公开(公告)号：CN108059455B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201810105008.2

申请日：2018-02-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  施浩 ,  周东祥 ,  郑志平 ,  罗为

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种中介高品质τf近零的微波介质陶瓷及其制备方法，其中，微波介质陶瓷包括主晶相，所述主晶相的化学式为(ZrTi)1‑x(Mg1/3Sb2/3)2xO4，其中，0.10≤x≤0.36。本发明制备得到的微波介质陶瓷的介电常数为24.4～35.4，谐振频率温度系数为‑4.6ppm/℃～+6.7ppm/℃，品质因数为28000GHz～40200GHz。证明了本发明的微波介质陶瓷具有中介电常数、高品质因数和近零谐振频率温度系数。

公开(公告)号：CN109735807B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910145223.X

申请日：2019-02-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  李睿锋 ,  周东祥 ,  郑志平 ,  罗为

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种负温度系数热敏薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)热敏薄膜制备：采用磁控溅射法将Mn‑Co‑Ni系合金靶材溅射到衬底上得到Mn‑Co‑Ni系薄膜；(3)退火处理：将Mn‑Co‑Ni系薄膜在含有氧气的气氛下进行退火氧化处理，即可得到Mn‑Co‑Ni‑O系负温度系数热敏薄膜。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计，尤其是关键溅射工艺所采用的靶材料进行改进，以Mn‑Co‑Ni系合金作为靶材，与现有技术相比能够有效解决磁控溅射法制备热敏薄膜时陶瓷靶材容易碎裂、利用率低的问题，制备方法操作简单，容易实现，重复性好。

公开(公告)号：CN109761602A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201910153087.9

申请日：2019-02-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  严亮 ,  周东祥

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低阻热敏陶瓷材料及制备方法与应用，属于电子陶瓷元件技术领域。该热敏陶瓷材料的主要成分的化学式为((Bi0.5Q0.5)xBam-x)TiO3；其中Q为碱金属元素Na或K；其中m的取值范围为1≤m≤1.007，x的取值范围为0.001≤x≤0.007。制备方法为将钛酸铋钠或钛酸铋钾陶瓷粉末与碳酸钡粉末、二氧化钛粉混合后进行煅烧，再依次通过流延、叠片、压片和切片，得到成型生坯；将成型生坯在温度大于等于280℃条件下分解流延过程中混入的有机物，再在还原气氛中煅烧，得到陶瓷块体；再将陶瓷块体再在含氧气氛中煅烧。本发明方法制得的片式钛酸钡基热敏陶瓷具有极低的室温电阻率，较高的升阻比，较高的温度系数。

公开(公告)号：CN109206135A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811135337.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  周东祥 ,  严亮

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷元件制备技术领域，更具体地，涉及一种具有高的正温度系数的热敏陶瓷材料及其制备方法。该热敏陶瓷材料的主要成分的化学式为(Ca0.03(Bi0.5Q0.5)xSryBa0.97-x-y)Ti1.01O3,其中Q为碱金属元素Na或K，x取值范围为0.01-0.06，y取值范围为0.01-0.2。本发明方法制得的钛酸钡热敏陶瓷具有较高的温度系数，开关温度可以调节，温度系数(α(10/25))大于30％。

公开(公告)号：CN103675034B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310634216.9

申请日：2013-11-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘欢 ,  唐江 ,  傅邱云 ,  李敏 ,  周东祥

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。制备方法包括如下步骤：（1）将半导体胶态量子点溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜；（2）用短链配体溶液处理量子点薄膜；（3）去除残余的短链配体及其副产物；（4）多次重复执行步骤（1）至步骤（3），得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜，完成气体传感器的制备。上述方法中，也可以直接在绝缘衬底上成膜，在最后得到的半导体胶态量子点薄膜上制备电极。气体传感器包括绝缘衬底、电极和气敏层，气敏层为半导体胶态量子点薄膜。该气体传感器可在常温下检测气体浓度的瞬间或微量变化，响应恢复速度快且灵敏度高，安全便携，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN105483825A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510922295.2

申请日：2015-12-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 郑志平 ,  傅邱云 ,  周东祥 ,  胡云香 ,  罗为 ,  张明智 ,  何健乐

IPC: C30B29/12 ,  C30B11/02

CPC classification number: C30B29/12 ,  C30B11/02

Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温，使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅铯单晶开裂的问题。

公开(公告)号：CN103632784A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310601977.4

申请日：2013-11-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  周东祥 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  罗为 ,  陈涛

IPC: H01C13/02 ,  H01C1/14 ,  H01C7/112 ,  H01C7/02 ,  H01C17/00

CPC classification number: H01C17/006 ,  H01C7/008 ,  H01C7/021 ,  H01C7/10 ,  H01C7/18 ,  H01C13/02 ,  Y10T29/49085

Abstract: 本发明公开了一种叠层片式热压敏复合电阻器及其制备方法，复合电阻器由压敏电阻部分、中间过渡层部分及热敏电阻部分叠加组成，压敏电阻部分的结构为压敏电阻瓷片——第一电极层——压敏电阻瓷片——第二电极层的交叠层压组合，第一电极层与第二电极层分别错开；热敏电阻部分的结构为：热敏电阻瓷片——第三电极层——热敏电阻瓷片——第四电极层的交叠层压组合，第三电极层与第四电极层分别错开，中间过渡层部分位于热敏电阻部分与压敏电阻部分的中间。本发明采用贱金属镍为内电极的共烧技术，可降低成本、简化制备工艺，提高器件的可靠性，减少热传导路径，加强热敏器件对压敏电阻的保护作用，同时可以实现电路的过热过电流过电压等多重保护。

公开(公告)号：CN101710642B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910273244.6

申请日：2009-12-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 龚树萍 ,  胡云香 ,  周东祥 ,  傅邱云 ,  郑志平 ,  刘欢 ,  曲景润

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q5/01

Abstract: 本发明提供的一种三频段低温共烧陶瓷手机天线，它包括第一层辐射单元、第二层辐射单元、金属过孔、调谐枝节、低温共烧陶瓷基板和接地终端；第一、第二层辐射单元分别是成矩形波形弯折的金属导体线，均埋置在低温共烧陶瓷基板中，且第二层辐射单元位于第一层辐射单元上方，并通过金属过孔连接；令低温共烧陶瓷基板的宽度方向为x方向，长度方向为y方向，第一层辐射单元的y方向各个间隙中均增加调谐枝节，第二层辐射单元的电长度小于第一层辐射单元的电长度，第二层辐射单元的y方向曲折线间距大于第一层辐射单元的y方向曲折线间距。该天线可以有效地满足手机等移动终端多频带的需求，并有效地降低天线剖面，提高天线的稳定性。

公开(公告)号：CN101805178B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010100562.5

申请日：2010-01-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周东祥 ,  龚树萍 ,  傅邱云 ,  刘欢 ,  赵俊 ,  张波

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  B02C17/00

Abstract: 本发明公开了一种制备钛酸钡基PTC半导体陶瓷细晶结构的方法，该方法以碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、硝酸锰、碳酸锶或/和碳酸钙为原料，用直径为1～2mm的ZrO2小球、厚度为1μm的缝隙过滤浆料、转速为1400～2400rpm、球磨时间为1～3小时，最终获得粒径大小为20～50nm的钛酸钡基PTC粉体；然后再分散剂、粘合剂和增塑剂进行混合球磨3～5小时，然后静置5～12小时去除气泡及物理团聚，最后进行过筛处理获得流延浆料；最后对流延浆料进行流延操作，制备钛酸钡陶瓷生坯。获得的片式细晶PTC，其特征在于磁体晶粒大小在2微米以下，室温电阻率≤120Ω.cm，升阻比≥4×103，居里温度在80～120℃。

公开(公告)号：CN101483417B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200910060548.4

申请日：2009-01-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周东祥 ,  赵俊 ,  龚树萍 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  刘欢 ,  傅邱云

IPC: H03H3/007 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明为一种多层布线用黑色氧化铝基片的材料的制备方法，即采用固相法，向主晶相Al2O3粉末中加入Co，Mn，Cr，Si，Ti，B，V等元素，对氧化铝进行掺杂改性，降低了氧化铝陶瓷的烧成温度，并在粉体改性的基础上提出了一种黑色氧化铝有机流延成型方法，选择了适合氧化铝的流延成型剂，复合溶剂，复合增塑剂。得到均匀、稳定、高固相含量的浆料，提高了素坯成型质量。使用刮刀法流延，设备简单可行，自然干燥过程方便，干燥过程不会引起坯体的破裂，起皱，和无法脱膜的现象。制得膜体致密，并用机械打孔法来制备叠层基片，得到多层布线用黑色氧化铝基片。