED的制备方法，包括：生长GaN基LED外延片，并在外延片上匀底胶；利用孔状硬模板进行纳米压印，脱模后在外延片底胶表面上形成一层柱状阵列图案；在柱状阵列图案上匀第二层胶，其中该第二层胶为硅掺杂胶；依次进行硅刻蚀直至柱状阵列图案的柱子表面暴露，对底胶进行刻蚀直到GaN外延片暴露，以硅掺杂胶为掩模刻蚀外延片，经上述三步刻蚀得到表面具有孔状光子晶体结构，后续处理后即可得所述孔状表面光子晶体LED。本发明还公开了利用上述方法制备得到的GaN基孔状光子晶体LED。本发明利用纳米压印技术和孔状硬质模板，借助第二层硅掺杂胶的特殊性和对刻蚀气体的选择性，仅一步压印后刻蚀即可实现孔模板到孔状光子晶体的转移。
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公开(公告)号：CN103091980B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310007309.9
申请日：2013-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种孔洞纳米压印模板的制备方法，包括：制备表面镀有铝膜的衬底；对衬底进行阳极氧化和扩孔，氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需时长；对样片进行ICP刻蚀，再去除掩膜材料后即得纳米压印模板；ICP刻蚀分为三步完成：（1）无掩膜的多孔氧化层刻蚀，用于去除纳米孔洞层底部的阻挡层，（2）以多孔氧化层为掩膜的铝刻蚀，以将纳米空洞底部的铝膜层刻蚀到底，（3）以多孔铝膜层为掩膜的衬底刻蚀，以将纳米孔洞结构转移至衬底上。本发明还公开了一种利用上述方法制备的纳米压印模板。本发明通过控制多孔氧化层的厚度并保证阳极氧化刚好到达衬底界面，同时配合选择性的干法刻蚀工艺，从而获得大面积上均匀孔洞结构的转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151436A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310054509.X
申请日：2013-02-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明提出一种GaN基孔状光子晶体LED的制备方法，包括：生长GaN基LED外延片，并在外延片上匀底胶；利用孔状硬模板进行纳米压印，脱模后在外延片底胶表面上形成一层柱状阵列图案；在柱状阵列图案上匀第二层胶，其中该第二层胶为硅掺杂胶；依次进行硅刻蚀直至柱状阵列图案的柱子表面暴露，对底胶进行刻蚀直到GaN外延片暴露，以硅掺杂胶为掩模刻蚀外延片，经上述三步刻蚀得到表面具有孔状光子晶体结构，后续处理后即可得所述孔状表面光子晶体LED。本发明还公开了利用上述方法制备得到的GaN基孔状光子晶体LED。本发明利用纳米压印技术和孔状硬质模板，借助第二层硅掺杂胶的特殊性和对刻蚀气体的选择性，仅一步压印后刻蚀即可实现孔模板到孔状光子晶体的转移。
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公开(公告)号：CN103091979A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310006963.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法，用于制作具有表面高增透性能的微结构，以用于光学器件，该方法包括：制备衬底并在衬底表面镀膜的步骤；对镀膜的衬底进行阳极氧化并进行扩孔处理以形成多孔氧化铝表面的步骤；和对经氧化扩孔处理后的器件进行干法或湿法刻蚀，获得具有粗糙起伏表面的纳米压印模板的步骤；衬底镀膜步骤中，先在衬底表面镀一层钛膜，然后在钛膜上镀铝膜，以增强铝膜的结合强度，防止铝膜上的纳米空洞脱落。本发明还公开了利用该方法制备的纳米压印模板以及具有利用该模板制备的微结构的光学器件。本发明可获得具有圆锥状的纳米孔洞形貌，其表面在微米级范围上具有百纳米级的起伏，从而制备出的微结构具有很好的增透效果。
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公开(公告)号：CN103091979B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310006963.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法，用于制作具有表面高增透性能的微结构，以用于光学器件，该方法包括：制备衬底并在衬底表面镀膜的步骤；对镀膜的衬底进行阳极氧化并进行扩孔处理以形成多孔氧化铝表面的步骤；和对经氧化扩孔处理后的器件进行干法或湿法刻蚀，获得具有粗糙起伏表面的纳米压印模板的步骤；衬底镀膜步骤中，先在衬底表面镀一层钛膜，然后在钛膜上镀铝膜，以增强铝膜的结合强度，防止铝膜上的纳米空洞脱落。本发明还公开了利用该方法制备的纳米压印模板以及具有利用该模板制备的微结构的光学器件。本发明可获得具有圆锥状的纳米孔洞形貌，其表面在微米级范围上具有百纳米级的起伏，从而制备出的微结构具有很好的增透效果。
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公开(公告)号：CN103091980A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310007309.9
申请日：2013-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种孔洞纳米压印模板的制备方法，包括：制备表面镀有铝膜的衬底；对衬底进行阳极氧化和扩孔，氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需时长；对样片进行ICP刻蚀，再去除掩膜材料后即得纳米压印模板；ICP刻蚀分为三步完成：（1）无掩膜的多孔氧化层刻蚀，用于去除纳米孔洞层底部的阻挡层，（2）以多孔氧化层为掩膜的铝刻蚀，以将纳米空洞底部的铝膜层刻蚀到底，（3）以多孔铝膜层为掩膜的衬底刻蚀，以将纳米孔洞结构转移至衬底上。本发明还公开了一种利用上述方法制备的纳米压印模板。本发明通过控制多孔氧化层的厚度并保证阳极氧化刚好到达衬底界面，同时配合选择性的干法刻蚀工艺，从而获得大面积上均匀孔洞结构的转移。
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公开(公告)号：CN214668565U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202120970297.X
申请日：2021-05-08
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本实用新型实施例中公开了一种对称式结构的长光程红外气体检测光学腔，包括：第一反光面、第二反光面、红外光源、红外探测器以及顶部平面镜，其中：第一反光面包括第一抛物面反射镜、第一转角平面镜及第一光路延长平面镜，第一抛物面反射镜用于准直红外光源发出的扩散红外光束，并将准直后的红外光束反射至第一转角平面镜；第二反光面中的第二抛物面反射镜、第二转角平面镜及第二光路延长平面镜分别与第一抛物面反射镜、第一转角平面镜及第一光路延长平面镜基于光学腔对称轴对称，红外探测器的中心置于第二抛物面反射镜的焦点处。该对称式结构的长光程红外气体检测光学腔是一种体积小、光程长且可扩展光程用的光学腔，可以提高气体的探测精度。
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