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公开(公告)号：CN118697520A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410847007.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: A61F2/72
Abstract: 本申请属于大型假肢手控制技术领域，具体公开了一种假肢手控制方法、装置、电子设备和存储介质，该方法运用于一种两驱动假肢手，两驱动假肢手包括手结构、第一电机、第二电机、阻尼轴和剪式比例结构，手结构包括5根手指结构；第一电机用于基于第一电机驱动信号，控制5根手指结构中的拇指结构；第二电机，用于基于第二电机驱动信号，通过阻尼轴和剪式比例结构，控制5根手指结构中除拇指结构以外的其他4根手指结构包括：采集用户的两路肌电信号；基于两路肌电信号、四种预设阈值、第一电机的状态和第二电机的状态，生成第一电机驱动信号和第二电机驱动信号；基于第一电机驱动信号和第二电机驱动信号，控制两驱动假肢手。
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公开(公告)号：CN108485158B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810262835.2
申请日：2018-03-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种h‑BN和PAAm双网络水凝胶及其制备方法，属于水凝胶技术领域，其中制备方法包括：将h‑BN和聚乙烯醇溶解于水中，通过低温冷冻后，在冷冻干燥机中冻干，形成h‑BN气凝胶；将h‑BN气凝胶浸泡在丙烯酰胺溶液中，真空抽滤后形成含有丙烯酰胺溶液的h‑BN凝胶，然后浸泡在催化剂中形成h‑BN和PAAm双网络水凝胶。本发明通过先制备h‑BN气凝胶，再与PAAm水凝胶复合，这样得到的h‑BN和PAAm双网络水凝胶中h‑BN本身形成了网络，所以可以在很大程度上增加水凝胶的热导率以及机械性能。
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公开(公告)号：CN109231262B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201811243674.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种直接合成立方相CsPbI3纳米线的方法，包括以下步骤：(1)将乙酸铯溶解于溶剂中，加入助溶剂油酸类物质，完全溶解后得到铯前驱体；将碘化铅溶解于溶剂中，加入表面活性剂油酸类物质和油胺类物质，在T1下保温得到碘化铅的前驱体；(2)将铯前驱体分两次加入到碘化铅的前驱体中，具体是先将一部分铯前驱体加入到碘化铅的前驱体中；然后升温至T2，接着将剩余的铯前驱体再次加入到该碘化铅的前驱体中，继续保温，即可得到立方相的铯铅碘纳米线。本发明通过对合成方法整体流程工艺设计等进行改进，分两次将铯前驱体与碘化铅前驱体反应，在较低温度下即可制备立方相铯铅碘纳米线。
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公开(公告)号：CN107863097A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711211037.9
申请日：2017-11-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G10K11/30
CPC classification number: G10K11/30
Abstract: 本发明公开了一种基于图案化裁剪技术聚焦声波的方法，包括：确定相位调控薄膜，所述相位调控薄膜能够将其透射的声波的相位改变180度；对相位调控薄膜进行裁剪，使得经过裁剪后的相位调控薄膜透射后的声波平面聚焦于焦点或者空间聚焦于焦点，其中，通过控制裁剪的尺寸，使经过裁剪区域后的声波与其相邻的经过非裁剪区域透射后的声波到达焦点的波程差为声波波长的一半。本发明基于能够将透射相位改变180度的薄膜和特定图案化设计规律以实现声学聚焦。得到的声聚焦点可用于超声波碎石，等方面，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106595915A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611079779.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01L1/22
CPC classification number: G01L1/22 , G01L1/2287
Abstract: 本发明公开了一种摩擦制备高应变因子柔性电阻应变片的方法，该方法将柔性衬底平铺在弹性体上，再用石墨块在柔性衬底上进行摩擦，使附着在柔性衬底上的石墨微片形成导电面，得到柔性电阻应变片。本发明所制备的柔性电阻应变片的导电机制在于石墨微片附着在柔性衬底上形成的渗流导电面；由于该渗流导电面的微观导电通路会随应变会发生显著变化，从而使得弯曲或者拉伸后电阻发生显著变化；并且所选衬底均为柔性，因此导电膜具有良好的柔韧性；同时，由于原材料成本低廉、制备工艺简便，因此还具有成本低的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242886B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111450173.X
申请日：2021-11-30
Abstract: 本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
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公开(公告)号：CN114597254A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210497461.9
申请日：2022-05-09
IPC: H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/788 , H03M1/12 , H03M1/66
Abstract: 本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DCA电路及方法，基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性，其中浮栅可以存储电阻信息，当信息写入后即便不加栅压也能保留信息，因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料，有望取代硅基CMOS器件成为新一代半导体。在以硅基晶体管为基础的CMOS电路中，ADC和DAC是芯片中常用的信号转换单元，本发明提供的二碲化钼二维材料半导体应用到ADC和DAC可以取代传统的硅基CMOS器件，在二维材料半导体领域中，可以有效解决其他基于二维材料半导体的电路模块与ADC和DAC的阻抗匹配问题，有望于解决二维材料半导体器件的大规模集成的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN108062947B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201711210859.5
申请日：2017-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于图案化裁剪技术形成声涡旋的方法，包括：确定相位调控薄膜，所述相位调控薄膜能够将其透射的声波的相位改变180度；对相位调控薄膜进行裁剪，将所述相位调控薄膜裁剪成费马螺线图案，使得经过所述裁剪的相位调控薄膜透射后的声波产生稳定传播的声涡旋。本发明能够产生稳定的声涡旋，声涡旋能够在透射场的一定距离内稳定传播，并且涡旋中心强度为0，本发明可以通过薄膜以及控制裁剪图案即可得到声涡旋，得到的声涡旋可用于噪声隔离，声通讯，粒子操控等方面，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106725887B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201611081253.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种简易的制备柔性呼吸传感器的方法，该方法不需要复杂的工艺步骤以及繁多的辅助材料，仅需要将表面粗糙的绝缘柔性衬底作为敏感面，并将电极附着在敏感面表面上，即可制备出柔性呼吸传感器。本发明利用呼吸中的水气在柔性衬底表面形成水分子膜的瞬时导电作用——呼气时水分子凝结成膜使得电极间的电阻降低(电流上升)、呼气停止后水分子膜瞬间挥发并使得电极间的电阻增大(电流下降)来探测呼吸；在一定的粗糙度范围内，由于水分子冷凝成核点丰富，有利于水分子膜的瞬间形成，因此探测效果显著；由于所选衬底为柔性，因此探测材料具有良好的柔韧性；同时原材料成本低廉，制备工艺简便，具有成本低的特点。
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公开(公告)号：CN108728089A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810458026.9
申请日：2018-05-14
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C09K11/665 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种掺锰无机卤素钙钛矿量子点及其制备方法。该制备方法为将铅盐和氯化锰溶解后，在80℃-110℃条件下加热，得到卤素前驱体；将铯盐溶解后得到铯前驱体；将铯前驱体加入到卤素前驱体中，在80℃-110℃的条件下加热，即得到掺锰无机卤素氯钙钛矿量子点。本发明提供了一种不需惰性气体保护，且在较低温度下大产率制备掺锰无机卤型钙钛矿量子点的方法，不仅降低了制备成本，并且提高了制备效率，量子产率高达62.41％，比目前最高的热注入法的54％，高出12.41％，可用于大规模生产。
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